The ZnO sol-gel spin-coating method

The ZnO sol-gel spin-coating method is a combination of two techniques applied to produce thin nanostructured ZnO films: The sol-gel technique consists of the preparation, under defined conditions, of a ZnO solution from the mixture of a ZnO precursor [Zn(CH3COO)2·2H2O: zinc acetate dehydrate] and a solvent (2-methoxyethanol) with the addition of a stabilizing substance (ethanola-mine). The clear transparent colloidal solution thus obtained, containing suspended ZnO nanoparticles, is de-posited on the surface of a substrate by the spin-coating technique [1-4]. Nanostructured ZnO films prepared by this method have been used as photo-electrodes in DSSC fabrication [5,6], but low efficiencies were recorded compared to TiO2-based DSSCs. However, the deposi-tion of a ZnO layer on the surface of a nanoporous TiO2 film to improve the DSSC photovoltaic properties is an active issue in the context related to surface treatment of TiO2 photo-electrodes by thin metal oxide films [7-11]. Kao et al. [12] employed the sol-gel spin-coating method to prepare TiO2 and ZnO spin-coated TiO2 electrodes for DSSCs. Multilayer coating was applied to TiO2 to reach the required thickness and a monolayer of ZnO was applied to spin-coat the TiO2 film. All the photovoltaic parameters were increased upon ZnO spin-coating, result-ing in the promotion of the power conversion efficiency η from 2.5% to 3.25%. In this paper, we use the sol-gel technique to prepare ZnO solutions of 5 different pre-cursor concentrations (0.1, 0.2, 0.3 and 0.4 M). An amount of 5 drops from each solution is used to deposit a ZnO layer on the TiO2 photo-electrode surface by spin- coating. The measured efficiency of the associated DSSC shows a variation with the ZnO precursor concentration, exhibiting a maximum at 0.1 M, beyond which it shows a sharp decrease to 0%. It is explained that this optimal amount of the deposited ZnO forms the thinnest layer that can create the required energy barrier to reduce the rate of back-recombination of electrons to dye molecules and electrolyte species, enhancing the photocurrent with- out affecting the dye-adsorption efficiency of the TiO2 film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีการหมุนเคลือบลเจ ZnO เป็นการรวมกันของเทคนิคที่สองใช้ในการผลิตฟิล์มบาง nanostructured ZnO: โซลเจลเทคนิคประกอบด้วยการเตรียม ภายใต้เงื่อนไขที่กำหนดไว้ ของ ZnO จากส่วนผสมของสารตั้งต้นของ ZnO [Zn (CH3COO) 2·2H2O: สังกะสี acetate คาย] และตัวทำละลาย (2 methoxyethanol) กับการเพิ่มของสารฟเฟกต์ (ethanola-เหมือง) โปร่งใสชัดเจน colloidal จึง รับ นาโนถูกระงับ ZnO เป็น de-posited บนผิวกับพื้นผิว โดยเทคนิคการหมุนเคลือบ [1-4] ฟิล์ม Nanostructured ZnO