Then we fabricated bottom contact F

Then we fabricated bottom contact FET devices using RR-P3HT and PCBM composite (36 mol%) as an active layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แล้ว เราหลังสร้างล่างอุปกรณ์ FET ติดต่อใช้ RR P3HT และ PCBM คอมโพสิต (36 โมล%) เป็นชั้นที่ใช้งานอยู่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แล้วเราประดิษฐ์อุปกรณ์ FET ติดต่อด้านล่างใช้ RR-P3HT และ PCBM คอมโพสิต (36 mol%) เป็นชั้นที่ใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แล้วเราสามารถประดิษฐ์อุปกรณ์การติดต่อด้านล่าง rr-p3ht pcbm และคอมโพสิต ( 36 โมล % ) เป็นชั้นงาน