CuO contained in Cu-TiO2/GFis also

CuO contained in Cu-TiO2/GF
is also a semiconductor material with a band gap energy around
1.7 eV (top of valence band
≈−6.66 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

CuO ใน Cu-TiO2/GFเป็นวัสดุสารกึ่งตัวนำกับพลังงานเป็นช่องว่างของวงรอบ1.7 eV (ด้านบนของแถบเวเลนซ์≈−6.66 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกไซด์ที่มีอยู่ใน Cu-TiO2 / GF
ยังเป็นวัสดุสารกึ่งตัวนำที่มีช่องว่างแถบพลังงานรอบ
1.7 eV
(ด้านบนของวงจุ≈-6.66 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 ( ที่มีอยู่ใน cu-tio2 / GF
เป็นวัสดุสารกึ่งตัวนำที่มีช่องว่างแถบพลังงานรอบ
1.7 EV ( ด้านบนของเวเลนซ์แบนด์
≈− 6.66 EV