Preparation of the mullite coating

Preparation of the mullite coating precursor solution
All the materials used for mullite precursor synthesis were of the AR grade. The mullite coating precursor solution was prepared by mixing a mullite precursor sol with mullite powder, along with other ingredients. The processing steps for synthesizing mullite precursor sol are shown in Fig. 1. Tetraethoxysilane (TEOS) was mixed with aluminum nitrate nonahydrate (ANN) and aluminum acetate (2:5 molar ratio of ANN to aluminum acetate) in pure ethanol medium in the stoichiometric ratio of mullite. Acetic acid was added (0.1–0.2 mol/L) to promote gelation. After 6 h of refluxing at 353 K, a milky, viscous monophasic sol was obtained. The mullite precursor sol and 3/2-mullite powder (70–75 wt.% of the Fig. 2. Surface XRD spectra of the as-prepared mullite coating on SiC-C/C. total mixture) were mixed by high energy planetary ball-milling at 300 rpm, with a crack-sealing agent (polyvinylpyrrolidon, PVP, average molecular weight of 1.3×106 g/mol, about 0.1–0.25 wt.%) and oxalic acid (3–5 wt.%) as drying control chemical additive (DCCA). Ball milling was performed for 4 h after the addition of all the ingredient and, at the end of the ball-milling process, acetone was added to reach an optimized solution viscosity. The solid concentration in the optimized mullite coating precursor solution was about 20 wt%.The mullite powder was prepared by a sol–gel process and ANN
and TEOS were used as the starting materials. In short, the source chemicals were dissolved in absolute ethanol in the molar ratio of 3:1 of ANN: TEOS (3/2-mullite) after which acetic acid was added as a catalyst and chelating agent. Subsequently, the mixture was heated in a water bath under reflux at 353K for 12 h to form a gel
which was then oven dried at 393K for 12 h and further fired at

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เตรียมแก้ปัญหา mullite เคลือบสารตั้งต้น วัสดุที่ใช้ในการสังเคราะห์สารตั้งต้นของ mullite เกรด AR ได้ แก้ปัญหา mullite เคลือบสารตั้งต้นถูกเตรียม โดยผสมโซลเป็นสารตั้งต้น mullite mullite ผง พร้อมกับส่วนผสมอื่น ๆ แสดงขั้นตอนการประมวลผลสำหรับสังเคราะห์โซล mullite สารตั้งต้นใน Fig. 1 Tetraethoxysilane (TEOS) ถูกผสมกับอลูมิเนียมไนเตรต nonahydrate (แอน) และอลูมิเนียม acetate (2:5 สบอัตราส่วนของแอนกับอลูมิเนียม acetate) ในเอทานอลบริสุทธิ์ในอัตราส่วน stoichiometric ของ mullite เพิ่มกรดอะซิติก (0.1 – 0.2 โมล/L) เพื่อส่งเสริม gelation โซล monophasic ข้น น้ำนมได้รับหลังจาก h 6 ของ refluxing ที่ 353 K Mullite สารตั้งต้น 3/2-mullite และโซลผง (wt.% 70 – 75 2 Fig. รวมแรมสเป็คตรา XRD ผิวของเคลือบเตรียมเป็น mullite ในส่วนผสมรวมของ SiC-C/c.) โดยดาวเคราะห์ลูกมิลลิ่งที่ 300 rpm มีรอยร้าว:ตัวแทนพลังงานสูง (polyvinylpyrrolidon, PVP เฉลี่ยน้ำหนักโมเลกุลของ 1.3 × 106 กรัม/โมล ประมาณ 0.1-0.25 wt.%) และกรดออกซาลิก (3-5 wt.%) เป็นการอบแห้งควบคุมเคมีการบวก (DCCA) กัดลูกทำสำหรับ 4 h หลังจากการเพิ่ม ของส่วนผสมทั้งหมด และ ในตอนท้ายของกระบวนการลูกหน้า อะซิโตนได้เพิ่มถึงความหนืดที่ทุก ๆ ความเข้มข้นของแข็งในโซลูชัน mullite เพิ่มประสิทธิภาพเคลือบสารตั้งต้นมีประมาณ 20 wt % มีเตรียมผง mullite กระบวนการโซลเจลและแอนและ TEOS ถูกใช้เป็นวัสดุเริ่มต้น ในระยะสั้น สารเคมีแหล่งถูกละลายในแอ็บโซลูทเอทานอลในอัตราส่วน 3:1 ของแอนสบ: TEOS (3/2-mullite) หลังจากที่เพิ่มกรดอะซิติกเป็น catalyst และ chelating ตัวแทน ในเวลาต่อมา ส่วนผสมถูกอุ่นในอ่างน้ำภายใต้ป้องกันกรดไหลย้อนที่ 353K สำหรับ 12 h แบบเจซึ่งมีเตาอบแห้งที่ 393K สำหรับ 12 h แล้วยิงที่เพิ่มเติม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเตรียมความพร้อมของการแก้ปัญหาสารตั้งต้นมัลไลท์เคลือบวัสดุทั้งหมดที่ใช้ในการสังเคราะห์สารตั้งต้นมัลไลท์เป็นของเกรดอาร์คันซอ วิธีการแก้ปัญหาสารตั้งต้นเคลือบมัลไลท์ถูกจัดทำขึ้นโดยการผสมสารตั้งต้นโซลมัลไลท์ด้วยผงมัลไลท์พร้อมกับส่วนผสมอื่น ๆ ขั้นตอนการประมวลผลสำหรับการสังเคราะห์สารตั้งต้นโซลมัลไลท์ที่มีการแสดงในรูป 1. สารเตตระเอ (TEOS) ผสมกับอลูมิเนียมไนเตรต nonahydrate (ANN) และอลูมิเนียมอะซิเตท (2: 5 อัตราส่วนโดยโมลของอะซิเตทแอนไปอลูมิเนียม) ในกลางเอทานอลบริสุทธิ์ในอัตราส่วน stoichiometric มัลไลท์ กรดอะซิติกถูกบันทึก (0.1-0.2 โมล / ลิตร) เพื่อส่งเสริมการเจ หลังจาก 6 ชั่วโมงของกรดที่ 353 K, น้ำนมที่โซลโมโนหนืดได้ โซลสารตั้งต้นมัลไลท์และ 3/2-มัลไลท์ผง (น้ำหนัก 70-75.% ของรูป. 2. พื้นผิวสเปกตรัม XRD ของมัลไลท์เคลือบตามที่จัดทำขึ้นโดย SiC-C / C. ส่วนผสมทั้งหมด) มีผสมโดยพลังงานสูงของดาวเคราะห์ ลูกกัดที่ 300 รอบต่อนาทีกับตัวแทนแตกปิดผนึก (polyvinylpyrrolidon, PVP, น้ำหนักโมเลกุลเฉลี่ยของ 1.3 × 106 กรัม / โมลประมาณ 0.1-0.25 น้ำหนัก.%) และกรดออกซาลิ (3-5 น้ำหนัก.%) ในขณะที่การอบแห้ง การควบคุมสารเคมีสารเติมแต่ง (DCCA) กัดบอลได้ดำเนินการเป็นเวลา 4 ชั่วโมงหลังจากการเพิ่มของส่วนผสมทั้งหมดและในตอนท้ายของกระบวนการลูกสีอะซีโตนถูกเพิ่มเข้ามาในการเข้าถึงความหนืดทางออกที่ดีที่สุด ความเข้มข้นที่มั่นคงในการแก้ปัญหาสารตั้งต้นเคลือบมัลไลท์ที่ดีที่สุดคือประมาณ 20%
