Also, P precipitations can enhance

Also, P precipitations can enhance the crystallization rate and grain growth. P dopants act as donors and compensate for the p-type poly-Si film, which is formed by Al doping during the AIC process. The hole concentration of undoped poly-Si is reduced by approximately three orders to 7 × 1012 cm−3. Such near-neutral poly-Si films could be applied as intrinsic (i) layers in p-i-n structures to explore solar cell applications. Also, the enhanced quality of P-doped AIC-Si increases the mobility by five times owing to reduced scattering and trap density.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ยัง P precipitations สามารถเพิ่มการตกผลึกเม็ดและอัตราเติบโต P dopants ทำหน้าที่เป็นผู้บริจาค และชดเชยสำหรับฟิล์มโพลีซีชนิด p ซึ่งเกิดขึ้น โดยอัลยาสลบระหว่างการพรต ความเข้มข้นของหลุมของโพลีจู undoped จะลดลงตามประมาณสามสั่ง 7 × 1012 cm−3 ใกล้กลางโพลีในภาพยนตร์ดังกล่าวอาจจะใช้ลักษณะเป็น (i) ชั้นในโครงสร้างของ p-i-n เพื่อสำรวจการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ได้ ยัง เพิ่มคุณภาพเจือ P AIC ในเพิ่มการเคลื่อนไหว โดยห้าครั้งเนื่องจากความหนาแน่นลดกระจายและกับดัก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ P ตะกอนสามารถเพิ่มอัตราการตกผลึกและการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าว P สารเจือทำหน้าที่เป็นผู้บริจาคและชดเชย P-ประเภทโพลีศรีภาพยนตร์ที่จะเกิดขึ้นโดยอัลยาสลบในระหว่างกระบวนการ AIC ความเข้มข้นของหลุมโคบอลต์โพลีศรีจะลดลงประมาณสามคำสั่งให้ 7 × 1012 CM-3 ใกล้เป็นกลางฟิล์มโพลีศรีดังกล่าวอาจจะนำไปใช้เป็นชั้นที่แท้จริง (i) ในโครงสร้างที่ขาในการสำรวจการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้การที่มีคุณภาพที่เพิ่มขึ้นของ P-เจือ AIC ศรีเพิ่มความคล่องตัวโดยห้าครั้งเนื่องจากการลดลงกระเจิงและความหนาแน่นของกับดัก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ยังพบตะกอนสามารถเพิ่มอัตราการตกผลึก และการเจริญเติบโตของเมล็ด p ในเป็นผู้บริจาคและชดเชยพีโพลีซี ฟิล์ม ซึ่งก่อตั้งโดยอัลยาสลบในระหว่างกระบวนการ AIC . ความเข้มข้นของโลหะในสารประกอบโพลีหลุมจังหวัดลดลงประมาณสามคำสั่ง 7 × 1012 cm − 3 เช่นใกล้เป็นกลางโพลีศรีภาพยนตร์สามารถใช้เป็นภายใน ( 1 ) เลเยอร์ในโครงสร้าง p-i-n สำรวจการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้ การเพิ่มคุณภาพของ p-doped AIC ศรีเพิ่มความคล่องตัวโดยห้าครั้ง เพราะการกระจายและความหนาแน่นของกับดัก