In case ofsynthesised SiCxNy films

In case of
synthesised SiCxNy films the Si Auger parameter for three
components of Si 2p peak with energies of 100.5 (Si–C), 101.8
(Si–N) and 102.8 eV (Si–O) was equal to 1715.6, 1713.2 and
1712.4 eV, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกรณีของsynthesised SiCxNy ภาพยนตร์พารามิเตอร์สว่านศรีสามส่วนประกอบของซีพี 2 peak กับพลังงานของ 100.5 (ศรี – C), 101.8(ศรี – N) และ eV 102.8 (ศรี – O) เท่ากับ 1715.6, 1713.2 และ1712.4 eV ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกรณีของการ
สังเคราะห์ภาพยนตร์ SiCxNy พารามิเตอร์ศรี Auger สาม
องค์ประกอบของยอดศรี 2p กับพลังงาน 100.5 (SI-C) 101.8
(SI-N) และ 102.8 eV (Si-O) เท่ากับ 1,715.6, 1,713.2 และ
1,712.4 eV ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกรณีของการสังเคราะห์ฟิล์ม sicxny พารามิเตอร์ auger ศรีสามส่วนประกอบของศรี 2p สูงสุดกับพลังของ 100.5 ( ศรี ( C ) , 101.8( ศรี ) N ) และ 102.8 EV ( SI ) o ) เท่ากับ 1715.6 1713.2 , และ1712.4 eV ตามลำดับ