โดยน้ำหนักผงมัลไลท์ได้โดยเริ่มต้นถูกจัดทำขึ้นโดยกระบวนการโซลเจลและแอนและTEOS ถูกนำมาใช้เป็นวัสดุเริ่มต้น ในระยะสั้นที่มาถูกสารเคมีที่ละลายในเอทานอลที่แน่นอนในอัตราส่วน 3: 1 จาก ANN: TEOS (3/2-มัลไลท์) หลังจากที่กรดอะซิติกถูกบันทึกเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาและคีเลตตัวแทน ต่อจากนั้นส่วนผสมที่ถูกความร้อนในอ่างน้ำใต้กรดไหลย้อนที่ 353K สำหรับ 12
ชั่วโมงในรูปแบบเจลซึ่งก็แห้งเตาอบที่393K สำหรับ 12 ชั่วโมงและยิงเพิ่มเติมได้ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเตรียมการของการเกิดสารเคลือบสารละลาย
วัสดุทั้งหมดที่ใช้เพื่อสังเคราะห์สารตั้งต้นเกิดเป็นเกรดเอ . การเกิดสารเคลือบสารละลายที่เตรียมโดยผสมสารตั้งต้นเกิดโซลด้วยผงมัลไลต์พร้อมกับส่วนผสมอื่น ๆ กระบวนการสังเคราะห์สารตั้งต้นสำหรับการเกิดโซลจะแสดงในรูปที่ 1เททระเ ซีไซเลน ( TEOS ) ผสมกับอลูมิเนียมไน nonahydrate ( แอน ) และอะลูมิเนียมอะซิเตท ( 2 : 5 อัตราส่วนโดยโมลของอะลูมิเนียมอะซิเตทแอน ) ในเอทานอลบริสุทธิ์กลางในอัตราส่วน อัตราส่วนของการเกิด . กรดอะซิติกเพิ่ม ( 0.1 – 0.2 โมล / ลิตร ) เพื่อส่งเสริมการเกิดเจล . หลังจาก 6 ชั่วโมงของกรดที่คุณ K , คราบหนืด monophasic โซลได้ .การเกิดสารตั้งต้น โซล และ 3 / 2-mullite ผง ( 70 - 75 % โดยน้ำหนักของรูปที่ 2 สเปกตรัมของรังสีเอ็กซ์เป็นเตรียมพื้นผิวเกิดเคลือบ sic-c / C ผสมส่วนผสมทั้งหมด ) โดยพลังงานสูงของลูกกัดที่ 300 รอบต่อนาที มีรอยร้าวเจ้าหน้าที่ซีล ( polyvinylpyrrolidon PvP , น้ำหนักโมเลกุลเฉลี่ย 1.3 × 106 กรัม / โมล ประมาณ 0.1 และ 0.25 % โดยน้ำหนัก ) และกรดออกซาลิก ( 3 และ 5 โดยน้ำหนัก1 ) ควบคุมสารเคมีแห้ง ( dcca ) ลูกกัดแบ่งเป็น 4 ชั่วโมงหลังจากเติมเครื่องปรุงทั้งหมดและในตอนท้ายของกระบวนการกัดบอล อะซิโตน ได้เพิ่มการเข้าถึงโซลูชั่นที่มีความหนืด ความเข้มข้นของของแข็งในการเกิดสารละลายเคลือบสารตั้งต้นประมาณ 20 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ผงมัลไลต์ที่เตรียมโดยกระบวนการโซล - เจลและแอน
เอทและใช้เป็นวัตถุดิบ ในระยะสั้น , แหล่งสารเคมีละลายในสัมบูรณ์เอทานอลในอัตราส่วนโมลของแอน : เอท 3 ( 3 / 2-mullite ) หลังจากที่ กรดเป็นตัวเร่งปฏิกิริยา และเป็น chelating ตัวแทน ต่อมา ส่วนผสมอุ่นในอ่างน้ำใต้ย้อนที่ 353k เป็นเวลา 12 ชั่วโมงในรูปแบบเจล
ซึ่งก็อบให้แห้งที่ 393k เป็นเวลา 12 ชั่วโมงและต่อไปยิง