higher annealing rate is related to

higher annealing rate is related to improvement in the crystallinity as also verified in our XRD analysis (see Fig. 3). The relevance of the degree of crystallinity and the magnitude of the band gap energy was also observed by the other research groups [27,28].
To investigate the effect of CdO concentration on property of ZnO, we have found different band gap energy by varying the amount of x. Based on our data analysis, band gap narrowing was observed by increasing the amount of x as shown in Table 2. It is well known that CdO is a low band gap energy semiconduc- tor unlike ZnO; hence, it is expected that the band gap energy of the (ZnO)1−x(CdO)x alloy nanofibers should be between these two materials (pure ZnO and CdO). Other researchers also reported band gap energy reduction in the mixed ZnO and CdO composition as compared to pure ZnO [29,30].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การอบเหนียวอัตราสูงเกี่ยวข้องกับการปรับปรุงใน crystallinity ยังเป็น การตรวจสอบในการวิเคราะห์ XRD ของเรา (ดู Fig. 3) ความสำคัญของระดับ crystallinity และขนาดของแถบช่องว่างพลังงานยังได้ถูกตรวจสอบ โดยการวิจัยกลุ่มอื่น ๆ [27,28] .
เพื่อตรวจสอบผลของความเข้มข้นของ CdO ในคุณสมบัติของ ZnO เราได้พบวงดนตรีต่าง ๆ ช่องว่างพลังงาน โดยจำนวน x ที่แตกต่างกัน ใช้ในการวิเคราะห์ข้อมูลของเรา จำกัดให้แคบลงของวงช่องว่างถูกตรวจสอบ โดยการเพิ่มจำนวนของ x ดังแสดงในตารางที่ 2 เป็นที่รู้จักว่า CdO ต่ำแถบช่องว่างพลังงาน semiconduc-ต.ต่างจาก ZnO ด้วยเหตุนี้ คาดว่า วงช่องว่างของพลังงานของ 1−x (ZnO) (CdO) x nanofibers ควรอยู่ระหว่างวัสดุสองเหล่านี้ (ZnO และ CdO) โลหะผสม นักวิจัยอื่น ๆ ได้รายงานแถบช่องว่างพลังงานลดองค์ประกอบผสมของ ZnO และ CdO เมื่อเทียบกับ ZnO บริสุทธิ์ [29,30] .

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อัตราการหลอมที่สูงขึ้นมีความเกี่ยวข้องกับการปรับปรุงในผลึกที่ยังตรวจสอบในการวิเคราะห์ XRD ของเรา (ดูรูปที่ 3.) ความเกี่ยวข้องของระดับของผลึกและขนาดของช่องว่างแถบพลังงานยังถูกพบโดยกลุ่มงานวิจัยอื่น ๆ [27,28]
เพื่อศึกษาผลของความเข้มข้น CDO ในทรัพย์สินของซิงค์ออกไซด์ที่เราได้พบช่องว่างแถบพลังงานที่แตกต่างกันโดยที่แตกต่างกัน จำนวนของ x จากการวิเคราะห์ข้อมูลของเราช่องว่างแถบแคบลงเป็นที่สังเกตโดยการเพิ่มปริมาณของ x ดังแสดงในตารางที่ 2 เป็นที่ทราบกันดีว่า CDO เป็นช่องว่างแถบพลังงาน SEMICONDUC-Tor ต่ำแตกต่างจาก ZnO. จึงเป็นที่คาดหวังว่าช่องว่างแถบพลังงานของ (ZnO) 1-x (CDO) nanofibers x อัลลอยควรอยู่ระหว่างทั้งสองวัสดุ (ZnO บริสุทธิ์และ CDO) นักวิจัยอื่น ๆ นอกจากนี้ยังมีรายงานการลดช่องว่างแถบพลังงานในผสมซิงค์ออกไซด์และ CDO องค์ประกอบเมื่อเทียบกับบริสุทธิ์ ZnO [29,30]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สูงกว่าอัตราการหลอม เกี่ยวข้องกับการปรับปรุงในผลึกเป็นยังยืนยันความถูกต้องในการวิเคราะห์ XRD ของเรา ( ดูรูปที่ 3 ) ความเกี่ยวข้องขององศาและขนาดของผลึกช่องว่างแถบพลังงานยังสังเกตได้จากงานวิจัยอื่นกลุ่ม [ 27,28 ] .
เพื่อศึกษาผลของความเข้มข้นของ CDO ต่อคุณสมบัติของ ZnO , เราได้พบช่องว่างแถบพลังงานที่แตกต่างกันจำนวนของ Xจากการวิเคราะห์ของเรา ลดช่องว่าง วง สังเกตได้จากการเพิ่มจำนวนของ X ดังแสดงในตารางที่ 2 มันเป็นที่รู้จักกันดีว่าเป็น CDO วงต่ำช่องว่างพลังงาน semiconduc - TOR แตกต่างเช่นกัน ดังนั้นคาดว่าช่องว่างแถบพลังงานของ ( ZnO ) 1 − X ( CDO ) เส้นใยผสม X ควรอยู่ระหว่างวัสดุทั้งสองชนิดนี้ ( ZnO บริสุทธิ์และ CDO )นักวิจัยอื่น ๆมีช่องว่างแถบพลังงานลดลงในสังกะสีผสมและส่วนประกอบ CDO เมื่อเทียบกับไฟฟ้าตกแต่งอย่างดี
[ บริสุทธิ์ ]