The device model we have investigat

The device model we have investigated and fabricated in this study is illustrated in Figure 1. Comb electrodes are formed at the tip of a cantilever structure with a spring constant kz that vibrates in the out-of-plane direction (z-direction). Because both the upper and lower movements of the movable comb electrode equally cause a decrease of the overlapping area between the comb electrodes, the capacitance should be represented by an even function of the displacement z. Therefore, in this work, we modeled the capacitance by a Gaussian function form as

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โมเดลอุปกรณ์ที่เราตรวจสอบและประดิษฐ์ขึ้นในการศึกษานี้แสดงไว้ในรูปที่ 1 อิเล็กโทรดแบบหวีถูกสร้างขึ้นที่ส่วนปลายของโครงสร้างคานยื่นที่มีค่าคงที่สปริง kz ซึ่งจะสั่นสะเทือนในทิศทางออกนอกระนาบ (ทิศทาง z) เนื่องจากการเคลื่อนไหวทั้งด้านบนและด้านล่างของอิเล็กโทรดหวีแบบเคลื่อนย้ายได้ทำให้พื้นที่ทับซ้อนกันระหว่างอิเล็กโทรดหวีลดลงเท่ากัน ความจุควรแสดงด้วยฟังก์ชันคู่ของการกระจัด z ดังนั้นในงานนี้ เราจึงจำลองความจุด้วยรูปแบบฟังก์ชันเกาส์เซียนเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แบบจำลองอุปกรณ์ที่เราศึกษาและผลิตในการศึกษานี้แสดงในรูปที่ 1 อิเล็กโทรดหวีเกิดขึ้นที่ปลายของโครงสร้างคานเท้าแขนที่มีค่าคงที่สปริง kz ซึ่งสั่นสะเทือนในทิศทางด้านนอกของระนาบ (ทิศทาง z) เนื่องจากการเคลื่อนที่ขึ้นและลงของอิเล็กโทรดหวีที่เคลื่อนย้ายได้จะนำไปสู่การลดพื้นที่ทับซ้อนระหว่างอิเล็กโทรดหวีดังนั้นความจุควรแสดงด้วยฟังก์ชันคู่ของการกระจัด z ดังนั้นในงานนี้เราจึงสร้างแบบจำลองความจุในรูปแบบของฟังก์ชันเกาส์เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปแบบอุปกรณ์ที่เราศึกษาและผลิตในการศึกษานี้แสดงในรูปที่1 ขั้วไฟฟ้ารูปหวีถูกสร้างขึ้นที่ปลายของโครงสร้างเพลาที่มีค่าคงที่ของสปริงที่สั่นสะเทือนในทิศทางด้านนอก( z-ทิศทาง) เนื่องจากการเคลื่อนที่ขึ้นและลงของขั้วไฟฟ้าหวีแบบถอดได้จะส่งผลให้พื้นที่ทับซ้อนกันระหว่างขั้วไฟฟ้าหวีลดลงตัวเก็บประจุควรจะแสดงโดยฟังก์ชันคู่ของการเคลื่อนที่z ดังนั้นในบทความนี้เราจะสร้างแบบจําลองความจุโดยใช้ฟังก์ชันGaussianดังนี้