Even though Si showed the least str

Even though Si showed the least stress, it can-not be utilized as the base of the sensor because it forms a lowresistive path between the top and bottom electrodes. Good insula-tion properties, high strength, high melting point, minimum stressdifference, and favorable nucleation site make Al2O3a promisingmaterial for the bottom electrode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แม้ว่าศรีแสดงให้เห็นว่าความเครียดน้อยที่สุด มันไม่สามารถนำไปใช้เป็นฐานของการเซ็นเซอร์แบบ lowresistive เส้นทางระหว่างหุงตด้านบนและด้านล่าง คุณสมบัติดี insula-สเตรชัน แรงสูง จุดหลอมเหลวสูง stressdifference ต่ำสุด และไซต์ nucleation อันทำให้ promisingmaterial Al2O3a การไฟฟ้าด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แม้ว่าศรีแสดงให้เห็นว่าความเครียดอย่างน้อยก็ไม่สามารถนำมาใช้เป็นฐานของเซ็นเซอร์เพราะมันเป็นเส้นทางที่ lowresistive ระหว่างขั้วไฟฟ้าบนและด้านล่าง คุณสมบัติฉนวน-การที่ดีมีความแข็งแรงสูงจุดหลอมเหลวสูงขั้นต่ำ stressdifference และเว็บไซต์ที่ดีทำให้นิวเคลียส promisingmaterial Al2O3a สำหรับขั้วด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แม้ว่าจังหวัดมีความเครียดน้อยที่สุด จึงไม่สามารถใช้เป็นฐานของเซ็นเซอร์เพราะมันเป็นเส้นทาง lowresistive ระหว่างขั้วไฟฟ้าที่ด้านบนและด้านล่าง tion ดีอินซูล่าสมบัติความแข็งแรงสูงจุดหลอมเหลว stressdifference ขั้นต่ำ และมงคล ขนาดไซต์ให้ al2o3a promisingmaterial สำหรับขั้วล่าง