These two layers are separated by a

These two layers are separated by a magnetic junction
tunnel (MTJ) as a carrier. If they are not parallel, MTJ
resistivity is high and used to code “1”; if they are parallel,
MTJ incurs low resistivity which is coded as “0”. The cell is
accessed by an NMOS transistor that is connected to the wordline
and
bit-line
(Figure
1).
As
the
resistance
difference
between
these
two
states is large,
applying
a small
voltage

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นสองเหล่านี้จะถูกคั่น ด้วยทางแม่เหล็กอุโมงค์ (MTJ) เป็นผู้ขนส่ง ถ้าพวกเขาจะไม่ขนาน MTJ มีความต้านทานสูง และใช้รหัส "1" ถ้าขนาน MTJ ต่อความต้านทานต่ำซึ่งจะมีกำหนดเป็น "0" เป็นเซลล์เข้าถึงได้ โดยมีทรานซิสเตอร์ NMOS ที่เชื่อมต่อกับ wordlineและสายบิต(รูป1)เป็นที่ความต้านทานความแตกต่างระหว่างเหล่านี้สองอเมริกามีขนาดใหญ่นำไปใช้ขนาดเล็กแรงดันไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทั้งสองชั้นถูกแยกออกจากสถานีชุมทางแม่เหล็กอุโมงค์ (MTJ- สนามบิน) เป็นผู้ให้บริการ
หากพวกเขาจะไม่ขนาน, MTJ
ต้านทานสูงและใช้รหัส "1"; หากพวกเขาเป็นคู่ขนาน
MTJ เกิดความต้านทานต่ำซึ่งเป็นรหัสว่า "0" เซลล์จะเข้าถึงได้โดยทรานซิสเตอร์ NMOS ที่จะเชื่อมต่อกับ Wordline และบิตสาย(รูปที่1). ในฐานะที่เป็นต้านทานความแตกต่างระหว่างเหล่านี้สองรัฐที่มีขนาดใหญ่ใช้ขนาดเล็กแรงดันไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทั้งสองชั้นจะแยกจากกันโดยอุโมงค์ชุมทาง
แม่เหล็ก ( mtj ) เป็นพาหะ ถ้าพวกเขาจะไม่ขนาน mtj
ความต้านทานสูงและใช้รหัส " 1 " ; ถ้าพวกเขาจะขนาน
mtj incurs ต่ำความต้านทานซึ่งเป็นรหัสเป็น " 0 " เซลล์คือ
เข้าถึงโดย nmos ทรานซิสเตอร์ที่เชื่อมต่อกับที่นํา

สายบิตและตัวเลข (
1 )



เป็นความต้านทานแตกต่าง



ระหว่างสองรัฐเหล่านี้มีขนาดใหญ่
การใช้แรงดันเล็กน้อย