Hot electron bolometerThe hot elect

Hot electron bolometer
The hot electron bolometer (HEB) operates at cryogenic temperatures, typically within a few degrees of absolute zero. At these very low temperatures, the electron system in a metal is weakly coupled to the phonon system. Power coupled to the electron system drives it out of thermal equilibrium with the phonon system, creating hot electrons.[6] Phonons in the metal are typically well-coupled to substrate phonons and act as a thermal reservoir. In describing the performance of the HEB, the relevant heat capacity is the electronic heat capacity and the relevant thermal conductance is the electron-phonon thermal conductance.
If the resistance of the absorbing element depends on the electron temperature, then the resistance can be used as a thermometer of the electron system. This is the case for bothsemiconducting and superconducting materials at low temperature. If the absorbing element does not have a temperature-dependent resistance, as is typical of normal (non-superconducting) metals at very low temperature, then an attached resistive thermometer can be used to measure the electron temperature.

Microwave measurement
A bolometer can be used to measure power at microwave frequencies. In this application, a resistive element is exposed to microwave power. A dc bias current is applied to the resistor to raise its temperature via Joule heating, such that the resistance is matched to the waveguide characteristic impedance. After applying microwave power, the bias current is reduced to return the bolometer to its resistance in the absence of microwave power. The change in the dc power is then equal to the absorbed microwave power. To reject the effect of ambient temperature changes, the active (measuring) element is in a bridge circuit with an identical element not exposed to microwaves; variations in temperature common to both elements do not affect the accuracy of the reading. The average response time of the bolometer allows convenient measurement of the power of a pulsed source.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bolometer ร้อนอิเล็กตรอนBolometer ร้อนอิเล็กตรอน (HEB) ทำงานที่อุณหภูมิอุณหภูมิ โดยทั่วไปภายในกี่องศาศูนย์สัมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำมากเหล่านี้ ระบบอิเล็กตรอนในโลหะนั้นอ่อนควบคู่กับระบบ phonon พลังงานควบคู่กับระบบอิเล็กตรอนไดรฟ์จากสมดุลความร้อนกับระบบ phonon สร้างอิเล็กตรอนร้อน [6] โฟนันส์ในโลหะปกติดีคู่กับโฟนันส์พื้นผิว และทำหน้าที่เป็นอ่างเก็บน้ำร้อน ในการอธิบายประสิทธิภาพของ HEB ความจุความร้อนที่เกี่ยวข้องคือ ความจุความร้อนอิเล็กทรอนิกส์ และการนำพาความร้อนที่เกี่ยวข้องเป็นการนำพาความร้อนอิเล็กตรอน phononถ้าความต้านทานขององค์ประกอบดูดซับขึ้นอยู่อุณหภูมิอิเล็กตรอนกับ แล้วความต้านทานสามารถใช้เป็นเครื่องวัดอุณหภูมิของระบบอิเล็กตรอน เป็นกรณีนี้สำหรับ bothsemiconducting และวัสดุตัวนำยิ่งยวดที่อุณหภูมิต่ำ ถ้าองค์ประกอบซึมไม่มีความต้านทานขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ เป็นของปกติ (ไม่ใช่ตัวนำยิ่งยวด) โลหะที่อุณหภูมิต่ำมาก แล้ววัดตัวต้านทานที่แนบสามารถใช้ในการวัดอุณหภูมิอิเล็กตรอนไมโครเวฟการวัดBolometer ที่ใช้ในการวัดกำลังไฟฟ้าที่ความถี่ไมโครเวฟ ในโปรแกรมนี้ องค์ประกอบตัวต้านทานมีสัมผัสกับพลังงานไมโครเวฟ มีใช้อคติ dc ปัจจุบันกับตัวต้านทานจะเพิ่มอุณหภูมิ ด้วยเครื่องทำความร้อน จูลเช่นที่ความต้านทานการจับคู่กับอิมพีแดนซ์ลักษณะออก หลังจากการใช้พลังงานไมโครเวฟ อคติปัจจุบันจะลดลงเป็น bolometer มาของความต้านทานของไฟฟ้าไมโครเวฟ การเปลี่ยนแปลงไฟฟ้ากระแสตรงจะเท่ากับพลังงานไมโครเวฟที่ดูดซึม การปฏิเสธผลของการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ องค์ประกอบใช้งาน (วัด) ที่มีในวงจรบริดจ์องค์เหมือนกันที่ไม่ได้สัมผัสกับไมโครเวฟ รูปแบบทั่วไปขององค์ประกอบทั้งสองอุณหภูมิไม่มีผลต่อความถูกต้องของการอ่าน เวลาตอบรับเฉลี่ยของ bolometer ช่วยให้การวัดพลังงานของแหล่งพัลสะดวก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

