The introduction of Cu and low-k di

The introduction of Cu and low-k dielectrics
has incrementally improved the situation as compared to the
conventional Al/SiO2 technology by reducing both resistivity
and capacitance between wires.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การแนะนำของ Cu และ dielectrics k ต่ำมีการปรับปรุงแบบเพิ่มหน่วยในสถานการณ์เมื่อเทียบกับการเทคโนโลยี อัล/SiO2 โดยการลดความต้านทานทั้งสองและความจุระหว่างสาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การแนะนำของ Cu และ dielectrics ต่ำ K
ได้ดีขึ้นแบบค่อยเป็นค่อยไปสถานการณ์เมื่อเทียบกับ
การชุมนุมเทคโนโลยี AL / SiO2 ทั้งโดยการลดความต้านทาน
และความจุระหว่างสาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การแนะนำของทองแดง และ low-k ไดมีแบบเพิ่มหน่วยปรับปรุงสถานการณ์ เปรียบเทียบกับปกติล / SiO2 เทคโนโลยีโดยลดความต้านทานและความจุระหว่างสาย