were also obtained by Manohara and

were also obtained by Manohara and Hanagodimath (2007) for the
case of amino acids.
For the incoherent (Compton) scattering process, the variation
of Zeff with photon energy is shown in Fig. 6. It can be seen that initially
Zeff decreases with increasing energy, minima at 10 keV, and
then it increases with increasing energy up to 400 keV. Finally it remains
constant even with further increase in energy.
For the photoelectric absorption process, the variation of Zeff
with photon energy is shown in Fig. 7. The behavior of Zeff with respect
to energy shows discontinuous jumps in the low energy
range (E < 0.04 MeV) and then it remains constant thereafter. The
energy of these discontinuities corresponds to photoelectric
absorption edges of sodium, aluminum, silicon, calcium and bismuth
as shown in Table 3. These absorption edges are valid immediately
below the absorption edge. In Table 3, the absorption edges
data were shown above 1 keV. From electron configuration, Bi is
heavy element and the valence electron of Bi occupies at n = 6 (P
shell), so K-, L- and M-edges of Bi are shown in the range of energy
as seen in table (above 1 keV). The other elements in glass samples
(Na, Al, Si and Ca) are light elements, so the absorption edge of energy
above 1 keV is shown only K-edge, while L- and M-edges of
their elements are below 1 keV.
The variation of Zeff with photon energy for pair production in
nuclear field is shown in Fig. 8. The values of Zeff decrease rapidly
from 1.25 to 10 MeV and then slightly decrease with further
increasing of photon energy. Fig. 9 shows the variation of Zeff with
photon energy for pair production in electric field. From the figure
it is clear that Zeff is independent of photon energy from 3 to
30 MeV. From 30 MeV to 8 GeV, the value of Zeff decreases with
increasing of photon energy and thereafter it is independent of energy
for bismuth borosilicate glass. These results clearly confirm
the comment made by Hine (1952).
The variation of Ne,eff of bismuth borosilicate glasses with photon
energy for total photon interaction is shown in Fig. 10. The to-

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ได้รับยัง Manohara และ Hanagodimath (2007) สำหรับการกรณีของกรดอะมิโนสำหรับไม่ติดต่อกัน (คอมป์ตัน) scattering กระบวนการ การเปลี่ยนแปลงของ Zeff กับโฟตอน พลังงานจะแสดงใน Fig. 6 จะเห็นได้ว่าเริ่มต้นZeff ลด มีเพิ่มพลังงาน กมินิมา 10 keV และแล้วมันเพิ่มกับเพิ่มพลังงานถึง 400 keV สุดท้าย จะยังคงค่าคงแม้จะ มีพลังงานเพิ่มเติมสำหรับกระบวนการดูดซึม photoelectric รูปแบบของ Zeffโฟตอนมี พลังงานจะแสดงใน Fig. 7 ลักษณะการทำงานของ Zeff ด้วยความเคารพพลังงานแสดงไม่ต่อเนื่องข้ามด้านพลังงานต่ำช่วง (E < 0.04 MeV) แล้ว ยังคงอยู่คงหลังจากนั้น ที่พลังงานของ discontinuities เหล่านี้สอดคล้องกับ photoelectricขอบดูดซึมโซเดียม อลูมิเนียม ซิลิคอน แคลเซียม และบิสมัทดังแสดงในตาราง 3 ขอบดูดซึมเหล่านี้มีผลบังคับใช้ทันทีด้านล่างขอบดูดซึม ในตาราง 3 ขอบดูดซึมข้อมูลที่แสดงข้างบน 1 keV จากการจัดเรียงอิเล็กตรอน Bi คือหนักองค์ประกอบและเวเลนซ์อิเล็กตรอนของ Bi ใช้ที่ n = 6 (Pเปลือก), เพื่อแสดง K- L - และ M-ขอบของ Bi ในช่วงของพลังงานเห็นในตาราง (เหนือ 1 keV) องค์ประกอบอื่น ๆ ในตัวอย่างแก้ว(นา Al, Si และ Ca) เป็นองค์ประกอบของแสง ดังนั้นขอบดูดซึมพลังงานเหนือ 1 keV จะแสดงเฉพาะ K ขอบ ในขณะที่ L-M-ขอบองค์ประกอบของที่อยู่ด้านล่าง 1 keVความผันแปรของ Zeff กับโฟตอนพลังงานสำหรับการผลิตคู่ในนิวเคลียร์ฟิลด์จะปรากฏใน Fig. 8 ค่า Zeff ลดลงอย่างรวดเร็วจาก 1.25 ไป 10 MeV แล้ว เล็กน้อยลดด้วยเพิ่มเติมเพิ่มพลังงานเรา Fig. 9 แสดงรูปแบบของ Zeff ด้วยโฟตอนพลังงานสำหรับการผลิตคู่ในสนามไฟฟ้า จากตัวเลขเป็นที่ชัดเจนว่า Zeff อิสระของโฟตอนพลังงาน 3 เพื่อ30 meV จาก 30 MeV การ 8 GeV, Zeff ค่าลดลงด้วยเพิ่มพลังงานของเราและหลังจากนั้นมันจะขึ้นอยู่กับพลังงานสำหรับกระจก borosilicate บิสมัท ผลลัพธ์เหล่านี้ยืนยันอย่างชัดเจนความคิดเห็นโดย Hine (1952)ความผันแปรของ Ne, eff ของแก้ว borosilicate บิสมัทด้วยโฟตอนพลังงานสำหรับการโต้ตอบเราทั้งหมดจะแสดงใน Fig. 10 การให้-

