• An exhaust system with a scrubber

• An exhaust system with a scrubber or a burn box to process the outlet gasses.

• An electronic and control part that consists of a dc or rf power generator with a matching box and vacuum, pressure and temperature gauging.

The deposition of a-Si:H layer from a silane plasma can be described as a four step process [18]:

(1) The primary reactions in the gas phase, in which SiH4 molecules are decomposed by electron impact excitation, generate various neutral radicals and molecules, positive and negative ions, and electrons.

(2) The secondary reactions in plasma between molecules and ions and radicals result in the formation of reactive species and eventually in large silicon-hydrogen clusters, which are described in the literature as dust or powder particles. Neutral species diffuse to the substrate, positive ions bombard the growing film, and negative ions are trapped within the plasma.

(3) Interaction of radicals with the surface of the growing film, such as radical diffusion, chemical bonding, hydrogen sticking to the surface or abstraction from the surface.

(4) The subsurface release of hydrogen and relaxation of the silicon network.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

•ระบบไอเสีย ด้วยเครื่องขัดพื้นเครื่องหรือกล่องเขียนเพื่อดำเนินการลักษณะร้าน•ทางอิเล็กทรอนิกส์และส่วนควบคุมที่ประกอบด้วย dc หรือ rf พลังงานเครื่องกำเนิดไฟฟ้า มีตรงกล่อง และเครื่องดูดฝุ่น ความดัน และวัดอุณหภูมิการสะสมของการ-Si:H ชั้นจากพลาสม่าไซเลนสามารถอธิบายเป็นกระบวนการขั้นตอนที่สี่ [18]:(1) ปฏิกิริยาหลักในเฟสก๊าซ SiH4 โมเลกุลถูกย่อยสลาย โดยการกระตุ้นอิเล็กตรอนกระทบ สร้างต่าง ๆ อนุมูลที่เป็นกลาง และโมเลกุล ไอออนบวก และลบ และอิเล็กตรอน(2) ปฏิกิริยารองในพลาสมาระหว่างโมเลกุล และไอออน และอนุมูลส่งผล ในการสร้างปฏิกิริยาพันธุ์ และในที่สุด ใน กลุ่มขนาดใหญ่ซิลิคอนไฮโดรเจน ซึ่งอธิบายไว้ในวรรณคดีเป็นอนุภาคฝุ่นหรือผง กระจายพันธุ์กลางกับพื้นผิว ไอออนบวกแห่งฟิล์มเติบโต และประจุลบจะติดภายในพลาสม่า(3) การโต้ตอบของอนุมูลกับพื้นผิวของฟิล์มเติบโต เช่นกระจายรุนแรง เคมีพันธะ ไฮโดรเจนเกาะผิวหรือนามธรรมจากพื้นผิว(4) การเปิดตัวใต้ผิวดินของไฮโดรเจนและผ่อนคลายของเครือข่ายซิลิโคน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

•ระบบไอเสียที่มีเครื่องฟอกหรือกล่องการเผาไหม้ในการประมวลผลก๊าซเต้าเสียบ. •ส่วนอิเล็กทรอนิกส์และการควบคุมที่ประกอบด้วย DC หรือ RF เครื่องกำเนิดไฟฟ้ากับกล่องที่ตรงกันและสูญญากาศความดันและวัดอุณหภูมิ. การสะสมของศรี : ชั้น H จากพลาสม่าไซเลนสามารถอธิบายเป็นกระบวนการขั้นตอนที่สี่ [18]: (1) ปฏิกิริยาหลักในเฟสก๊าซซึ่งในโมเลกุล SiH4 จะถูกย่อยสลายโดยอิเล็กตรอนผลกระทบต่อการกระตุ้นการสร้างอนุมูลเป็นกลางต่างๆและโมเลกุลในเชิงบวกและ ไอออนลบและอิเล็กตรอน. (2) ปฏิกิริยารองในพลาสม่าระหว่างโมเลกุลและไอออนและอนุมูลส่งผลให้เกิดการก่อตัวของสายพันธุ์ปฏิกิริยาและในที่สุดในกลุ่มซิลิคอนไฮโดรเจนขนาดใหญ่ซึ่งจะมีการอธิบายในวรรณคดีเป็นฝุ่นหรือผงอนุภาค สายพันธุ์ที่เป็นกลางกระจายกับพื้นผิวไอออนบวกถล่มภาพยนตร์การเจริญเติบโตและประจุลบจะถูกขังอยู่ภายในพลาสม่า. (3) การมีปฏิสัมพันธ์ของอนุมูลกับพื้นผิวของฟิล์มที่กำลังเติบโตเช่นการแพร่กระจายรุนแรงพันธะเคมีไฮโดรเจนติดกับพื้นผิว หรือนามธรรมจากพื้นผิว. (4) ปล่อยดินไฮโดรเจนและผ่อนคลายของเครือข่ายซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- ท่อไอเสีย กับระบบดูด หรือกล่องเขียนกระบวนการร้านแก๊ส .บริการอิเล็กทรอนิกส์และการควบคุมส่วนที่ประกอบด้วย DC หรือเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงาน RF ที่เข้าคู่กับกล่องสุญญากาศและความดันและอุณหภูมิประมาณ .การสะสมของอะมอร์ฟัสซิลิคอน H ชั้นจากไซพลาสมาสามารถอธิบายเป็นขั้นตอนสี่ขั้นตอน [ 18 ] :( 1 ) ปฏิกิริยาหลักในก๊าซระยะในที่ sih4 โมเลกุลย่อยสลายโดยการกระตุ้นต่ออิเล็กตรอนที่สร้างอนุมูลอิสระเป็นกลางและโมเลกุลต่างๆ ประจุบวกและลบ และอิเล็กตรอน( 2 ) ปฏิกิริยาระหว่างโมเลกุลและไอออนทุติยภูมิในพลาสมาและผลในการก่อตัวของอนุมูลอิสระปฏิกิริยาชนิดและในที่สุดกลุ่มซิลิคอนไฮโดรเจนขนาดใหญ่ ซึ่งอธิบายไว้ในวรรณกรรมเป็นฝุ่นหรืออนุภาคผง ชนิดเป็นกลางกระจายไปพื้นผิว , ประจุบวก ระดมยิงขึ้นฟิล์ม และประจุลบจะติดอยู่ในพลาสมา( 3 ) ปฏิกิริยาของอนุมูลอิสระกับผิวของฟิล์มเพิ่มขึ้น เช่น รากแพร่ , พันธะเคมี , ไฮโดรเจน ผสานกับพื้นผิวหรือนามธรรมจากพื้นผิว( 4 ) การปล่อยไฮโดรเจนและการผ่อนคลายของซิลิคอน เครือข่าย