Fig. 11. Dependence of resistivity,

Fig. 11. Dependence of resistivity, carrier concentration, and Hall mobility on ZnO:B films
deposited with various (100 − x)ZnO–xB2O3 targets.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 11 ความต้านทานไฟฟ้า ความเข้มข้นของสายการบิน และจำนวนหอพึ่งฟิล์ม ZnO:Bฝากไว้กับต่าง ๆ (100 − x) เป้าหมาย ZnO – xB2O3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 11. พึ่งพาอาศัยกันของความต้านทานความเข้มข้นของผู้ให้บริการและความคล่องตัวในฮอลล์ ZnO: ภาพยนตร์ B
ฝากไว้กับต่าง ๆ (100 - x) เป้าหมาย ZnO-xB2O3