Black multicrystalline silicon has

Black multicrystalline silicon has been successfully
fabricated by plasma immersion ion implantation (PIII).
A defect removal etching (DRE) process with different
conditions has been taken subsequently. The height and
density of nanohills on the surface decrease with increase
in etching time. The surface reflectance of all the wafers
decreases with increase in height and density of nanohills.
All the wafers with different etching conditions have been
made for solar cells. The IQE of cells with a DRE process
shows a large improvement than that without a DRE
process, owing to decrease in surface recombination and
plasma etching defect. Besides, solar cells dealt with the
DRE process show a better performance than that without
theDRE process and that by acid textured solar cells. The
best performance of solar cells shows the conversion
efficiency, open circuit voltage and short circuit current
density as high as 17.46%, 623 mV and 35.99 mA/cm2
,
respectively, of which the condition of DRE process is
NaNO2/HF/H2O (6.4 g:10 ml:240 ml) with etching time of
20 min.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิกอนมัลติดำได้รับการประสบความสำเร็จในการประดิษฐ์โดยฝังไอออนแช่พลาสม่า (PIII). แกะสลักกำจัดข้อบกพร่อง (DRE) กระบวนการที่แตกต่างกันกับเงื่อนไขที่ได้รับภายหลัง ความสูงและความหนาแน่นของ nanohills บนพื้นผิวที่ลดลงกับการเพิ่มขึ้นในเวลาที่แกะสลัก สะท้อนพื้นผิวของเวเฟอร์ทั้งหมดที่ลดลงตามการเพิ่มขึ้นของความสูงและความหนาแน่นของ nanohills. เวเฟอร์ทั้งหมดที่มีเงื่อนไขการแกะสลักที่แตกต่างกันได้รับการทำสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ IQE ของเซลล์ที่มีกระบวนการ DRE แสดงให้เห็นถึงการปรับปรุงที่มีขนาดใหญ่กว่าโดยไม่ต้อง DRE กระบวนการเนื่องจากการลดลงของการรวมตัวกันพื้นผิวและพลาสม่าข้อบกพร่องการแกะสลัก นอกจากนี้เซลล์แสงอาทิตย์จัดการกับกระบวนการ DRE แสดงผลการดำเนินงานดีกว่าว่าไม่มีกระบวนการtheDRE และกรดพื้นผิวเซลล์แสงอาทิตย์ ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดของเซลล์แสงอาทิตย์แสดงให้เห็นถึงการแปลงที่มีประสิทธิภาพแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดและลัดวงจรปัจจุบันความหนาแน่นสูงถึง17.46%, 623 mV และ 35.99 mA / cm2, ตามลำดับซึ่งสภาพของกระบวนการ DRE เป็นNaNO2 / HF / H2O (6.4 g: 10 มล. 240 มล.) ที่มีการแกะสลักของเวลา20 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอน multicrystalline สีดำเรียบร้อยแล้ว
ประดิษฐ์โดยการปลูกฝังไอออนแช่พลาสมา ( piii ) .
ข้อบกพร่องการแกะสลัก ( DRE ) กระบวนการที่มีเงื่อนไขแตกต่างกัน
ได้ในภายหลัง ความสูงและความหนาแน่นของ nanohills

บนพื้นผิวลดลงในการเพิ่มเวลา พื้นผิวสะท้อนของเวเฟอร์
ลดลงด้วยเพิ่มความสูงและความหนาแน่นของ nanohills .
ทั้งหมดรับกับเงื่อนไขที่แตกต่างกันได้รับการกัด
สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ การ iqe เซลล์ด้วยกระบวนการเดร์
แสดงการปรับปรุงขนาดใหญ่กว่าที่ไม่มีกระบวนการเดร์
เนื่องจากการลดลงในพื้นผิวและ
พลาสมาแกะสลัก ข้อบกพร่อง นอกจากนี้ เซลล์แสงอาทิตย์ได้รับ
กระบวนการ Dre แสดงประสิทธิภาพได้ดีกว่า โดยไม่มีกระบวนการ thedre
และกรดพื้นผิวเซลล์แสงอาทิตย์
ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดของเซลล์แสงอาทิตย์แสดงการแปลง
ประสิทธิภาพ เปิดวงจรแรงดันไฟฟ้าและกระแสลัดวงจร
ความหนาแน่นสูงเท่าที่ตนเอง % , 623 MV และ 35.99 MA / cm2

ตามลำดับ ซึ่งเงื่อนไขของกระบวนการเดร์เป็น
nano2 / HF / H2O ( 6.4 กรัม 240 มล. 10 ml : : ) กัดกรด เวลาของ
20 นาที