Advanced HEXFET® Power MOSFETs from

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้นสูงHEXFET® MOSFETs ไฟฟ้าจากนานาชาติ
Rectifier ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ในระดับต่ำมากในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอน ผลประโยชน์นี้
รวมกับความเร็วในการเปลี่ยนอย่างรวดเร็วและทนทาน
การออกแบบอุปกรณ์ที่ MOSFETs พลังงาน HEXFET เป็นอย่างดี
ที่รู้จักสำหรับให้นักออกแบบที่มีประสิทธิภาพมาก
อุปกรณ์และเชื่อถือได้สำหรับการใช้งานในหลากหลายของการใช้งาน.
แพคเกจ TO-220 เป็นที่ต้องการอย่างกว้างขวางสำหรับ ทุก
การใช้งานในเชิงพาณิชย์อุตสาหกรรมที่กระจายอำนาจ
ระดับประมาณ 50 วัตต์ ความร้อนต่ำ
ต้านทานและค่าใช้จ่ายต่ำของแพคเกจ TO-220 มีส่วนร่วม
ที่จะได้รับการยอมรับกว้างทั่วทั้งอุตสาหกรรม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้นสูง hexfet ®มอสเฟตกำลังจากวงจรเรียงกระแสระหว่างประเทศ
ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ต่ำมากในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอน ประโยชน์นี้
รวมกับเปลี่ยนความเร็วอย่างรวดเร็วและ ruggedized
การออกแบบอุปกรณ์ที่ hexfet มอสเฟตกำลังดี
รู้จักให้นักออกแบบที่มีประสิทธิภาพมากและเชื่อถือได้สำหรับใช้ในอุปกรณ์

ที่หลากหลายของการใช้งานการ to-220 แพคเกจสามารถที่ต้องการสำหรับการใช้งานพาณิชย์อุตสาหกรรมพลังงานกระจาย

ระดับประมาณ 50 วัตต์
ความร้อนต่ำความต้านทานต่ำและต้นทุนบรรจุภัณฑ์ของ to-220 มีส่วนร่วม
ให้กว้างยอมรับทั่วทั้งอุตสาหกรรม