Anonsensitizationtype perovskite so

Anonsensitization
type perovskite solar cell was proposed by Snaith et al.
[5] in which the mixed halide perovskite CH3NH3PbI3xClx-coated
Al2O3 film demonstrated PCE of 10.9%. Rapid progress was made
over the year, and PCEs exceeding 15% were achieved using organolead
halide perovskite [6,7].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Anonsensitizationเซลล์แสงอาทิตย์ perovskite ชนิดถูกเสนอโดย Snaith et al[5] ใน perovskite halide ผสมเคลือบ xClx CH3NH3PbI3ฟิล์มของ Al2O3 แสดง PCE 10.9% ทำความก้าวหน้าอย่างรวดเร็วปี และ PCEs เกิน 15% บรรลุผลโดยใช้ organoleadไลด์ perovskite [6, 7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Anonsensitization
ชนิดของเซลล์แสงอาทิตย์ perovskite ถูกเสนอโดย Snaith et al.
[5] ซึ่งในลิดผสม perovskite CH3NH3PbI3? xClx เคลือบ
ฟิล์ม Al2O3 แสดงให้เห็นถึง PCE 10.9% ความก้าวหน้าอย่างรวดเร็วถูกสร้างขึ้น
ในช่วงปีและ PCEs เกิน 15% ก็ประสบความสำเร็จโดยใช้ organolead
perovskite ลิด [6,7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

anonsensitizationเซลล์แสงอาทิตย์ประเภท perovskite ที่เสนอโดยคนอื่น et al .[ 5 ] ซึ่งผสมเฮไลด์เพอรอฟสไกต์ ch3nh3pbi3xclx เคลือบภาพยนตร์ ) Al2O3 PCE ของ 10.9 % มีความคืบหน้าอย่างรวดเร็วกว่าปี และ pces เกิน 15 % ก็ทำได้โดยการ organoleadเฮไลด์เพอรอฟสไกต์ [ 6 , 7 ]