The collimation slit, double-slit,

The collimation slit, double-slit, and mask were made by FIB milling into three 100 nmthin
silicon-nitride membrane windows. The FIB milling was performed on a 30 keV Ga+
system (FEI Strata 200xp). After milling, each membrane was coated with approximately 2 nm
of gold. The double-slit consists of two 62-nm-wide slits with a center-to-center separation of
272 nm (see inset 1 in figure 1). Each slit is 4μm tall and has a 150 nm support midway along its
height. The mask is 4.5μm wide ×10μm tall (see inset 2 in figure 1), and was placed 240μm
away from the double-slit. The mask was held securely in a frame that could slide back and
forth and was controlled by a piezoelectric actuator. For a more detailed description of the setup
and analysis see supplementary information.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Collimation การ กรีด สลิตคู่ และหน้ากากทำ โดยโลตอแหลกัดเข้าสาม 100 nmthinซิลิกอนไนไตรด์เยื่อ windows ทำการกัดโลตอแหลบน 30 keV Ga +ระบบ (FEI ชั้น 200xp) หลังจากกัด เมมเบรนแต่ละเคลือบประมาณ 2 นาโนเมตรทอง สองช่องสลิต 62 nm ทั้งสองประกอบ ด้วยศูนย์ศูนย์แบ่งแยก272 nm (ดูแทรกที่ 1 ในรูปที่ 1) แต่ละร่อง 4μm สูง และมีมิดเวย์สนับสนุน nm 150 พร้อมของสูง หน้ากากคือ 4.5μm 10μm กว้าง×สูง (ดูแทรกที่ 2 ในรูปที่ 1), และวาง 240μmอยู่ห่างจากสลิตคู่ รูปแบบการจัดขึ้นอย่างปลอดภัยในกรอบที่สามารถเลื่อนกลับ และไว้ และถูกควบคุม โดยตัวกระตุ้นที่ชั่น สำหรับรายละเอียดเพิ่มเติมของการตั้งค่าและวิเคราะห์ดูรายละเอียดเพิ่มเติม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แผล collimation สองช่องและหน้ากากที่ทำโดย FIB โม่เป็นสาม 100 nmthin
ซิลิกอนไนไตรด์หน้าต่างเมมเบรน โม่ FIB ได้ดำเนินการใน 30 keV Ga +
ระบบ (FEI ชั้น 200xp) หลังจากกัดแต่ละเมมเบรนที่ถูกเคลือบด้วยนาโนเมตรโดยประมาณ 2
ทอง double-ร่องประกอบด้วยสองช่อง 62 นาโนเมตรกว้างกับการแยกศูนย์เพื่อเป็นศูนย์กลางของ
272 นาโนเมตร (ดูภาพประกอบ 1 ในรูปที่ 1) แต่ละช่องเป็น4μmสูงและมีการสนับสนุนตรงกลาง 150 นาโนเมตรพร้อมของ
ความสูง หน้ากากเป็น4.5μmกว้าง×10μmสูง (ดูภาพประกอบที่ 2 ในรูปที่ 1) และถูกนำมาวาง240μm
ห่างจากคู่ร่อง หน้ากากถูกจัดขึ้นอย่างปลอดภัยในกรอบที่สามารถเลื่อนกลับและ
ออกมาและถูกควบคุมโดยตัวกระตุ้น piezoelectric สำหรับรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับการตั้งค่า
และการวิเคราะห์ดูข้อมูลเพิ่มเติม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนการล่าถอยเชือดคู่เชือด และหน้ากาก สร้างโดยพรางกัดออกเป็นสาม 100 nmthinซิลิคอนไนไตรด์แผ่น Windows การพรางกัดคือใช้ 30 + เคฟการะบบ ( เฟย ชั้น 200xp ) หลังจากกัดแผ่น ถูกเคลือบด้วยประมาณ 2 นาโนเมตรของทอง ร่องคู่ประกอบด้วยสอง 62 nm กว้าง slits กับศูนย์ กับ ศูนย์การ272 nm ( ดูภาพประกอบ 1 ในรูปที่ 1 ) แต่ละช่องเป็น 4 μเมตรสูงและได้ 150 nm สนับสนุนตาม มิดเวย์ความสูง หน้ากากเป็น 4.5 μ m ×กว้าง 10 μเมตรสูง ( ดูภาพประกอบที่ 2 ในรูปที่ 1 ) และอยู่ที่ 240 μม.ห่างจากสลิตคู่ หน้ากากที่จัดขึ้นอย่างปลอดภัยในกรอบที่สามารถเลื่อนกลับและออกมาและถูกควบคุมโดย piezoelectric actuator . สำหรับรายละเอียดเพิ่มเติมของการติดตั้งและการวิเคราะห์ดูข้อมูลเพิ่มเติม