Surface roughness on lapped work is

Surface roughness on lapped work is usually interpreted as the result of the generation of chips. It is desirable to convert the extra energy, supplied to make chips, into heat energy to be removed with the chips. However, such energy is actually kept in the lapped surface in the form of strain, stress, and damaged layers. No divergence occurs in the relation between chip generation and surface toughness. In lapping hard and brittle materials such as glass, the presence of plastic deformation on a top surface layer, microcrack toward the inside, and plastic and elastic deformations at the extension of such cracks have been detected. These issues have been clarified by lapping single crystals such as quartz and silicon. [12] and [14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความหยาบผิวงานสวยมักจะได้รับการตีความเป็นผลของการสร้างชิ เป็นแปลงพลังงานเสริม ให้ทำชิ เป็นพลังงานความร้อนออก ด้วยชิปสมควร อย่างไรก็ตาม พลังงานดังกล่าวจะถูกเก็บไว้จริงในผิว lapped ในแบบฟอร์มต้องใช้ ความเครียด และชั้นเสียหาย ไม่ divergence เกิดขึ้นในความสัมพันธ์ระหว่างการสร้างชิพและนึ่งผิว ในวัสดุที่แข็ง และเปราะเช่นแก้วซัดสาด สถานะของแมพพลาสติกบนผิวชั้นบนสุด microcrack ต่อภายใน และ deformations พลาสติก และยืดหยุ่นที่ขยายรอยแตกดังกล่าวพบ ปัญหาเหล่านี้มีการขึ้ โดยซัดสาดเดี่ยวผลึกควอตซ์และซิลิคอน [12] และ [14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พื้นผิวที่ขรุขระในการทำงานซัดมักถูกตีความว่าเป็นผลมาจากรุ่นของชิป เป็นที่พึงประสงค์ในการแปลงพลังงานพิเศษที่จัดมาเพื่อให้ชิปเป็นพลังงานความร้อนจะถูกลบออกที่มีชิป อย่างไรก็ตามการใช้พลังงานดังกล่าวจะถูกเก็บไว้จริงในพื้นผิวเลียในรูปแบบของความเครียดความเครียดและชั้นที่เสียหาย ไม่มีความแตกต่างที่เกิดขึ้นในความสัมพันธ์ระหว่างรุ่นชิปและความทนทานพื้นผิว ในการขัดอย่างหนักและวัสดุเปราะเช่นแก้ว, การปรากฏตัวของการเสียรูปพลาสติกในชั้นผิวด้านบน microcrack ไปยังภายในและพลาสติกและรูปร่างยืดหยุ่นในการขยายตัวของรอยแตกดังกล่าวได้รับการตรวจพบ ปัญหาเหล​​่านี้ได้รับการชี้แจงโดยขัดผลึกเดียวเช่นควอทซ์และซิลิกอน [12] และ [14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความขรุขระพื้นผิวที่ซัดทำงานมักจะตีความเป็นผลของรุ่นของชิป มันเป็นที่พึงปรารถนาที่จะแปลงพลังงานพิเศษ มาเพื่อให้ชิปเป็นพลังงานความร้อนจะถูกลบออกด้วยชิป อย่างไรก็ตาม พลังงานดังกล่าวจะถูกเก็บไว้ในซัดพื้นผิวในรูปแบบของความเครียด ความเครียด และความเสียหายที่ชั้นไม่มีความแตกต่างเกิดขึ้นในความสัมพันธ์ระหว่างรุ่นชิปและความทนทานพื้นผิว ในการห่อหุ้มแข็งและเปราะ วัสดุเช่นแก้ว , การแสดงตนของการเสียรูปพลาสติกบนชั้นผิวด้านบน microcrack ต่อภายใน และการเปลี่ยนรูปพลาสติกและยืดหยุ่นขยายรอยแตกดังกล่าวถูกตรวจพบปัญหาเหล่านี้ได้มีการห่อหุ้มผลึกเดี่ยว เช่น ควอตซ์ และซิลิคอน [ 12 ] และ [ 14 ]