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ได้รับโดยมาโนฮาราและ Hanagodimath (2007) สำหรับ
กรณีของกรดอะมิโน.
สำหรับการเชื่อมโยงกัน (คอมป์ตัน) ขั้นตอนการกระจายการเปลี่ยนแปลง
ของ Zeff ด้วยพลังงานโฟตอนจะแสดงในรูปที่ 6 มันจะเห็นได้ว่าในตอนแรก
Zeff ลดลงด้วยการเพิ่มพลังงานน้อย 10 เคฟและ
จากนั้นจะเพิ่มขึ้นกับพลังงานที่เพิ่มขึ้นถึง 400 เคฟ ในที่สุดมันก็ยังคงมี
อย่างต่อเนื่องแม้จะมีการเพิ่มขึ้นต่อไปในการใช้พลังงาน.
สำหรับขั้นตอนการดูดซึมตาแมวรูปแบบของ Zeff
ด้วยพลังงานโฟตอนจะแสดงในรูปที่ 7. พฤติกรรมของ Zeff ด้วยความเคารพ
กับพลังงานแสดงให้เห็นกระโดดต่อเนื่องในพลังงานต่ำ
ช่วง (E <0.04 MeV) แล้วก็ยังคงหลังจากนั้น
พลังงานต่อเนื่องเหล่านี้สอดคล้องกับตาแมว
ขอบการดูดซึมของโซเดียมอลูมิเนียมซิลิคอนแคลเซียมและบิสมัท
ดังแสดงในตารางที่ 3 การดูดซึมขอบเหล่านี้เป็นที่ถูกต้องทันที
ด้านล่างขอบการดูดซึม ในตารางที่ 3 ขอบดูดซึม
ข้อมูลข้างต้นแสดงให้เห็นว่า 1 เคฟ จากการกำหนดค่าอิเล็กตรอนสองเป็น
องค์ประกอบหนักและเวเลนซ์อิเล็กตรอนของ Bi ตรงบริเวณที่ n = 6 (P
เปลือก) ดังนั้น K-, M และ L-ขอบของ Bi ที่แสดงอยู่ในช่วงของการใช้พลังงาน
เท่าที่เห็นในตาราง (เหนือ 1 เคฟ) องค์ประกอบอื่น ๆ ในตัวอย่างแก้ว
(นาอัลศรีและ Ca) เป็นองค์ประกอบแสงเพื่อให้ขอบการดูดซึมของพลังงาน
มากกว่า 1 เคฟจะแสดงเฉพาะ K-ขอบในขณะที่ L-M และขอบของ
องค์ประกอบของพวกเขาจะต่ำกว่า 1 เคฟ
รูปแบบของ Zeff ด้วยพลังงานโฟตอนในการผลิตคู่ใน
ด้านนิวเคลียร์ที่แสดงในรูป 8. ค่าลดลงอย่างรวดเร็ว Zeff
1.25-10 MeV แล้วลดลงเล็กน้อยที่มีต่อ
การเพิ่มขึ้นของพลังงานโฟตอน มะเดื่อ 9 แสดงให้เห็นถึงการเปลี่ยนแปลงของ Zeff กับ
โฟตอนพลังงานสำหรับการผลิตคู่ในสนามไฟฟ้า จากตัวเลข
เป็นที่ชัดเจนว่า Zeff เป็นอิสระจากโฟตอนพลังงานตั้งแต่ 3 ถึง
30 MeV ตั้งแต่วันที่ 30 MeV 8 GeV ค่าของ Zeff ลดลงด้วย
การเพิ่มขึ้นของพลังงานโฟตอนและหลังจากนั้นก็จะมีความเป็นอิสระของพลังงาน
สำหรับแก้ว borosilicate บิสมัท ผลลัพธ์เหล่านี้อย่างชัดเจนยืนยัน
ความคิดเห็นที่ทำโดย Hine (1952).
รูปแบบของเน่, เอฟเอฟของแก้ว borosilicate บิสมัทกับโฟตอน
พลังงานสำหรับการปฏิสัมพันธ์โฟตอนทั้งหมดจะปรากฏในรูป 10. ห

