The first solid‐state field‐effect

The first solid‐state field‐effect transistor has been fabricated utilizing a film of an organic macromolecule, polythiophene, as a semiconductor. The device characteristics have been optimized by controlling the doping levels of the polymer. The device is a normally off type and the source (drain) current can be modulated by a factor of 102–103 by varying the gate voltage. The carrier mobility and the transconductance have also been determined to be ∼10− 5 cm2/V s and 3 nS, respectively, by means of electrical measurements.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Field‐effect ทรานซิสเตอร์แรกของ solid‐state ได้ถูกประดิษฐ์ใช้ฟิล์มของสมควรเป็นอินทรีย์ polythiophene เป็นสารกึ่งตัวนำที่ ลักษณะของอุปกรณ์ได้รับการปรับปรุง โดยการควบคุมระดับยาสลบของพอลิ อุปกรณ์เป็นชนิดปกติปิด และแหล่งที่มา (ระบาย) ปัจจุบันสามารถสันทัด โดยปัจจัยที่ 102 – 103 โดยแปรผันแรงดันประตู จำนวนผู้ให้บริการและ transconductance ได้ถูกกำหนดเป็น s 5 cm2/V ∼10− และ 3 nS ตามลำดับ โดยความหมายของการวัดไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ครั้งแรกของรัฐที่มั่นคงฟิลด์ผลทรานซิสเตอร์ได้รับการประดิษฐ์โดยใช้ฟิล์มของโมเลกุลอินทรีย์ polythiophene เป็นสารกึ่งตัวนำ ลักษณะอุปกรณ์ได้รับการปรับปรุงโดยการควบคุมระดับยาสลบของพอลิเมอ อุปกรณ์ที่เป็นชนิดปิดโดยปกติและแหล่งที่มา (ระบายน้ำ) ปัจจุบันสามารถ modulated โดยปัจจัยที่ 102-103 โดยแรงดันไฟฟ้าที่แตกต่างกันที่ประตูเมือง การเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการและ transconductance ยังได้รับการมุ่งมั่นที่จะ ~10- 5 cm2 / V และ 3 NS, ตามลำดับโดยใช้วิธีการวัดไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ครั้งแรกที่แข็ง‐สภาพสนาม‐ผลทรานซิสเตอร์ได้ถูกประดิษฐ์ใช้ฟิล์มของโมเลกุลอินทรีย์พอลิไทโอฟีน เป็นสารกึ่งตัวนำ อุปกรณ์ที่ลักษณะจะถูกปรับโดยการควบคุมระดับของการเติมพอลิเมอร์ อุปกรณ์เป็นปกติปิด ชนิดและแหล่งที่มา ( ระบาย ) ปัจจุบันสามารถปรับโดยตัวประกอบของ 102 - 103 โดยปรับแรงดันหลัก การเคลื่อนย้ายผู้ให้บริการและทราน คอนดักแตนซ์ยังได้รับการกำหนดให้∼ 10 − 5 cm2 / V   NS และ 3 ตามลำดับ โดยวิธีการวัดทางไฟฟ้า