Indium tin oxide (ITO) thin films a

Indium tin oxide (ITO) thin films are wide band gap semiconductors with good electrical and optical properties such as lowresistivities (∼10−4 cm), high carrier concentrations, high mobil-ity rates, and high transparency in the visible and near infraredregions (450–1100 nm)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ฟิล์มบางเป็นวงกว้างช่องว่างอิเล็กทรอนิกส์คุณสมบัติแสง และไฟฟ้าที่ดีเช่น lowresistivities (∼10−4 ซม.), ความเข้มข้นของผู้ขนส่งที่สูง ราคาสูงมือถือ-ity และความโปร่งใสสูง ในการมองเห็น และ infraredregions (450 – 1100 nm)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) ฟิล์มบางที่มีช่องว่างเซมิคอนดักเตอร์วงกว้างที่มีคุณสมบัติไฟฟ้าและแสงที่ดีเช่น lowresistivities (~10-4? เซนติเมตร) ผู้ให้บริการมีความเข้มข้นสูงสูงอัตราโมบิล-ity และความโปร่งใสสูงใน infraredregions ที่มองเห็นและอยู่ใกล้ (450-1100 นาโนเมตร)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) เป็นฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำช่องว่างแถบกว้างด้วยคุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงที่ดี เช่น lowresistivities ( ∼ 10 − 4  ซม. ) ความเข้มข้นพาหะสูง อัตรา ity โมบิลสูงและความโปร่งใสสูงในการมองเห็น และใกล้ infraredregions ( 450 ) 1 , 100 nm )