A portion of the minority carriers

A portion of the minority carriers injected into the drift region
from the collector of an IGBT flows directly to the emitter
terminal. The negative charge of electrons in the inversion
layer attracts the majority of holes and generates the lateral
component of hole current through the p-type body layer as
shown in Fig. 7.10. This lateral current flow develops a voltage
drop across the spreading resistance of the p-base region,
which forward-biases the base-emitter junction of the npnparasitic
BJT. By designing a small spreading resistance, the
voltage drop is lower than the built-in potential and therefore
the parasitic thyristor between the p.-collector region, nÿ-
drift region, p-base region, and n.-emitter does not latch up.
Larger values of on-state current density produce a larger
voltage drop, which causes injection of electrons from the
emitter region into the p-base region and hence turn-on of the
npn-transistor. When this occurs the pnp-transistor will turn
on, and therefore the parasitic thyristor will latch up and the
gate loses control over the collector current.
Under dynamic turn-off conditions the magnitude of the
lateral hole current flow increases and latch-up can occur at
lower on-state currents compared to the static condition. The
parasitic thyristor latches up when the sum of the current
gains of the npn- and pnp-transistors exceeds one. When the
gate voltage is removed from IGBT with a clamped inductive
load, its MOSFET component turns off and reduces the
MOSFET current to zero very rapidly. As a result the drainsource
voltage rises rapidly and is supported by the junction
between the nÿ-drift region and the p-base region. The drift
region has a lower doping and therefore the depletion layer
extends more in the drift region. Hence, the current gain of the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนของสายที่ชนกลุ่มน้อยที่ฉีดเข้าไปในภูมิภาคดริฟท์
จากตัวเก็บรวบรวมของ IGBT ไหลตรงไปที่ตัวส่ง
เทอร์มินัล ประจุลบของอิเล็กตรอนในการกลับ
ชั้นดึงดูดส่วนใหญ่หลุม และด้านข้างสร้าง
ส่วนประกอบของหลุมปัจจุบันผ่านชั้นเนื้อชนิด p เป็น
Fig. 7.10 แสดง แรงดันไฟฟ้าพัฒนาขั้นตอนปัจจุบันนี้ด้านข้าง
ปล่อยผ่านความต้านทานประมาณภาคฐาน p,
ที่แยกไปยอมตัวส่งฐาน npnparasitic
ภูมิใจไทย โดยออกแบบต้านประมาณขนาดเล็ก
แรงดันคือต่ำกว่าศักยภาพมีอยู่แล้วดังนั้น
thyristor เสียงฟู่เหมือนกาฝากระหว่างพีรวบรวมภูมิภาค nÿ-
ดริฟท์ภูมิภาค ภูมิภาค p-ฐาน และ n. ตัวส่งไม่แลตช์ค่า
ค่าความหนาแน่นของกระแสในรัฐใหญ่ผลิตขนาดใหญ่
หล่น แรงดันไฟฟ้าซึ่งทำให้ฉีดของอิเล็กตรอนจาก
ภาคตัวส่งเข้ามาในภูมิภาค p-ฐาน และด้วยเหตุนี้ turn-on ของ
npn ทรานซิสเตอร์ เมื่อนี้เกิดขึ้น pnp-ทรานซิสเตอร์จะเปิด
ใน และดังนั้น thyristor เสียงฟู่เหมือนกาฝากจะแลตช์ค่าและ
ประตูควบคุมเก็บปัจจุบันไม่
เงื่อนไขภายใต้หันออกแบบขนาดของ
เพิ่มกระแสปัจจุบันด้านข้างหลุมและสลักขึ้นสามารถเกิดขึ้นได้ที่
ลดกระแสในรัฐเปรียบเทียบกับเงื่อนไขคงได้ ใน
กลอนประตู thyristor เสียงฟู่เหมือนกาฝากขึ้นเมื่อผลรวมของกระแส
กำไรของแบบ npn - และ pnp-transistors เกินหนึ่ง เมื่อการ
แรงดันประตูจะถูกเอาออกจาก IGBT มีการ clamped เหนี่ยว
โหลด ส่วนประกอบของมอสเฟตปิด และลดการ
ปัจจุบันมอสเฟตเป็นศูนย์อย่างรวดเร็ว เป็นผล drainsource
แรงดันเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และได้รับการสนับสนุน โดยแยก
ระหว่างภูมิภาค nÿ ดริฟท์และภูมิภาคฐาน p ดริฟท์
ภูมิภาคมีโดปปิงค์ต่ำ และการลดลงของชั้น
ขยายเพิ่มเติมในภูมิภาคดริฟท์ ดังนั้น ในปัจจุบันได้รับของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ส่วนของผู้ให้บริการรายย่อยฉีดเข้าไปในภูมิภาคดริฟท์
จากนักสะสม IGBT ไหลโดยตรงกับอีซีแอล
เทอร์ ประจุลบของอิเล็กตรอนในการรักร่วมเพศ
ชั้นดึงดูดส่วนใหญ่ของหลุมและสร้างด้านข้าง
ส่วนประกอบของหลุมปัจจุบันผ่านชนิดพีชั้นร่างกายที่
แสดงในรูปที่ 7.10 นี้กระแสแรงดันด้านข้างพัฒนา
ลดลงทั่วต้านทานการแพร่กระจายของภูมิภาค-p ฐาน
ที่ไปข้างหน้าอย่างอคติแยกฐานอีซีแอลของ npnparasitic
BJT โดยการออกแบบต้านทานการแพร่กระจายขนาดเล็ก
แรงดันต่ำกว่าในตัวที่มีศักยภาพและดังนั้นจึง
ทรานซิสเตอร์ปรสิตระหว่างภูมิภาคพี-สะสม NY-
ภูมิภาคลอยภูมิภาค-p ฐานและ n. -อีซีแอลไม่ได้สลักขึ้น .
