while silicon pretreatment before s

while silicon pretreatment before salt stress did not change the relative growth rate of shoots (0.174 ± 0.007 g g−1 day−1) as compared to salt treatment alone.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในขณะที่ซิลิคอน pretreatment ก่อนเครียดเกลือได้เปลี่ยนอัตราสัมพัทธ์ของการถ่ายภาพ (0.174 ± 0.007 g g−1 day−1) เมื่อเทียบกับเกลือเพียงอย่างเดียว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในขณะที่การปรับสภาพซิลิกอนก่อนความเครียดเกลือไม่ได้เปลี่ยนอัตราการเติบโตของยอดญาติ (0.174 ± 0.007 GG-1 วัน 1) เมื่อเทียบกับการรักษาเกลือเพียงอย่างเดียว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในขณะที่ซิลิคอนโดยก่อนที่ความเครียดเกลือไม่ได้เปลี่ยนแปลงอัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ของยอด ( 0.174 ± 0.007 กรัม G − 1 วัน− 1 ) เมื่อเทียบกับเกลือรักษาคนเดียว