Alloy Type or Fused Junction Diode:

Alloy Type or Fused Junction Diode: Such a diode is formed by first placing a P- type impurity (a tiny pellet of aluminium or some other P- type impurity) into the surface of an N-type crystal and heating the two until liquefaction occurs where the two materials meet. An alloy will result that on cooling will give a P-N junction at the boundary of the alloy substrate. Similarly, an N-type impurity may be placed into the surface of a P- type crystal and the two are heated until liquefaction occurs. Alloy type diodes have a high cur­rent rating and large PIV (peak inverse voltage) rating. The junction capacitance is also large, due to the large junction area.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โลหะผสมชนิดหรือ Fused ไดโอดเชื่อมต่อ: ในไดโอดจะเกิดขึ้น โดยวางเป็นมลทินชนิด P (เม็ดเล็ก ๆ ของอะลูมิเนียมหรือบางชนิด P สิ่งเจือปนอื่น ๆ) ในพื้นผิวของผลึกเป็น N ชนิดแรก และความร้อนทั้งสองจนเกิด liquefaction ซึ่งการตอบสนองของวัสดุสองชนิดนี้ โลหะผสมจะส่งผลให้การว่า เมื่อเย็นจะให้แยก P-N ที่ขอบของพื้นผิวโลหะ ในทำนองเดียวกัน มีมลทินชนิด N อาจวางในพื้นผิวเป็นคริสตัลชนิด P และสองความร้อนจนเกิด liquefaction ไดโอดชนิดโลหะผสมมีคะแนนปัจจุบันที่สูงและใหญ่อันดับ PIV (แรงดันสูงสุดผกผัน) ความจุต่อสายไฟก็ขนาดใหญ่ เนื่องจากบริเวณทางแยกขนาดใหญ่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประเภทโลหะผสมหรือผสมสนธิ Diode: เช่นไดโอดจะเกิดขึ้นเป็นครั้งแรกโดยการวางปนเปื้อนชนิด P- (เม็ดเล็ก ๆ ของอลูมิเนียมหรืออื่น ๆ ประเภทสิ่งเจือปน P-) ลงในพื้นผิวของ N-ประเภทคริสตัลและเครื่องทำความร้อนทั้งสองจนเหลวเกิดขึ้น ที่ทั้งสองวัสดุที่ตอบสนอง โลหะผสมจะส่งผลในการระบายความร้อนที่จะให้แยก PN ที่ขอบเขตของพื้นผิวโลหะผสม ในทำนองเดียวกัน N-ชนิดปนเปื้อนอาจถูกวางลงไปในพื้นผิวของประเภท P- คริสตัลและทั้งสองได้รับความร้อนจนเหลวเกิดขึ้น ล้อแม็กประเภทไดโอดมีคะแนนสูงและ PIV ขนาดใหญ่ (แรงดันไฟฟ้าสูงสุดผกผัน) คะแนน ความจุทางแยกนี้ยังมีขนาดใหญ่เนื่องจากบริเวณทางแยกที่มีขนาดใหญ่