ที่เตรียม โดยวิธีนี้มีการใช้อิเล็กโทรดภาพใน DSSC ประดิษฐ์ [5,6], แต่บันทึกประสิทธิภาพต่ำเมื่อเทียบกับ DSSCs ที่ใช้ TiO2 อย่างไรก็ตาม deposi-ทางการค้าของ ZnO ชั้นบนผิวฟิล์ม TiO2 เพื่อปรับปรุงคุณสมบัติของเซลล์แสงอาทิตย์ DSSC nanoporous มีปัญหาใช้งานอยู่ในบริบทที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพื้นผิวของ TiO2 ภาพขั้ว โดยฟิล์มบางโลหะออกไซด์ [7-11] เขา et al. [12] ใช้วิธีหมุนเคลือบลเจเตรียม TiO2 และ ZnO หมุนเคลือบ TiO2 อิเล็กโทรดสำหรับ DSSCs Multilayer TiO2 ถึงหนาจำเป็น monolayer ของ ZnO ใช้เคลือบกับสปินเสื้อ TiO2 ฟิล์ม พารามิเตอร์เซลล์แสงอาทิตย์ทั้งหมดได้เพิ่มขึ้นเมื่อ ZnO หมุนเคลือบ ผล-ing ในโปรโมชั่นของการพลังงานแปลงประสิทธิภาพηจาก 2.5% เป็น 3.25% ในกระดาษนี้ เราใช้เทคนิคโซลเจลเพื่อเตรียมแก้ ZnO 5 แตกก่อนเคอร์เซอร์ความเข้มข้น (0.1, 0.2, 0.3 และ 0.4 M) จำนวน 5 หยดน้ำจากแต่ละโซลูชันใช้ฝากชั้น ZnO บนพื้นผิวอิเล็กโทรดภาพ TiO2 โดยหมุนเคลือบ วัดประสิทธิภาพของ DSSC เกี่ยวข้องแสดงความผันแปรกับ ZnO สารตั้งต้นความเข้มข้น แสดงสูงสุดที่ 0.1 M นอกเหนือจากที่แสดงลดลงคมชัด% 0 จะมีอธิบายว่า จำนวน ZnO ฝากนี้เหมาะสมที่สุดเป็นชั้นที่บางที่สุดที่สามารถสร้างอุปสรรคจำเป็นต้องใช้พลังงานเพื่อลดอัตราการกลับมารวมตัวกันของอิเล็กตรอนการย้อมโมเลกุลและอิเล็กโทรไลท์พันธุ์ เพิ่มการ photocurrent กับออกผลต่อประสิทธิภาพการดูดซับสีย้อมของฟิล์ม TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ZnO โซลเจลวิธีการสปินเคลือบคือการรวมกันของทั้งสองเทคนิคที่ใช้ในการผลิตภาพยนตร์อิเล็กทรอนิคส์ ZnO บาง: เทคนิคโซลเจลประกอบด้วยการเตรียมการภายใต้เงื่อนไขที่กำหนดไว้ของการแก้ปัญหาซิงค์ออกไซด์จากส่วนผสมของสารตั้งต้นซิงค์ออกไซด์ [Zn (CH3COO) 2 · 2H2O: สังกะสี acetate Dehydrate] และตัวทำละลาย (2 methoxyethanol) ด้วยนอกเหนือจากสารเสถียรภาพ (ethanola เหมือง) ชัดเจนการแก้ปัญหาคอลลอยด์โปร่งใสจึงได้มีการระงับอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ถูกยกเลิก posited บนพื้นผิวของพื้นผิวด้วยเทคนิคปั่นเคลือบ [1-4] ภาพยนตร์อิเล็กทรอนิคส์ซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมโดยวิธีการนี​​้ได้ถูกนำมาใช้เป็นภาพขั้วไฟฟ้าในการผลิต DSSC [5,6] แต่ประสิทธิภาพต่ำที่ถูกบันทึกไว้เมื่อเทียบกับ DSSCs TiO2-based อย่างไรก็ตาม deposi-การของชั้นซิงค์ออกไซด์บนพื้นผิวของฟิล์ม TiO2 nanoporous เพื่อปรับปรุงคุณสมบัติ DSSC ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ที่มีปัญหาการใช้งานในบริบทที่เกี่ยวข้องกับพื้นผิวของ TiO2 ภาพโดยขั้วไฟฟ้าฟิล์มออกไซด์ของโลหะบาง ๆ [7-11] . Kao, et al [12] ลูกจ้างโซลเจลสปินวิธีการเคลือบเพื่อเตรียมความพร้อม TiO2 และ ZnO ปั่นเคลือบขั้วไฟฟ้า TiO2 สำหรับ DSSCs เคลือบหลายชั้นถูกนำไปใช้ TiO2 ในการเข้าถึงความหนาที่ต้องการและ monolayer ของซิงค์ออกไซด์ถูกนำมาใช้ในการหมุนเสื้อฟิล์ม TiO2 ทุกพารามิเตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ที่ได้รับเพิ่มขึ้นจากการหมุนซิงค์ออกไซด์เคลือบผลไอเอ็นจีในโปรโมชั่นของการแปลงพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพηจาก 2.5% เป็น 3.25% ในบทความนี้เราจะใช้เทคนิคโซลเจลเพื่อเตรียมความพร้อมการแก้ปัญหาการซิงค์ออกไซด์ความเข้มข้น 5 ก่อนเคอร์เซอร์ที่แตกต่างกัน (0.1, 0.2, 0.3 และ 0.4 M) จำนวน 5 หยดจากแต่ละวิธีการแก้ปัญหาจะใช้ในการฝากชั้นซิงค์ออกไซด์บนพื้นผิว TiO2 ภาพขั้วโดยเคลือบ spin- วัดประสิทธิภาพของ DSSC ที่เกี่ยวข้องแสดงให้เห็นรูปแบบที่มีความเข้มข้น ZnO สารตั้งต้นที่การแสดงสูงสุดที่ 0.1 M เกินกว่าที่มันแสดงให้เห็นถึงการลดลงเหลือ 0% มันจะมีการอธิบายที่ว่านี้จำนวนที่เหมาะสมของ ZnO ฝากรูปแบบชั้นบางที่สุดที่สามารถสร้างอุปสรรคพลังงานที่จำเป็นในการลดอัตราการกลับตัวกันอีกครั้งของอิเล็กตรอนจะย้อมโมเลกุลชนิดและอิเล็กโทรไลเพิ่ม photocurrent ปราศจากผลกระทบต่อการย้อมการดูดซับ ประสิทธิภาพของฟิล์ม TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การซิงค์ออกไซด์ด้วยวิธีเคลือบหมุนคือการรวมกันของทั้งสองเทคนิคที่ใช้ในการผลิตฟิล์มบาง ZnO nanostructured : เทคนิคโซล - เจล ประกอบด้วย การเตรียมการ ภายใต้เงื่อนไขที่กำหนดของสารละลายซิงค์ออกไซด์จากส่วนผสมของซิงค์ออกไซด์สารตั้งต้น [ Zn ( ch3coo ) 2 ด้วย 2H2O-dx : ซิงค์อะซิเตตอบแห้ง ) และตัวทำละลาย ( 2-methoxyethanol ) กับ สารเพิ่มเสถียรภาพ ( ethanola เหมือง ) ชัดเจน โปร่งใส จึงได้ระงับคอลลอยด์ที่มีอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ คือ เดอ ตั้งบนพื้นผิวของพื้นผิวโดยเทคนิคเคลือบหมุน [ 1-4 ] nanostructured ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมโดยวิธีนี้ได้ถูกใช้เป็นรูปขั้ว DSSC ในการประดิษฐ์ [ 5 , 6 ] , แต่ประสิทธิภาพต่ำที่ถูกบันทึกไว้เมื่อเทียบกับ ) ตาม dsscs . อย่างไรก็ตาม เ tion ของ ZnO ชั้นบนพื้นผิวของฟิล์ม TiO2 nanoporous ปรับปรุง DSSC แสงอาทิตย์ คุณสมบัติคือ ปัญหางานในบริบทที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพื้นผิวของขั้วไฟฟ้าฟิล์มโลหะออกไซด์ TiO2 โดยบางรูป [ 7-11 ] เก่า et al . [ 12 ] ที่ใช้เคลือบด้วยซิงค์ออกไซด์ TiO2 ปั่นวิธีการเตรียมและการปั่นเคลือบ TiO2 อิเลคโทรดสำหรับ dsscs . ใช้เคลือบหลายชั้น ) ถึงต้องเป็นอย่างหนาของซิงค์ออกไซด์ถูกนำมาใช้เพื่อปั่นเคลือบ TiO2 ฟิล์ม ทั้งหมดค่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์เพิ่มขึ้นเมื่อเคลือบสังกะสีปั่นผลไอเอ็นจีในการส่งเสริมประสิทธิภาพการใช้พลังงานηจาก 2.5% 3.25 % ในกระดาษนี้เราใช้เทคนิคโซล - เจลเพื่อจัดเตรียมโซลูชั่นของซิงค์ออกไซด์ 5 ต่างพรีเคอร์เซอร์ความเข้มข้น 0.1 , 0.2 , 0.3 และ 0.4 M ) จํานวน 5 หยดจากแต่ละโซลูชั่นที่ใช้ฝากรูปเลเยอร์บนซิงค์ออกไซด์ TiO2 electrode พื้นผิวโดยการปั่น - เคลือบ วัดประสิทธิภาพของการเปลี่ยนแปลงที่เกี่ยวข้องกับซิงค์ออกไซด์ DSSC แสดงความเข้มข้นสารตั้งต้น , exhibiting สูงสุดที่ 0.1 เมตร เกิน ซึ่งมันแสดงให้เห็นการลดลงคมชัดใน 0 % จะอธิบายว่า จำนวนที่เหมาะสมของเงิน ZnO รูปแบบชั้นบางที่สุดที่สามารถสร้างพลังงานที่ใช้กั้นเพื่อลดอัตราการกลับมาของอิเล็กตรอนในโมเลกุลสีและอิเล็กโทรไลต์ชนิดเพิ่มบูบูด้วย - ออกมีผลต่อประสิทธิภาพการดูดซับสีย้อมของ TiO2 ฟิล์ม