AbstractWe present a new procedure

Abstract
We present a new procedure for the site-specific deposition of metal on semiconductor nanofibers (NF). The semiconductor NFs are exposed to an external electric field while irradiated with UV light. This coupling allows the generation of excited electron–hole couples and drives them to the opposite extremities of the fibers where they can react with redox species in solution. We demonstrate here that, when both UV light and electric field are simultaneously applied, a metal deposit is formed at the cathodically polarized tip of the NF in a controlled way. Such an electric-field-assisted photochemical (EFAP) process is suitable for highly localized photodeposition of metals, leading to semiconductor Janus objects.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ
เรานำเสนอขั้นตอนใหม่สำหรับการสะสมเว็บไซต์ที่เฉพาะเจาะจงของโลหะใน nanofibers เซมิคอนดักเตอร์ (NF) NFS เซมิคอนดักเตอร์ที่มีการสัมผัสกับสนามไฟฟ้าภายนอกในขณะที่การฉายรังสีด้วยแสงยูวี การมีเพศสัมพันธ์นี้จะช่วยให้การสร้างของคู่อิเล็กตรอนหลุมตื่นเต้นและไดรฟ์พวกเขาไปยังแขนขาตรงข้ามของเส้นใยที่พวกเขาสามารถทำปฏิกิริยากับสายพันธุ์รีดอกซ์ในการแก้ปัญหา เราแสดงให้เห็นถึงที่นี่ว่าเมื่อทั้งแสงยูวีและสนามไฟฟ้าที่ถูกนำมาใช้พร้อมกันเงินฝากโลหะมีรูปแบบที่ cathodically ปลายขั้วของ NF ในทางที่ควบคุม ดังกล่าวเคมีไฟฟ้าสนามช่วย (EFAP) กระบวนการเหมาะสำหรับ photodeposition localized สูงของโลหะที่นำไปสู่วัตถุเจนัสเซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราเสนอบทคัดย่อ กระบวนการใหม่สำหรับการเคลือบเฉพาะของโลหะบนเส้นใย เซมิคอนดักเตอร์ ( NF ) สารกึ่งตัวนำ NFS ถูกสนามไฟฟ้าภายนอกในขณะที่การฉายรังสีด้วยแสงยูวี การเชื่อมต่อนี้จะช่วยให้รุ่นของตื่นเต้นอิเล็กตรอนและหลุมคู่และไดรฟ์พวกเขาแขนขาตรงข้ามของเส้นใยที่พวกเขาสามารถทำปฏิกิริยากับไฟฟ้าชนิดในสารละลายเราแสดงให้เห็นแล้วว่า ทั้งแสง UV และสนามไฟฟ้าจะพร้อมกันไปฝากที่เป็นโลหะจะเกิดขึ้นที่ cathodically ขั้วปลาย NF ในการควบคุมทาง เช่นสนามไฟฟ้าช่วย 2 ( efap ) เหมาะสำหรับสูงกระบวนการถิ่น photodeposition โลหะการนำสารกึ่งตัวนำ Janus วัตถุ