IMPact Avalanche Transit Time diode

IMPact Avalanche Transit Time diode is a high power radio frequency (RF) generator operating from 3 to 100 gHz. IMPATT diodes are fabricated from silicon, gallium arsenide, or silicon carbide.

An IMPATT diode is reverse biased above the breakdown voltage. The high doping levels produce a thin depletion region. The resulting high electric field rapidly accelerates carriers which free other carriers in collisions with the crystal lattice. Holes are swept into the P+ region. Electrons drift toward the N regions. The cascading effect creates an avalanche current which increases even as voltage across the junction decreases. The pulses of current lag the voltage peak across the junction. A “negative resistance” effect in conjunction with a resonant circuit produces oscillations at high power levels (high for semiconductors).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอดเวลาส่งต่อของหิมะถล่มผลกระทบเป็นเครื่องกำเนิดความถี่วิทยุ (RF) พลังงานสูงการปฏิบัติ 3 การ 100 gHz ไดโอดได้ IMPATT fabricated จากซิลิคอน arsenide แกลเลียม หรือซิลิคอนไฮไดรด์ไดโอด IMPATT ได้กลับลำเอียงข้างแบ่งแรงดันไฟฟ้า ระดับ doping สูงผลิตภูมิภาคบางจนหมด สนามไฟฟ้าสูงได้อย่างรวดเร็วช่วยเร่งสายการบินซึ่งสายการบินอื่น ๆ ในตามด้วยโครงตาข่ายประกอบคริสตัลฟรี หลุมจะกวาดเข้ามาในภูมิภาค P + อิเล็กตรอนดริฟท์ต่อภูมิภาค N มีผลเกี่ยวข้องสร้างหิมะถล่มปัจจุบันที่เพิ่มขึ้นแม้ในขณะที่ลดแรงดันผ่านแยก พัลส์ของกระแสล่าช้าสูงสุดแรงข้ามแยก ผลเป็น "ความต้านทานเป็นลบ" ร่วมกับวงจร resonant ให้แกว่งในระดับพลังงานที่สูง (สูงสำหรับอิเล็กทรอนิกส์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลกระทบไดโอดถล่มขนส่งเวลาเป็นคลื่นความถี่วิทยุพลังงานสูง (RF) เครื่องกำเนิดไฟฟ้าปฏิบัติการ 3-100 GHz ไดโอดกรวยที่ประดิษฐ์จากซิลิกอน, แกลเลียม arsenide หรือคาร์ไบด์ซิลิกอน. ไดโอดกรวยจะลำเอียงกลับด้านบนแรงดันไฟฟ้าเสีย ระดับสูงยาสลบผลิตภูมิภาคพร่องบาง ส่งผลให้สนามไฟฟ้าที่สูงขึ้นอย่างรวดเร็วเร่งให้บริการฟรีซึ่งให้บริการอื่น ๆ ในการชนกับผลึกตาข่าย หลุม swept เป็นภูมิภาค P + อิเล็กตรอนดริฟท์ที่มีต่อภูมิภาคยังไม่มี ผล cascading สร้างหิมะถล่มในปัจจุบันที่เพิ่มขึ้นแม้ในขณะที่แรงดันในชุมทางลดลง ชีพจรของความล่าช้าในปัจจุบันแรงดันไฟฟ้าสูงสุดข้ามทางแยก "ความต้านทานเชิงลบ" ผลร่วมกับวงจรเรโซแนนผลิตแนบแน่นในระดับพลังงานสูง (สูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลกระทบต่อการขนส่งทลายเวลาไดโอดเป็นวิทยุความถี่สูง ( RF ) เครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานจาก 3 100 GHz impatt ไดโอดจะประดิษฐ์จากซิลิคอนแกลเลียมอาร์เซไนด์ หรือ ซิลิคอนคาร์ไบด์

เป็น impatt ไดโอดกลับลำเอียงข้างต้นแบ่งแรงดัน สูงระดับการผลิตเขตของบางผลของสนามไฟฟ้าเร่งความเร็วสูงอย่างรวดเร็ว ผู้ที่ฟรีอื่น ๆผู้ให้บริการในการชนกับผลึกตาข่าย หลุมที่ถูกกวาดเข้า P ) อิเล็กตรอนลอยต่อ N ภูมิภาค ที่ Cascading ผลสร้างหิมะถล่มปัจจุบันที่เพิ่มขึ้นแม้ในขณะที่แรงดันไฟฟ้าข้ามทางแยกลดลง ชีพจรของร่างกายปัจจุบันแรงดันไฟฟ้าสูงสุดใน Junction" ต้านทาน " ลบต่อร่วมกับวงจรเรโซแนนซ์ผลิตการสั่นที่ระดับพลังงานสูง ( สูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ )