The remainder of this paper is orga

The remainder of this paper is organized as follows. Section II give a brief overview about the principle structure and
electrical parameter of metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) in order to facilitate the readability of the rest of the paper. Section III, IV, V, VI, and VII discuss in detail the physical, material, power-thermal, technological,
and economical challenges of CMOS technology, respectively. Section VIII suggests potential non-CMOS nanodevices that
are able to solve CMOS limitations. Finally, Section IX concludes the paper.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนเหลือของเอกสารนี้มีการจัดระเบียบดังนี้ ส่วนที่สองให้อธิบายภาพรวมเกี่ยวกับโครงสร้างหลัก และ
ไฟฟ้าพารามิเตอร์ของโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำฟิลด์–ผล transistors (MOSFETs) เพื่อช่วยในการอ่านของกระดาษ ส่วน III, IV, V, VI และหารือในรายละเอียดทางกายภาพ วัสดุ ไฟฟ้าความ ร้อน เทคโนโลยี VII
และความประหยัดของเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ ส่วน VIII แนะนำอาจไม่ใช่ CMOS nanodevices ที่
สามารถแก้ข้อจำกัดของ CMOS สุดท้าย IX ส่วนสรุปกระดาษ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่เหลือของบทความนี้มีการจัดระเบียบดังต่อไปนี้ ส่วนครั้งที่สองให้ภาพรวมคร่าวๆเกี่ยวกับโครงสร้างหลักการและ
พารามิเตอร์ไฟฟ้าของโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำทรานซิสเตอร์สนามผล (MOSFETs) เพื่ออำนวยความสะดวกในการอ่านของส่วนที่เหลือของกระดาษ มาตรา III, IV, V, VI และ VII หารือในรายละเอียดทางกายภาพ, วัสดุ, พลังงานความร้อนเทคโนโลยี
และความท้าทายทางเศรษฐกิจของเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ มาตรา VIII แสดงให้เห็นศักยภาพ nanodevices CMOS ไม่ว่า
จะสามารถแก้ข้อ จำกัด CMOS สุดท้ายมาตราทรงเครื่องสรุปกระดาษ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนที่เหลือของบทความนี้คือการจัดดังนี้ มาตรา 2 ให้อธิบายภาพรวมเกี่ยวกับหลักการโครงสร้างและพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์
field-effect ทรานซิสเตอร์ ( สอด ) เพื่อความสะดวกในการอ่านส่วนที่เหลือของกระดาษ ส่วนที่ III , IV , V , VI , VII หารือในรายละเอียดทางกายภาพ , วัสดุ , พลังงานความร้อน , เทคโนโลยี ,
และความท้าทายทางเศรษฐกิจเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ ส่วนที่ 8 แสดงให้เห็นศักยภาพที่ไม่ nanodevices CMOS
สามารถแก้ปัญหาที่มีข้อจำกัด ในที่สุด , มาตรา 9
สรุปกระดาษ