Etching 10 min with a current of 10

Etching 10 min with a current of 100 mA (1.14 mA/mm2)
produced a surface with ~5 lm wide furrows of up to 5 lm depth around the grains (Rz = 9.8 lm) (Fig. 2). The
furrow depth was measured by SEM analysis of a polished
section. Applying a current of 200 mA (2.28 mA/mm2) for
10 min produced a very rough (Rz = 15.8 lm), granulated
surface (Fig. 3). In order to get detailed information about
the selectivity of the etching process in dependence of the
applied current, polished sections were made of stents
etched with different currents and etching times. The
parameters were chosen in a way that the furrow depth is
smaller than half the grain perimeter, so that detachment of
grains is avoided. From each stent strut the average length
of the five longest crevices were measured, as well as the
thickness loss of the strut. The ratio of the average of the
furrow depth plus the thickness loss to the thickness loss
was regarded as an index for the selectivity of the etching
process. Interestingly it was found that the selectivity does
not vary significantly (Fig. 4) within the measured range of
50 mA (0.57 mA/mm2) to 800 mA (9.12 mA/mm2). This
observation is in contrast to former grain boundary etching
models where the U/I curve of grain boundaries and matrix
is assumed as illustrated in Fig. 1. According to this model
a high selectivity could only be achieved in a small range
of voltage, where the current curve has a high slope.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แกะสลัก 10 นาทีกับกระแส 100 mA (1.14 mA/มม 2 ได้ภาย)ผลิตพื้นผิวกับ lm ~ 5 กว้าง furrows ของความลึกของ lm ถึง 5 รอบเกรน (Rz = 9.8 lm) (Fig. 2) ที่ความลึก furrow ถูกวัด โดยวิเคราะห์ SEM ของที่สวยงามส่วนการ ใช้กระแส 200 mA (2.28 mA/มม 2 ได้ภาย) สำหรับ10 นาทีผลิตหยาบมาก (Rz = 15.8 lm), ทรายพื้นผิว (Fig. 3) เพื่อรับข้อมูลรายละเอียดเกี่ยวกับวิธีการกัดในการพึ่งพาของการทำส่วนปัจจุบัน ขัดใช้ stentsแกะสลัก ด้วยกระแสที่แตกต่างกันและเวลากัด ที่พารามิเตอร์ที่ถูกเลือกในลักษณะที่ความลึก furrowมีขนาดเล็กกว่าครึ่งเม็ดขอบเขต ให้ถอดลูกกุญแจหลีกเลี่ยงแป้ง จาก stent แต่ละเสาค้ำความยาวเฉลี่ยของ crevices ห้าถูกวัด ตลอดจนสูญเสียความหนาของป๋อนี้ อัตราส่วนของค่าเฉลี่ยของการความลึก furrow บวกความสูญเสียการสูญเสียความหนาไม่ถือว่าเป็นดัชนีสำหรับวิธีของการกัดกระบวนการ เรื่องน่าสนใจพบว่า วิธีที่ไม่ไม่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ (Fig. 4) ภายในวัดช่วง50 mA (0.57 mA/มม 2 ได้ภาย) ถึง 800 mA (9.12 mA/มม 2 ได้ภาย) นี้สังเกตจะตรงข้ามกับกัดขอบเม็ดเดิมรุ่น U / ฉันเส้นโค้งของขอบเขตของเมล็ดข้าวและเมตริกซ์สันนิษฐานดังที่แสดงใน Fig. 1 ตามแบบจำลองนี้เพียงได้รับความใวสูงมีขนาดเล็กของแรงดัน ที่โค้งปัจจุบันมีความลาดชันสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพ 10 นาทีกับกระแสมา 100 ( 1.14 MA / แน่น )
ผลิตพื้นผิว ~ 5 furrows ของ LM ที่กว้างถึง 5 โดยความลึกรอบธัญพืช ( RZ = 9.8 LM ) ( รูปที่ 2 )
ร่องความลึกวัดจากการวิเคราะห์ SEM ของส่วนสวยงาม

การใช้ปัจจุบันของ MA 200 ( 2.28 MA / แน่น )
10 นาทีผลิตหยาบมาก ( RZ = 15.8 LM )
ผิวทราย ( รูปที่ 3 ) เพื่อที่จะได้รับข้อมูลรายละเอียดเกี่ยวกับ
การเลือกเกิดของกระบวนการกัดในการใช้ปัจจุบันของ
ขัดส่วนที่ทำจากขดลวด กระแสที่แตกต่างกันและแกะสลัก
กัดด้วยเวลา
พารามิเตอร์ที่ถูกเลือกในทางที่เป็นร่องลึก
เล็กกว่าครึ่งเม็ดปริมณฑลเพื่อให้กองของ
ธัญพืชจะหลีกเลี่ยง จากแต่ละปีป๋อความยาวเฉลี่ย
ในห้าวัดยาวใหญ่ ,เช่นเดียวกับ
หนาการสูญเสียของป๋อ อัตราส่วนของค่าเฉลี่ยของร่องลึกบวกกับความหนา

คือการสูญเสียสูญเสียความหนาถือว่าเป็นดัชนีสำหรับการเลือกเกิด etching
กระบวนการ ทั้งนี้พบว่า การทำ
ไม่แตกต่างกันทางสถิติ ( รูปที่ 4 ) ภายในวัดช่วง
มา 50 ( 0.57 MA / แน่น ) มา 800 ( 9.12 MA / แน่น ) นี้
การสังเกตเป็นในทางตรงกันข้ามกับอดีตขอบเกรนภาพ
รุ่นที่ U / ฉันโค้งของขอบเขตของเมล็ดพืชและเมทริกซ์
ถือว่าตามที่แสดงในรูปที่ 1 ตามรูปแบบนี้การเลือกสูง สามารถทำได้ใน
ช่วงเล็ก ๆจากแรงดันไฟฟ้าที่โค้ง ปัจจุบันมีความลาดชันสูง