The P-type and N-type semiconductor

The P-type and N-type semiconductors of a peltier are made from Bismuth (Bi) and
Tellurium (Te), respectively. The intensities of free electrons of Bi and Te are different
at the same temperature even though both substances belong to the alloy group. As
illustrated in Figure 3, the P-type and N-type semiconductors are “sandwiched”
between two ceramic substrates and the semiconductors are of cube shape. The
arrangements of the P-type and N-type cubes are such that no P-type cube is adjacent to
an N-type cube and vice versa. The P-type cubes are electron-deficit whereas the
electrons of N-type cubes are in excess.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

P-type และเซมิคอนดักเตอร์ N-ชนิดของ Peltier จะทำจากบิสมัท (Bi)
และเทลลูเรียม(Te) ตามลำดับ ความเข้มของอิเล็กตรอนอิสระของ Bi และ Te
จะแตกต่างกันที่อุณหภูมิเดียวกันแม้ว่าสารทั้งสองอยู่ในกลุ่มโลหะผสม ในฐานะที่แสดงในรูปที่ 3 P-type และเซมิคอนดักเตอร์ N-ประเภทเป็น "แซนวิช" ระหว่างสองพื้นผิวเซรามิกและเซมิคอนดักเตอร์ที่มีรูปทรงลูกบาศก์ การเตรียมการของ P-type และก้อน N-ประเภทดังกล่าวว่าไม่มีก้อน P-ประเภทอยู่ติดกับก้อนN-ชนิดและในทางกลับกัน ก้อน P-ประเภทมีอิเล็กตรอนขาดดุลในขณะที่อิเล็กตรอนของก้อนN-ประเภทอยู่ในส่วนที่เกิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และสารกึ่งตัวนำที่พีทั่วไปของ Peltier ทำจากบิสมัท ( Bi ) และ
เทลลูเรียม ( Te ) ตามลำดับ ส่วนความเข้มของอิเล็กตรอนอิสระของ BI และ Te แตกต่างกัน
ที่อุณหภูมิเดียวกัน แม้ว่าสารทั้งสองอยู่ในกลุ่มโลหะผสม โดย
แสดงในรูปที่ 3 , และสารกึ่งตัวนำพีทั่วไป " แซนวิช "
ระหว่างสองพื้นผิวเซรามิกและเซมิคอนดักเตอร์มีก้อนรูปร่าง
และการเตรียมการของพีก้อนทั่วไปเช่นว่าไม่มีพีก้อนติดกัน

มีก้อนทั่วไป และในทางกลับกัน ส่วนพีก้อนเป็นอิเล็กตรอนและอิเล็กตรอนจากการนำก้อนอยู่ในทั่วไป

ส่วนที่เกิน