Memory cells are etched onto a sili

Memory cells are etched onto a silicon wafer in an array of columns (bitlines) and rows (wordlines). The intersection of a bitline and wordline constitutes the address of the memory cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซลล์หน่วยความจำจะถูกฝังลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในอาร์เรย์ของคอลัมน์ (bitlines) และแถว (wordlines) จุดตัดของ bitline และ Wordline ถือว่าเป็นที่อยู่ของเซลล์หน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์หน่วยความจำที่สลักลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในคอลัมน์ (bitlines) และแถว (wordlines) ของ bitline และ wordline ถืออยู่ของเซลล์หน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หน่วยความจำมีเซลล์ที่เป็นรอยสลักลงบนแผ่นซิลิกอนที่อยู่ในความหลากหลายของเสาหิน( bitlines )และแถว( wordlines ) จุดตัดทางแยกของ wordline และ bitline ถือเป็นแอดเดรสของหน่วยความจำที่เซลล์