An advanced driver circuit (Fig.3b)

An advanced driver circuit (Fig.3b) includes high-Vt
NMOS component M0 with gate width W= 40 μm
used as pull down diode for the PMOS M1 with W=
40 μm that is in turn used to drive the gate of the
LVTSCR0 device with W=120 μm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจรขับรถขั้นสูง (Fig.3b) รวมถึงสูง Vt
NMOS องค์ประกอบ M0 กับประตูกว้าง W = 40 ไมครอน
ใช้เป็นดึงลงไดโอดสำหรับ PMOS M1 ด้วย W =
40 ไมครอนที่ในการเปิดใช้ในการขับเคลื่อนประตูของ
อุปกรณ์ LVTSCR0 ด้วย W = 120 ไมโครเมตร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีวงจรควบคุมขั้นสูง ( fig.3b ) รวมถึง VT สูงnmos ส่วนประกอบ m0 กับประตูทางเข้ากว้าง W = 40 μม.ใช้ดึงลงไดโอดสำหรับ pmos M1 W =40 μ M นั้นจะใช้ขับประตูของlvtscr0 อุปกรณ์กับ W = 120 μม.