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และยังได้รับ hanagodimath หูปลาช่อน ( 2007 ) สำหรับกรณีของกรดอะมิโน
.
สำหรับเลอะเลือน ( ตัน ) ของกระบวนการเปลี่ยนแปลง
ของเซฟฟ์กับพลังงานโฟตอนที่แสดงในรูปที่ 6 จะเห็นได้ว่า ในตอนแรก
เซฟฟ์ลดลงเมื่อเพิ่มพลังงาน ไม่นี่ ม๊า ที่ 10 keV และ
ก็เพิ่มขึ้นเมื่อเพิ่มพลังงานได้ถึง 400 เคฟ สุดท้ายก็ยังคง
คงที่กับเพิ่มขึ้นในด้านพลังงาน .
สำหรับกระบวนการดูดซึม photoelectric ความผันแปรของเซฟฟ์
กับพลังงานโฟตอนที่แสดงในรูปที่ 7 พฤติกรรมของเซฟฟ์ ด้วยความเคารพ
พลังงานแสดงไม่ต่อเนื่อง กระโดดในช่วง
พลังงานต่ำ ( E < 0.04 MeV ) แล้วมันคงที่ หลังจากนั้น
พลังงานต่างๆเหล่านี้สอดคล้องกับขอบตาแมว
การดูดซึมของโซเดียมอลูมิเนียม , ซิลิคอนแคลเซียมและธาตุบิสมัท
ดังแสดงในตารางที่ 3 การดูดซึมขอบเหล่านี้จะถูกต้องทันที
ด้านล่างการดูดซึมขอบ ตารางที่ 3 ขอบ
การดูดซึมข้อมูลที่แสดงข้างต้น 1 เคฟ จากการจัดเรียงอิเล็กตรอน , บี คือ
องค์ประกอบหนักและเวเลนซ์อิเล็กตรอนของบีอยู่ที่ N = 6 ( P
เปลือก ) , K - L - m-edges ของบีจะแสดงในช่วงพลังงาน
ตามที่เห็นในโต๊ะ ( ข้างบน 1 เคฟ )องค์ประกอบอื่น ๆในแก้วอย่าง
( นา , Al , Si และ Ca ) เป็นองค์ประกอบแสง ดังนั้นการดูดซึมขอบของพลังงาน
ข้างบน 1 เคฟแสดงเพียง k-edge ในขณะที่ผมและ m-edges ขององค์ประกอบของพวกเขาอยู่ด้านล่าง

1 เคฟ ความผันแปรของเซฟฟ์กับโฟตอนพลังงานเพื่อการผลิตคู่
นิวเคลียร์ฟิลด์แสดงไว้ในรูปที่ 8 ค่าของเซฟฟ์ลดลงอย่างรวดเร็ว
จาก 1.25 เป็น 10 MeV และจากนั้นลดลงเล็กน้อย
เพิ่มเติมการเพิ่มของพลังงานโฟตอน . รูปที่ 9 แสดงความผันแปรของเซฟฟ์ด้วย
โฟตอนพลังงานเพื่อการผลิตคู่ในสนามไฟฟ้า จากรูป
เป็นที่ชัดเจนว่าเซฟฟ์เป็นอิสระของพลังงานโฟตอนจาก 3
30 อิเล็กตรอนโวลต์ จาก 8 gev 30 ของมูลค่า เซฟฟ์ลดลง
เมื่อพลังงานโฟตอนและหลังจากนั้นก็อิสระพลังงาน
สำหรับบิสมัท borosilicate แก้ว ผลลัพธ์เหล่านี้ยืนยันอย่างชัดเจน
ความคิดเห็นที่ทำโดยไฮน์ ( 1952 ) .
ความผันแปรของเน่ เอฟของบิสมัท borosilicate แก้วกับพลังงานโฟตอนโฟตอน
ปฏิสัมพันธ์ทั้งหมดที่แสดงในรูปที่ 10 เพื่อ -