ค่าขนาดใหญ่ของรัฐในปัจจุบันความหนาแน่นของการผลิตที่มีขนาดใหญ่
แรงดันไฟฟ้าซึ่งเป็นสาเหตุของการฉีดของอิเล็กตรอนจาก
ภูมิภาคอีซีแอลในภูมิภาค-p ฐานและด้วยเหตุนี้เปิดบนของ
NPN ทรานซิสเตอร์ เมื่อนี้เกิดขึ้น PNP ทรานซิสเตอร์จะเปลี่ยน
ที่และดังนั้นจึงทรานซิสเตอร์ปรสิตจะสลักขึ้นและ
ประตูสูญเสียการควบคุมในปัจจุบันนักสะสม
ภายใต้เงื่อนไขที่เปิดปิดแบบไดนามิกขนาดของ
หลุมด้านข้างเพิ่มขึ้นการไหลของกระแสและสลักขึ้นสามารถเกิดขึ้นได้ ที่
ต่ำกว่ากระแสในรัฐเมื่อเทียบกับสภาพคงที่
ทรานซิสเตอร์ปรสิตสลักขึ้นเมื่อผลรวมของปัจจุบัน
กำไร NPN และ PNP ทรานซิสเตอร์เกินหนึ่ง เมื่อ
แรงดันประตูถูกลบออกจาก IGBT ที่มีการอุปนัยบีบ
โหลดส่วนประกอบของมอสเฟตจะปิดและลด
ปัจจุบัน MOSFET เป็นศูนย์อย่างรวดเร็ว เป็นผลให้ drainsource
แรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วและการสนับสนุนจากทางแยก
ระหว่างภูมิภาค NY-ลอยและภูมิภาค-p ฐาน ดริฟท์
ในภูมิภาคมียาสลบล่างและชั้นพร่องจึง
ขยายมากขึ้นในภูมิภาคดริฟท์ ดังนั้นการได้รับในปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนของผู้ถือหุ้นส่วนน้อย ) ฉีดเข้าไปดริฟท์เขต
จากสะสมของ IGBT ไหลโดยตรงไปยังอีซี
Terminal มีประจุลบของอิเล็กตรอนในการผกผัน
ชั้นดึงดูดส่วนใหญ่ของหลุมและสร้างองค์ประกอบด้านข้าง
หลุมปัจจุบันผ่านตัวชั้นเป็นพี
แสดงในรูปที่ 7.10 . ปัจจุบันกระแสการพัฒนานี้แรงดันไฟฟ้า
ตกคร่อมความต้านทานการแพร่กระจายของ p-base ภูมิภาค
ซึ่งไปข้างหน้าอคติตัวส่งสัญญาณฐานชุมทางของ npnparasitic
BJT . โดยการออกแบบขนาดเล็กกระจายความต้านทาน
แรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าศักยภาพในตัวจึง
หลักพยาธิระหว่างหน้า - เขตสะสม , N -
ลอย p-base ÿภูมิภาค ภูมิภาค และเอ็นอีซี - ไม่ได้
สลักขึ้นค่าความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ในรัฐผลิตแรงดันขนาดใหญ่
ซึ่งสาเหตุการฉีดอิเล็กตรอนจากภูมิภาคในพื้นที่ p-base
อีซีจึงเปิดของ
NPN ทรานซิสเตอร์ เมื่อปัญหานี้เกิดขึ้นใน PNP ทรานซิสเตอร์จะเปิด
บนและดังนั้นหลักปรสิตจะสลักประตูและสูญเสียการควบคุมมากกว่าสะสม

ปัจจุบัน .ภายใต้เงื่อนไขแบบปิด ขนาดของรูไหลปัจจุบันเพิ่ม
ด้านข้างและสลักขึ้นสามารถเกิดขึ้นได้ลดลงในกระแสรัฐ
เมื่อเทียบกับสภาวะคงที่
ผู้บริหารปรสิตสลักขึ้นเมื่อผลรวมของกำไรปัจจุบัน
ของ NPN PNP ทรานซิสเตอร์และเกินกว่าหนึ่ง เมื่อ
แรงดันหลักจะถูกลบออกจาก IGBT ที่มี clamped อุปนัย
โหลดส่วนประกอบของมอสเฟตจะปิดและลด
MOSFET ปัจจุบันศูนย์อย่างรวดเร็ว ผล drainsource
แรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และได้รับการสนับสนุนโดยแยก
ระหว่าง N ÿภูมิภาคล่องลอยและ p-base ภูมิภาค ดริฟท์
ภูมิภาคที่มีลดการเติมและดังนั้นการทำลายชั้นบรรยากาศ
ขยายเพิ่มเติมในล่องลอย ) ดังนั้น ผลที่ได้รับในปัจจุบันของ