bolometer อิเล็กตรอนร้อน
อิเล็กตรอนร้อน bolometer (HEB) ดำเนินการที่อุณหภูมิแช่แข็งปกติภายในไม่กี่องศาของศูนย์แน่นอน ที่อุณหภูมิต่ำมากเหล่านี้ระบบอิเล็กตรอนในโลหะเป็นคู่ที่ไม่ค่อยไปยังระบบ phonon พลังงานควบคู่ไปกับระบบอิเล็กตรอนไดรฟ์มันออกมาจากสมดุลความร้อนกับระบบ phonon สร้างอิเล็กตรอนร้อน. [6] โฟนันส์ในโลหะมักจะดีควบคู่ไปกับพื้นผิวโฟนันส์และทำหน้าที่เป็นอ่างเก็บน้ำความร้อน ในการอธิบายการทำงานของ HEB, ความจุความร้อนที่เกี่ยวข้องเป็นความจุความร้อนอิเล็กทรอนิกส์และสื่อกระแสไฟฟ้าความร้อนที่เกี่ยวข้องเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าความร้อนอิเล็กตรอน phonon.
หากต้านทานขององค์ประกอบการดูดซับขึ้นอยู่กับอุณหภูมิอิเล็กตรอนแล้วความต้านทานสามารถใช้เป็น เครื่องวัดอุณหภูมิของระบบอิเล็กตรอน เป็นกรณีนี้สำหรับ bothsemiconducting และวัสดุตัวนำยิ่งยวดที่อุณหภูมิต่ำ ถ้าองค์ประกอบการดูดซับไม่ได้มีความต้านทานต่ออุณหภูมิขึ้นอยู่กับที่เป็นแบบฉบับของปกติโลหะ (Non-ยิ่งยวด) ที่อุณหภูมิต่ำมากแล้วที่แนบมาวัดอุณหภูมิทานสามารถใช้ในการวัดอุณหภูมิอิเล็กตรอน.

วัดไมโครเวฟ
bolometer สามารถนำมาใช้ การวัดพลังงานที่ความถี่ไมโครเวฟ ในโปรแกรมนี้เป็นองค์ประกอบทานสัมผัสกับพลังงานไมโครเวฟ DC แบบอคติปัจจุบันจะถูกนำไปใช้กับตัวต้านทานในการเพิ่มอุณหภูมิความร้อนที่ผ่านจูลเช่นว่าความต้านทานตรงกับลักษณะความต้านทานท่อนำคลื่น หลังจากใช้พลังงานไมโครเวฟ, อคติในปัจจุบันจะลดลงไปกลับ bolometer เพื่อต้านทานในกรณีที่ไม่มีพลังงานไมโครเวฟ การเปลี่ยนแปลงในอำนาจดีซีเป็นแล้วเท่ากับพลังงานไมโครเวฟดูดซึม ที่จะปฏิเสธผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิที่ใช้งาน (วัด) องค์ประกอบที่อยู่ในวงจรสะพานที่มีองค์ประกอบเหมือนกันไม่ได้สัมผัสกับไมโครเวฟ รูปแบบในอุณหภูมิปกติที่จะองค์ประกอบทั้งไม่ส่งผลกระทบต่อความถูกต้องของการอ่าน เวลาตอบสนองเฉลี่ยของ bolometer ช่วยให้สะดวกในการวัดพลังของแหล่งชีพจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

bolometer ร้อนอิเล็กตรอนการ bolometer ร้อนอิเล็กตรอน ( ฮีบรู ) ทำงานที่อุณหภูมิแช่แข็ง โดยทั่วไปภายในไม่กี่องศาสัมบูรณ์ . ที่อุณหภูมิต่ำมากเหล่านี้อิเล็กตรอนระบบโลหะเป็น weakly ควบคู่กับระบบ Phonon . อำนาจควบคู่กับระบบอิเล็กตรอนไดรฟ์ออกสมดุลความร้อนกับระบบ Phonon สร้างอิเล็กตรอนร้อน [ 6 ] โฟนอนในโลหะมักจะดีคู่กับพระราชบัญญัติ ( โฟนอน และเป็นแหล่งความร้อน ในการอธิบายการทำงานของ Heb , ความจุความร้อนคือความร้อนที่อิเล็กทรอนิกส์และระบบที่เกี่ยวข้องคือความจุความร้อนอิเล็กตรอน Phonon ความนำความร้อน .ถ้าความต้านทานของการดูดซับธาตุขึ้นอยู่กับอุณหภูมิอิเล็กตรอนแล้วความต้านทานสามารถใช้เป็นเครื่องวัดอุณหภูมิของระบบอิเล็กตรอน เป็นกรณีนี้สำหรับ bothsemiconducting อะตอมและวัสดุที่อุณหภูมิต่ำ ถ้าดูดธาตุไม่ได้ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิความต้านทาน เป็นปกติของปกติ ( ไม่ใช่อะตอม ) โลหะที่อุณหภูมิต่ำมาก แล้วแนบ Resistive เครื่องวัดอุณหภูมิที่สามารถใช้ในการวัดอุณหภูมิอิเล็กตรอน .การวัดไมโครเวฟเป็น bolometer สามารถใช้วัดพลังงานที่ความถี่ไมโครเวฟ ในโปรแกรมนี้เป็นองค์ประกอบของความต้านทานตาก ไมโครเวฟ อำนาจ DC bias ปัจจุบันใช้ตัวต้านทานจะเพิ่มอุณหภูมิที่ผ่านความร้อนจูล เช่นว่า ความต้านทานคือการจับคู่กับท่อนำคุณลักษณะอิมพีแดนซ์ . หลังจากใช้ ไมโครเวฟ อำนาจ อคติในปัจจุบันจะลดลงกลับ bolometer ความต้านทานในการขาดงานของไมโครเวฟพลังงาน เปลี่ยนไฟ DC จะเท่ากับดูดกลืนไมโครเวฟพลังงาน ปฏิเสธผลของการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิใช้งาน ( วัด ) เป็นธาตุในวงจรบริดจ์ มีองค์ประกอบที่เหมือนกันไม่ได้สัมผัสกับไมโครเวฟ ; การเปลี่ยนแปลงในอุณหภูมิทั่วไปทั้งองค์ประกอบที่ไม่ส่งผลกระทบต่อความถูกต้องของการอ่าน เฉลี่ยเวลาในการตอบสนองของ bolometer ช่วยให้สะดวกในการวัดพลังของพัลแหล่ง