False memories are well-established

False memories are well-established long-term memory (LTM) phenomena, and recent reports suggest that working memory (WM) could also give rise to false memories, supporting the unitary view of memory. The emergence of false memories at short term results from the impairment of WM maintenance, memory performance relying then on LTM. More specifically, false memories rely on the retrieval of gist traces of the memory items while their verbatim traces that could block false memories are no longer accessible. To test this proposal, a series of four experiments were reported in which the availability of two WM maintenance mechanisms, articulatory rehearsal and attentional refreshing, was manipulated. In line with their hypothesis, the occurrence of false memories in the immediate recognition test was accompanied by the reduction of verbatim memory retrieval resulting from the impairment of rehearsal. By contrast, false memories in the delayed test depended on gist memory, which was strengthened by the use of refreshing. These findings support an integrated account of false memories at short and long term, shed light on the nature of mental representations generated by WM maintenance mechanisms and on the relationships between WM and LTM.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความทรงจำเท็จเป็นปรากฏการณ์ความทรงจำระยะยาว (LTM) ที่ได้รับการยอมรับเป็นอย่างดี และรายงานล่าสุดแนะนำว่าหน่วยความจำในการทำงาน (WM) ก็สามารถทำให้เกิดความทรงจำเท็จได้เช่นกัน ซึ่งสนับสนุนการมองเห็นความทรงจำแบบรวม การเกิดขึ้นของความทรงจำเท็จในระยะสั้นเป็นผลจากการด้อยค่าของการบำรุงรักษา WM ประสิทธิภาพของหน่วยความจำขึ้นอยู่กับ LTM โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ความทรงจำเท็จอาศัยการเรียกค้นร่องรอยส่วนสำคัญของรายการหน่วยความจำ ในขณะที่ร่องรอยคำต่อคำที่อาจปิดกั้นความทรงจำเท็จไม่สามารถเข้าถึงได้อีกต่อไป เพื่อทดสอบข้อเสนอนี้ มีการรายงานชุดการทดลองสี่ชุดซึ่งมีการจัดการความพร้อมใช้งานของกลไกการบำรุงรักษา WM สองกลไก การซักซ้อมข้อต่อ และการรีเฟรชอย่างตั้งใจ ได้รับการจัดการ ตามสมมติฐานของพวกเขา การเกิดขึ้นของความทรงจำเท็จในการทดสอบการรู้จำทันทีนั้นมาพร้อมกับการลดลงของการดึงหน่วยความจำคำต่อคำอันเป็นผลมาจากความบกพร่องของการฝึกซ้อม ในทางตรงกันข้าม ความทรงจำเท็จในการทดสอบล่าช้านั้นขึ้นอยู่กับหน่วยความจำส่วนสำคัญ ซึ่งได้รับการเสริมกำลังด้วยการใช้การรีเฟรช การค้นพบนี้สนับสนุนการบูรณาการของความทรงจำเท็จในระยะสั้นและระยะยาว ให้ความกระจ่างเกี่ยวกับธรรมชาติของการแสดงออกทางจิตที่เกิดจากกลไกการบำรุงรักษา WM และความสัมพันธ์ระหว่าง WM และ LTM

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หน่วยความจำที่ผิดพลาดเป็นปรากฏการณ์หน่วยความจำระยะยาวที่ได้รับการยอมรับรายงานล่าสุดแสดงให้เห็นว่าหน่วยความจำในการทำงานยังสามารถนำไปสู่หน่วยความจำที่ผิดพลาดสนับสนุนมุมมองที่เป็นหนึ่งเดียวของหน่วยความจำ หน่วยความจำที่ผิดพลาดในระยะสั้นเกิดขึ้นเนื่องจากการบำรุงรักษา WM บกพร่องและประสิทธิภาพของหน่วยความจำขึ้นอยู่กับ LTM โดยเฉพาะอย่างยิ่ง หน่วยความจำที่ผิดพลาดอาศัยการดึงร่องรอยหลักของรายการหน่วยความจำ และพวกเขาอาจป้องกันไม่ให้ร่องรอยของคําต่อคําของความทรงจําที่ผิดพลาดไม่สามารถเข้าถึงได้อีกต่อไป เพื่อตรวจสอบข้อเสนอนี้ มีรายงานการทดลองสี่ครั้งซึ่งจัดการกับความพร้อมของกลไกการบำรุงรักษา WM สองแบบคือการซ้อมการออกเสียงและการฟื้นฟูสมาธิ ตามสมมติฐานของพวกเขา ในขณะที่ความทรงจําผิดพลาดเกิดขึ้นในการทดสอบการจดจําทันที การดึงความทรงจําต่อคําจะลดลงเนื่องจากอุปสรรคในการฝึกซ้อม ในทางตรงกันข้ามหน่วยความจำที่ผิดพลาดในการทดสอบความล่าช้าจะขึ้นอยู่กับหน่วยความจำจุดและความเข้มของจุด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หน่วยความจําที่ผิดพลาดเป็นปรากฏการณ์ที่ได้รับการยอมรับว่าเป็นหน่วยความจําระยะยาว( LTM )และรายงานล่าสุดแสดงให้เห็นว่าหน่วยความจําในการทํางานอาจทําให้เกิดความทรงจําผิดพลาดซึ่งสนับสนุนมุมมองเดียวของหน่วยความจํา การเกิดขึ้นของหน่วยความจําที่ผิดพลาดในระยะสั้นเกิดจากการบํารุงรักษาหน่วยความจําที่ขึ้นอยู่กับLTMและประสิทธิภาพของหน่วยความจําที่ลดลง โดยเฉพาะอย่างยิ่งหน่วยความจําที่ผิดพลาดขึ้นอยู่กับการดึงร่องรอยของจุดสําคัญของรายการหน่วยความจําและร่องรอยของคําที่พวกเขาสามารถป้องกันความทรงจําที่ไม่ถูกต้องไม่สามารถเข้าถึงได้อีกต่อไป เพื่อทดสอบข้อเสนอแนะนี้ได้มีการรายงานชุดการทดลองสี่ชุดซึ่งมีการจัดการกับความพร้อมใช้งานของกลไกการบํารุงรักษาWMสองแบบการออกเสียงและการรีเฟรชความสนใจ ตามสมมติฐานของพวกเขาการปรากฏตัวของความทรงจําที่ผิดพลาดในการทดสอบการรับรู้แบบเรียลไทม์จะมาพร้อมกับการลดลงของการสกัดหน่วยความจําคําที่เกิดจากความผิดปกติของการทําซ้ํา ในทางตรงกันข้ามหน่วยความจําผิดพลาดในการทดสอบความล่าช้าขึ้นอยู่กับหน่วยความจําที่สําคัญและหน่วยความจําที่สําคัญจะเพิ่มขึ้นโดยการรีเฟรช ผลการวิจัยเหล่านี้สนับสนุนคําอธิบายที่ครอบคลุมของหน่วยความจําที่ผิดพลาดในระยะสั้นและระยะยาวและชี้แจงลักษณะของการแสดงออกทางจิตวิทยาที่เกิดจากกลไกการบํารุงรักษาหน่วยความจําในการทํางานและความสัมพันธ์ระหว่างหน่วยความจําในการทํางานกับLTM