Where β is the field enhancement fa

Where β is the field enhancement factor, Φ is the work function of
the electron emitter, which is estimated to be 4.1 eV for GaN [8].
Whereas A and B are constants with the values of 1.56×
10−10 A V−2 eV and 6.83×103 V eV−3/2 μm−1 respectively. The corresponding
FN [ln (I/V2)−1/V] plot of grass-like GaN nanostructures
has been depicted in the insight of Fig. 3(a).The linear behavior of
semi conducting grass-like GaN at high field reveals that the electron
emission is due to the vacuum and quantum tunneling effect [9,14].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยที่βคือ ตัวปรับปรุงฟิลด์ Φคือ ฟังก์ชั่นการทำงานของที่อิเล็กตรอนตัวส่ง ซึ่งมีประมาณ 4.1 eV สำหรับย่าน [8]ในขณะที่ A และ B เป็นค่าคงที่ ด้วยค่าของฟิลด์ 1.5610−10 A V−2 eV และ 6.83 × 103 V eV−3/2 μm−1 ตามลำดับ ให้สอดคล้องกับFN [ln (ฉัน / V2) −1/V] พล็อตของ nanostructures หญ้าเหมือนกันมีการแสดงของ Fig. 3(a)ลักษณะการทำงานเชิงเส้นของทำกันเหมือนหญ้า ณสูงกึ่งเปิดเผยที่อิเล็กตรอนมลพิษเป็นสุญญากาศและควอนตัมทันเนลผล [9,14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่βเป็นปัจจัยการเพิ่มประสิทธิภาพของสนามΦเป็นฟังก์ชั่นการทำงานของ
อีซีแอลอิเล็กตรอนซึ่งคาดว่าจะเป็น 4.1 eV สำหรับกาน [8].
ในขณะที่ A และ B มีค่าคงที่มีค่า 1.56 ×
10-10 AV-2 eV และ 6.83 × 103 V EV-3/2 ไมโครเมตร-1 ตามลำดับ ที่สอดคล้อง
FN [ln (I / V2) -1 / V] พล็อตกานหญ้าเหมือนโครงสร้างนาโน
ได้รับข้อมูลเชิงลึกที่ปรากฎในรูปของ 3 (ก) ได้โดยง่ายพฤติกรรมเชิงเส้นของ
กึ่งดำเนินกานหญ้าเหมือนที่สนามสูงแสดงให้เห็นว่าอิเล็กตรอน
ปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่เกิดจากการสูญญากาศและอุโมงค์ควอนตัมผลกระทบ [9,14]