The transistor was fabricated with

The transistor was fabricated with 0.5-μm gate length and
300-μm gate width (30 fingers with 10-μm gate width per
finger). The lateral diffusion of n-well is around 0.2 μm, so the
effective gate length is about 0.3 μm. The I–V characteristics of
the transistor are shown in Fig. 2. The maximum available drain
current Ids is 150 mA at a Vgs of 3.5 V. An 11.6-V breakdown
voltage is obtained from varying the drain voltage while the
gate is fixed at 3.5 V, as is shown in the inset of Fig. 2. The
leakage current of the device is 14.5 pA/μm when Vds is 5 V
and Vgs is 0 V. Also, we obtained ON-state resistance from the
slope of the linear region of output characteristic curve with
maximum Vgs and a small Vds (0.1 V). The extracted value is
3.8 Ω · mm. To test the stability, the transistor was stressed on
maximum Vds and Vgs for 24 h. No obvious dc performance
degradation was observed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทรานซิสเตอร์ถูกหลังสร้างความยาว 0.5-μm ประตู และความกว้างประตู 300-μm (30 นิ้วกว้างประตู 10-μm ต่อนิ้วมือ) แพร่ด้านข้างดี n เป็น 0.2 μm เพื่อความยาวผลประตูคือเกี่ยวกับ 0.3 μm ลักษณะ – V ของทรานซิสเตอร์จะแสดงใน Fig. 2 ท่อระบายน้ำพร้อมใช้งานสูงสุดรหัสปัจจุบันเป็น 150 mA ที่เป็น Vgs V 3.5 แบ่งเป็น 11.6 Vแรงดันไฟฟ้าที่ได้รับจากแตกต่างกันที่แรงดันท่อระบายน้ำในขณะประตูจะคงที่ 3.5 V ดังที่แสดงในแทรก 2 Fig. ที่กระแสรั่วไหลของอุปกรณ์คือ ป่า μm 14.5 เมื่อ Vds 5 Vและ Vgs เป็น 0 V ยัง เราได้รับสถานะในการต้านทานจากการความชันของเส้นขอบเขตของผลลัพธ์ลักษณะโค้งสูงสุด Vgs และ Vds เล็ก (0.1 V) ค่าแยกเป็น·Ω 3.8 มม. การทดสอบความมั่นคง ทรานซิสเตอร์จะถูกเน้นบนVds และ Vgs ใน 24 ชม ประสิทธิภาพไม่ชัด dcสลายตัวถูกดำเนินการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทรานซิสเตอร์ประดิษฐ์ที่มีความยาวประตู 0.5 ไมครอนและ
ความกว้างของประตู 300 ไมครอน (30 นิ้วที่มีความกว้างประตู 10 ไมครอนต่อ
นิ้ว) การแพร่กระจายด้านข้าง n-ดีอยู่ที่ประมาณ 0.2 ไมครอนดังนั้น
ระยะเวลาในประตูที่มีประสิทธิภาพเป็นประมาณ 0.3 ไมโครเมตร ลักษณะ I-V ของ
ทรานซิสเตอร์จะถูกแสดงในรูป 2. ท่อระบายน้ำสูงสุดที่มีอยู่
ในปัจจุบันหมายเลข 150 mA ที่ Vgs 3.5 โวลต์ 11.6 V สลาย
แรงดันไฟฟ้าที่ได้มาจากท่อระบายน้ำแรงดันที่แตกต่างกันในขณะที่
ประตูถูกกำหนดไว้ที่ 3.5 V เป็นที่แสดงให้เห็นในสิ่งที่ใส่เข้าไปในรูป 2.
รั่วไหลของกระแสของอุปกรณ์เป็น 14.5 pA / ไมโครเมตรเมื่อ Vds เป็น 5 V
และ Vgs เป็น 0 โวลต์นอกจากนี้เรายังได้รับความต้านทาน ON-ของรัฐจาก
ความลาดชันของพื้นที่เชิงเส้นของเส้นโค้งลักษณะการส่งออกที่มี
สูงสุด Vgs และ Vds ขนาดเล็ก (0.1 V) สกัดเป็นมูลค่า
3.8 Ω·มิลลิเมตร เพื่อทดสอบความมั่นคงทรานซิสเตอร์ถูกเน้น
สูงสุด Vds และ Vgs เวลา 24 ชั่วโมง ไม่มีผลการดำเนินงานที่ชัดเจน dc
ย่อยสลายเป็นที่สังเกต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทรานซิสเตอร์ถูกประดิษฐ์ด้วย 0.5 - μ M ประตูความยาว
300 - μ M ประตูกว้าง ( 30 นิ้วกับ 10 - μ M ประตูกว้างต่อ
นิ้ว ) การแพร่กระจายการμะประมาณ 0.2 M ,
ความยาวประตูมีประสิทธิภาพประมาณ 0.3 เมตร ผมμ– V ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์จะแสดงในรูปที่ 2 สูงสุดของท่อระบายน้ำ
ปัจจุบันรหัส 150 ma ที่ 3.5 V เป็น 11.6-v วีจีเแบ่ง
แรงดันไฟฟ้าที่ได้จากการระบายแรงดันในขณะที่
ประตูเป็นแบบคงที่ 3.5 V ตามที่แสดงในที่ใส่ของรูปที่ 2
กระแสรั่วไหลของอุปกรณ์ระดับ PA / μเมื่อ VDS 5 V
วีจีเเป็น 0 โวลต์ และนอกจากนี้เราได้รับสภาพต้านทานจากความชันของพื้นที่เชิงเส้น

โค้งลักษณะของผลผลิตสูงสุด และด้วยวีจีเเล็ก VDS ( 0.1 V ) แยกค่า
Ωด้วย 3.8 มิลลิเมตรเพื่อทดสอบความมั่นคง ทรานซิสเตอร์ คือเน้น
VDS สูงสุดและวีจีเ เป็นเวลา 24 ชั่วโมง ไม่มีประสิทธิภาพการย่อยสลายชัดเจน DC
)