Ti/Au was deposited using CHA-600 e

Ti/Au was deposited using CHA-600 e-beam metal evaporator under a
base pressure of 1×10−6 Torr and the temperature at the wafer
being

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Ti/Au was deposited using CHA-600 e-beam metal evaporator under abase pressure of 1×10−6 Torr and the temperature at the waferbeing <200 ◦C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตี / Au ถูกวางโดยใช้ CHA-600
E-คานระเหยโลหะภายใต้ความดันฐานของ1 × 10-6 Torr
และอุณหภูมิที่เวเฟอร์เป็น<200 ◦C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Ti / AU ฝากใช้ cha-600 e-beam โลหะระเหยภายใต้
ฐานความดัน 1 × 10 − 6 ทอร์และอุณหภูมิที่เป็นเวเฟอร์
< 200 ◦ C