ZBSCM-–xCr2O3 varistors with enhanc

ZBSCM-–xCr2O3 varistors with enhanced nonlinear electrical properties: α=80.71, IL

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZBSCM--xCr2O3 วาริสเตอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าเชิงเส้นขั้นสูง: α = 80.71, IL < 0.1 สูงสุด Μa และ E1mA = 310.68V / mm ถูกประดิษฐ์ ด้วยวิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็งทั่วไป การเพิ่มของ Cr2O3 เกิดการเปลี่ยนแปลงของระยะรองจาก CrBi18O30/Co2Cr0.5Sb0.5O4 เพื่อ MnCr2O4 ที่ x = 0.5 นอกจากนี้ก็ยังพบว่า ขนาดเม็ดเฉลี่ยลดลง ด้วยการเพิ่มเนื้อหา Cr2O3 เป็นผลในการเพิ่มขึ้นของแรงดันพังทลาย บนมืออื่น ๆ ความหนาแน่นของผู้บริจาค (Nd) ลดลงจาก 2.91 x 1024 m-3 เป็น 1.05 x 1024 m-3 และสถานะของอินเทอร์เฟซ (Ns) มาถึงค่าสูงสุดของ 3.88 eV ที่ x = 0.5 แน่ชัด Cr2O3 ควบคุมการเจริญเติบโตของเกรนของ ZnO และนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงของระยะรอง มีศักยภาพใหญ่ที่อุปสรรคและไม่เชิงเส้นคุณสมบัติดีกว่าเนื่องจากการก่อตัวของอินเตอร์เผชิญสถานะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ZBSCM - xCr2O3 วาริสเตอร์ที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าที่เพิ่มขึ้นไม่เชิงเส้น: α = 80.71, IL <0.1 ​​ตและ E1mA = 310.68V / mm ถูกประดิษฐ์ผ่านทางวิธีการแบบเดิมปฏิกิริยาของรัฐที่มั่นคง นอกเหนือจาก Cr2O3 ก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงของขั้นตอนที่สองจาก CrBi18O30 / Co2Cr0.5Sb0.5O4 เพื่อ MnCr2O4 ที่ x = 0.5 นอกจากนี้ยังพบว่าขนาดของเมล็ดข้าวโดยเฉลี่ยลดลงด้วยการเพิ่มเนื้อหา Cr2O3 ที่มีผลในการเพิ่มแรงดันไฟฟ้าเสียด้วย ในทางตรงกันข้ามความหนาแน่นของผู้บริจาค (ND) ลดลงจาก 2.91 x 1024 M-3-1.05 x 1024 M-3 และรัฐอินเตอร์เฟซ (NS) มาถึงที่มีมูลค่าสูงสุดของ 3.88 eV ที่ x = 0.5 แน่ชัด Cr2O3 ควบคุมการเจริญเติบโตของข้าวซิงค์ออกไซด์และนำไปสู่​​การเปลี่ยนแปลงของขั้นตอนที่สองซึ่งจะส่งผลให้ปัญหาและอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นมีขนาดใหญ่และคุณสมบัติไม่เชิงเส้นที่ดีขึ้นเนื่องจากการสะสมของรัฐใบหน้าอินเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

zbscm - วาริสเตอร์มี 3 เส้น ( xcr2o3 ไฟฟ้า คุณสมบัติ : α = 80.71 , IL < 0.1 μและ e1ma = 310.68v/mm , ประดิษฐ์ผ่านของแข็งปฏิกิริยาแบบวิธี นอกเหนือจากการเปลี่ยนแปลงระยะมัธยม Cr2O3 ที่เกิดจาก crbi18o30 / co2cr0.5sb0.5o4 เพื่อ mncr2o4 ที่ x = 0.5 นอกจากนี้ยังพบว่า เมล็ดมีขนาดลดลง ด้วยการเพิ่มเนื้อหา Cr2O3 ซึ่งเป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของการแบ่งแรงดัน บนมืออื่น ๆ , ผู้บริจาคความหนาแน่น ( ND ) ลดลงจาก 2.91 x 1024 m-3 ถึง 1.05 x 1024 m-3 และอินเตอร์เฟซรัฐ ( NS ) มาถึงจุดสูงสุดของ 3.88 ค่า EV ที่ x = 0.5 ดังนั้น การควบคุมการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าว Cr2O3 ZnO และนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงระยะทุติยภูมิ ซึ่งผลลัพธ์ในขนาดใหญ่ที่มีศักยภาพและอุปสรรคดีกว่าเส้นคุณสมบัติเนื่องจากการก่อตัวของอินเตอร์หน้ารัฐ