Further changing the substrate to A

Further changing the substrate to Ag (111) (Figure. 11a), precise control of substrate temperature (250 °C) and Si flux resulted in the synthesis of single monolayer of silicene where Si atoms are arranged in a honeycomb lattice examined by STM (Figure. 11b) [150]. A height difference of 0.02 nm in line profile of the STM image gives the evidence of Si atoms being present in two different sub-lattices suggesting the possible formation of sp2-sp3hybridization. Peak-to-peak and valley-to-valley analysis measures the Si-Si atom distance to be 0.19±0.01 nmwhich is significantly lower than the bulk Si (0.235 nm). LEED analysis characterized the silicene monolayer consists of (2√3x2√3)R30° superstructure having long range periodicity(Figure. 11c) [150]. This discrepancy in the Si-Si distance from the silicene structure has been explained by the misinterpretation of pure Ag (111) surface [203].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปลี่ยนซับสเตรตเพิ่มเติมเป็น Ag (111) (รูปที่ 11a) การควบคุมอุณหภูมิของซับสเตรตอย่างแม่นยำ (250 °C) และฟลักซ์ Si ส่งผลให้เกิดการสังเคราะห์ซิลิซีนชั้นเดียวชั้นเดียว โดยที่อะตอมของ Si ถูกจัดเรียงในโครงตาข่ายรังผึ้งที่ตรวจสอบโดย STM ( รูปที่ 11b) [150] ความแตกต่างของ ความสูง0.02 นาโนเมตรในโปรไฟล์เส้นของภาพ STM ให้หลักฐานว่ามีอะตอมของ Si อยู่ในโครงข่ายย่อยที่แตกต่างกันสองอัน ซึ่งบ่งบอกถึงการก่อตัวของการผสมพันธุ์ sp2 -sp 3 ที่เป็นไปได้ การวิเคราะห์จากยอดสู่ยอดและจากหุบเขาสู่หุบเขาจะวัดระยะห่างอะตอมของ Si-Si ที่ 0.19±0.01 นาโนเมตรซึ่งต่ำกว่า Si จำนวนมาก (0.235 นาโนเมตร) อย่างมีนัยสำคัญ การวิเคราะห์ LEED แสดงคุณลักษณะของชั้นซิลิซีนเดี่ยวที่ประกอบด้วยโครงสร้างส่วนบน (2√3x2√3)R30° ซึ่งมีคาบของช่วงยาว(รูปที่ 11c) [150] ความคลาดเคลื่อนในระยะห่าง Si-Si จากโครงสร้างซิลิซีนนี้ได้รับการอธิบายโดยการตีความที่ผิดของพื้นผิว Ag (111) บริสุทธิ์ [203]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เปลี่ยนพื้นผิวเป็น Ag (111) (รูปที่ 11a) เพื่อควบคุมพื้นผิวได้อย่างแม่นยำ
อุณหภูมิ (250 ° C) และฟลักซ์ซิลิกอนทำให้เกิดการสังเคราะห์ซิลิคอนชั้นเดียวซึ่ง
ผ่านการตรวจสอบ STM อะตอม Si จัดเรียงในตาข่ายรังผึ้ง (รูปที่ 11b) [150] ความสูง A
ความแตกต่างของ 0.02nm ในโครงร่างเส้นของภาพ STM ให้อะตอม Si เป็น
พบในสองตาข่ายย่อยที่แตกต่างกันบ่งชี้ความเป็นไปได้ของการก่อตัวของ sp2
-sp
3.
ลูกผสม
Peak Peak และ Valley Valley Analysis การวัดระยะทางอะตอมซิลิคอน 0.19 ± 0.01nm
ซึ่งต่ำกว่าเฟสร่างกาย Si (0.235nm) อย่างมีนัยสำคัญ การวิเคราะห์ของ LEED แสดงให้เห็นว่า
ชั้นเดียวของซิลิโคนประกอบด้วยโครงสร้างส่วนบนของ R30 ° (2 √ 3x2 √ 3) เป็นระยะยาว
(รูปที่ 11c) [150]. ความแตกต่างของระยะห่างระหว่างซิลิคอนซิลิกอนและโครงสร้างซิลิกอน
ตีความว่าเป็นความเข้าใจผิดเกี่ยวกับพื้นผิว Ag (111) บริสุทธิ์ [203]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัสดุพื้นผิวจะเปลี่ยนเป็นag ( 111 ) (รูป 11 a )การควบคุมที่แม่นยําของพื้นผิว
อุณหภูมิ( 250องศาเซลเซียส)และการไหลของซิลิคอนทําให้เกิดการสังเคราะห์ซิลิโคนเดี่ยว
ผ่านการตรวจสอบSTMอะตอมซิลิคอนจัดเรียงเป็นตาข่ายรังผึ้ง(รูป 11b ) [ 150 ]. หนึ่งความสูง
ความแตกต่างของเส้นเส้นที่0.02นาโนเมตรในภาพSTMให้ซิลิคอนอะตอม
มีอยู่ใน 2 ตารางย่อยที่แตกต่างกัน บ่งชี้ว่าอาจก่อตัว sp2
- sp
3
การผสมพันธุ์.
การวิเคราะห์จุดสูงสุดและหุบเขา-หุบเขาวัดระยะห่างของซิลิคอน-ซิลิคอนเท่ากับ0.19±0.01นาโนเมตร
นี่ต่ํากว่าซิลิโคนอย่างมีนัยสําคัญ(0.235นาโนเมตร) การวิเคราะห์ของ leed อธิบาย
ชั้นเดี่ยวของซิลิโคนประกอบด้วยโครงสร้างพิเศษของr 30ที่มีระยะยาว( 2√3x2√3)
(กราฟ. 11 c ) [ 150 ]. ความแตกต่างของระยะทางซิลิคอน-ซิลิคอนในโครงสร้างใหม่ของซิลิคอน
อธิบายด้วยความผิดเพี้ยนของใบหน้าag ( 111 ) [ 203 ]