The target gas interacts with the s

The target gas interacts with the surface of the metal oxide film (generally through surface adsorbed oxygen ions), which results in a change in charge carrier concentration of the material. This change in charge carrier concentration serves to alter the conductivity (or resistivity,) of the material. An n-type semiconductor is one where the majority charge carriers are electrons, and upon interaction with a reducing gas an increase in conductivity occurs. Conversely, an oxidising gas serves to deplete the sensing layer of charge carrying electrons, resulting in a decrease in conductivity. A p-type semiconductor is a material that conducts with positive holes being the majority charge carriers; hence, the opposite effects are observed with the material and showing an increase in conductivity in the presence of an oxidising gas (where the gas has increased the number of positive holes). A resistance increase with a reducing gas is observed, where the negative charge introduced in to the material reduces the positive (hole) charge carrier concentration.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก๊าซเป้าหมาย interacts กับพื้นผิวของฟิล์มออกไซด์โลหะ (โดยทั่วไปผ่านผิวซับออกซิเจนไอออน), ผลการเปลี่ยนแปลงค่าความเข้มข้นของผู้ขนส่งของวัสดุ เปลี่ยนแปลงค่าความเข้มข้นของผู้ให้บริการในการเปลี่ยนแปลงการนำไฟฟ้า (หรือความต้านทานไฟฟ้า,) ของวัสดุ สารกึ่งตัวนำชนิด n ที่เป็นหนึ่งในผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายส่วนใหญ่จะอิเล็กตรอน และ เมื่อการโต้ตอบด้วยแก๊สลดการเพิ่มขึ้นของค่าการนำไฟฟ้าเกิดขึ้น ก๊าซการออกทำหน้าที่เพื่อทหารชั้นของการตรวจวัดค่าแบกอิเล็กตรอน เป็นผลในการลดลงของค่าการนำไฟฟ้า สารกึ่งตัวนำชนิด p ที่เป็นวัสดุที่ทำ ด้วยหลุมบวกเป็นผู้ที่ให้บริการค่าธรรมเนียมส่วนใหญ่ ด้วยเหตุนี้ สังเกตผลตรงข้ามกับวัสดุ และแสดงการเพิ่มขึ้นในการนำไฟฟ้าในก๊าซออก (ที่ก๊าซได้เพิ่มจำนวนของหลุมบวก) การเพิ่มความต้านทาน ด้วยแก๊สลดลงเป็นที่สังเกต ที่ประจุลบที่นำมาใช้ในวัสดุลดบวก (หลุม) ค่าความเข้มข้นของผู้ขนส่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก๊าซเป้าหมายโต้ตอบกับพื้นผิวของฟิล์มออกไซด์ของโลหะ (โดยทั่วไปผ่านพื้นผิวดูดซับออกซิเจนไอออน) ซึ่งจะส่งผลให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในความเข้มข้นของค่าใช้จ่ายของผู้ให้บริการของวัสดุ การเปลี่ยนแปลงในความเข้มข้นของค่าใช้จ่ายของผู้ให้บริการนี​​้จะทำหน้าที่ปรับเปลี่ยนการนำ (หรือความต้านทาน) ของวัสดุ รูป n สารกึ่งตัวนำชนิดเป็นหนึ่งในผู้ให้บริการที่มีค่าใช้จ่ายส่วนใหญ่เป็นอิเล็กตรอนและเมื่อมีปฏิสัมพันธ์กับก๊าซลดการเพิ่มขึ้นของการนำเกิดขึ้น ตรงกันข้ามก๊าซออกซิไดซ์ทำหน้าที่ในการตรวจจับหมดสิ้นลงชั้นของค่าใช้จ่ายในการดำเนินการอิเล็กตรอนที่มีผลในการลดลงของการนำ P-สารกึ่งตัวนำชนิดเป็นวัสดุที่ดำเนินการในเชิงบวกที่มีรูเป็นผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายส่วนใหญ่นั้น ดังนั้นผลกระทบที่จะสังเกตเห็นตรงข้ามกับวัสดุและแสดงให้เห็นการเพิ่มขึ้นของการนำในการปรากฏตัวของก๊าซออกซิไดซ์ (ที่ก๊าซได้เพิ่มจำนวนของหลุมบวกน) เพิ่มขึ้นต้านทานกับก๊าซลดเป็นที่สังเกตที่ประจุลบนำมาใช้ในวัสดุที่ช่วยลดการบวก (หลุม) ความเข้มข้นของค่าใช้จ่ายของผู้ให้บริการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก๊าซเป้าหมายปฏิสัมพันธ์กับพื้นผิวของโลหะออกไซด์ฟิล์ม ( โดยทั่วไปผ่านพื้นผิวดูดซับออกซิเจนไอออน ) ซึ่งทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในค่าใช้จ่ายขนส่งปริมาณของวัสดุที่ การเปลี่ยนแปลงนี้ในระดับผู้ให้บริการคิดค่าบริการปรับเปลี่ยนค่าหรือค่าความต้านทาน ) ของวัสดุ เป็นสารกึ่งตัวนำทั่วไปเป็นหนึ่งที่ส่วนใหญ่แล้วผู้ให้บริการคืออิเล็กตรอน และเมื่อปฏิสัมพันธ์กับการลดก๊าซที่เพิ่มขึ้นในความเกิดขึ้น ในทางกลับกัน การ oxidising ใช้แก๊สจะหมดสิ้นลงจากชั้นไม่ถืออิเล็กตรอน ส่งผลให้ลดการนำ เป็นสารกึ่งตัวนำเป็นวัสดุพีที่ทําด้วยหลุมบวกเป็นส่วนใหญ่คิดค่าบริการผู้ให้บริการ ดังนั้น ผล ตรงข้าม สังเกต กับวัสดุ และแสดงการเพิ่มขึ้นของการนำในการแสดงตนของ oxidising ก๊าซ ( ซึ่งก๊าซได้เพิ่มขึ้น จำนวนหลุมบวก ) เพิ่มความต้านทานด้วยการลดก๊าซที่พบ ซึ่งประจุลบใช้กับวัสดุลดบวก ( รู ) คิดค่าขนส่งความเข้มข้น