Microwave dielectric ceramics are i

Microwave dielectric ceramics are important for the mobile telecommunication devices, such as dielectric resonator, etc. The dielectric components must also be miniaturized to reduce the device size. For the application of the dielectric ceramics to microwave devices, a high-dielectric-constant (ɛr), a high quality factor (Qxf), and a near-zero temperature coefficient of resonant frequency (τf) are required. Tungsten-bronze type like BaO–Nd2O3–TiO2 (BNT) ceramics are widely used in microwave devices due to their high-dielectric-constants and low losses [1], [2] and [3]. The substitution of Bi for Nd (BNBT ceramics) can decrease the temperature coefficient of resonant frequency and increase the dielectric constant of BNT based ceramics [4] and [5]. In recent years, low-temperature-cofired ceramics (LTCC) have been developed to increase the volume efficiency by integrating passive components such as capacitors, resistor, and inductors. However, the densification temperatures of BNBT-based ceramics are above 1300 °C [6], which is too high for LTCC processing. The development of low-temperature-sintered BNBT-based ceramics is urgently desired to fabricate LTCC devices for microwave applications. However, no systematic study on the effects of sintering additives on the microstructure and microwave dielectric properties of BNBT ceramics has been reported

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไมโครเวฟเครื่องเคลือบเป็นฉนวนมีความสำคัญสำหรับอุปกรณ์โทรคมนาคมโทรศัพท์เคลื่อนที่ เป็นฉนวน resonator ฯลฯ ส่วนประกอบเป็นฉนวนต้องยังสามารถ miniaturized เพื่อลดขนาดของอุปกรณ์ สำหรับโปรแกรมประยุกต์ของเครื่องเคลือบเป็นฉนวนอุปกรณ์ไมโครเวฟ สูง-dielectric-ค่าคง (ɛr), ตัวคูณคุณภาพสูง (Qxf), และสัมประสิทธิ์อุณหภูมิใกล้ศูนย์ของความถี่คงที่ (τf) ได้ต้อง ทองแดงทังสเตนชนิดเช่นเคลือบเบ้า – Nd2O3 – TiO2 (BNT) ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์ไมโครเวฟเนื่องจากความสูง-dielectric-ค่าคงที่ และต่ำขาดทุน [1], [2] และ [3] การแทนที่ของ Bi สำหรับ Nd (เครื่องเคลือบ BNBT) สามารถลดค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความถี่คง และเพิ่มคง dielectric ของ BNT ใช้เคลือบ [4] และ [5] ในปีที่ผ่านมา ต่ำอุณหภูมิ-cofired เครื่องเคลือบ (LTCC) ได้ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเสียง โดยรวมส่วนประกอบแฝงเช่นตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน และประเทศ อย่างไรก็ตาม อุณหภูมิ densification ของเครื่องเคลือบ BNBT ใช้อยู่เหนือ 1300 ° C [6], ซึ่งสูงเกินไปสำหรับการประมวลผล LTCC เร่งด่วนต้องการพัฒนาเครื่องเคลือบ BNBT บนต่ำอุณหภูมิเผาเพื่อสาน LTCC อุปกรณ์สำหรับไมโครเวฟ อย่างไรก็ตาม ไม่ศึกษาผลกระทบของการเผาผนึกสารต่อโครงสร้างจุลภาคและไมโครเวฟเป็นฉนวนสมบัติของเซรามิกส์ BNBT ระบบรายงาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไมโครเวฟไดอิเล็กตริกเซรามิกส์
สำคัญสำหรับอุปกรณ์สื่อสารเคลื่อนที่ เช่น ฉนวนเสียง ฯลฯ ชิ้นส่วนอิเล็กทริก ต้องย่อให้เล็กเพื่อลดอุปกรณ์ขนาด สำหรับการประยุกต์ใช้เซรามิกไดอิเล็กทริกอุปกรณ์ไมโครเวฟ เป็นฉนวนสูงคงที่ ( ɛ R ) ปัจจัยคุณภาพสูง ( qxf )และใกล้กับศูนย์สัมประสิทธิ์ของอุณหภูมิความถี่เรโซแนนซ์ ( τ F ) จะต้อง ทังสเตนทองเหลืองประเภทชอบเปา– nd2o3 – TiO2 ( BNT ) เซรามิกที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์ ไมโครเวฟ เนื่องจากค่าคงที่ของฉนวนสูงและต่ำขาดทุน [ 1 ] , [ 2 ] และ [ 3 ]การแทนที่ของบีสำหรับ ND ( เซรามิก bnbt ) สามารถลดอุณหภูมิ ค่าความถี่เรโซแนนซ์ และเพิ่มค่าไดอิเล็กทริกของ BNT ตามเครื่องเคลือบ [ 4 ] และ [ 5 ] ใน ปี ล่าสุด อุณหภูมิต่ำเซรามิค ( cofired LTCC ) ได้รับการพัฒนาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมปริมาณส่วนประกอบ passive เช่นตัวต้านทานตัวเก็บประจุและ inductors อย่างไรก็ตามที่อุณหภูมิ bnbt กันจากทางเหนือ 1300 องศา C [ 6 ] ซึ่งสูงเกินไปสำหรับการประมวลผล LTCC . การพัฒนาของอุณหภูมิต่ำ bnbt เผาเซรามิกเป็นเร่งด่วนที่ต้องการใช้เพื่อสานงาน LTCC อุปกรณ์ไมโครเวฟ อย่างไรก็ตามไม่มีระบบการศึกษาผลของการเผาสารต่อโครงสร้างจุลภาคและสมบัติของ bnbt ไมโครเวฟไดอิเล็กทริกเซรามิกได้ถูกรายงาน