3.1.2. Step IIAfter the sol–gel sol

3.1.2. Step II
After the sol–gel solution was aged for more than 24 h and spincoated,
the substrates were preheated at 200, 250 and 300 °C to evaporate
the solvent and remove organic residuals, since the boiling point
of MEA was known to be 170 °C [21]. The morphologies of the
preheated films are shown in Fig. 3. From the SEM images of the films,
the surfaces of the preheated films at 200 and 300 °C look rough and ravine,
while the film at 350 °C has rather smooth surfaces. Thus, the
preheating temperature of spin-coated films for smooth surfaces was
chosen to be 250 °C.
The morphologies of ZnO seed films obtained at different annealing
temperatures are shown by the SEMimages in Fig. 4. It is observed that
the ZnO film surfaces have higher surface roughness with the increase
of temperature. Up to 500 °C, the grain size (~10 nm) stayed almost
the same as that of preheated films shown in Fig. 3. However, the
grain size was increased to ~50 nm in the annealing temperature
range from 550 to 650 °C. Starting from the annealing temperature of
700 °C, the average grain sizes of ZnO thin films were increased to
about 150 nm, possibly due to the coalescence of the next lying ZnO
nanoparticles. Thus, vacancies in the ZnO films became larger as the
annealing temperature was increased. Whereas the ZnO films grown
between 550 and 650 °C exhibited rather smooth surfaces among the
films annealed at different temperatures. Therefore, we have chosen
600 °C as the annealing temperature of ZnO seed films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.1.2 การขั้นตอน IIหลังจากโซลเจล โซลูชันมีอายุมากกว่า 24 ชมและ spincoatedพื้นผิวได้ต่ำที่ 200, 250 และ 300 ° C การระเหยการเอาออกและตัวทำละลายอินทรีย์ค่าคงเหลือ ตั้งแต่จุดเดือดของการไฟฟ้านครหลวงถูกเรียกเป็น 170 ° C [21] Morphologies ของการแสดงภาพยนตร์ต่ำใน Fig. 3 จากภาพ SEM ของฟิล์มพื้นผิวของฟิล์มต่ำที่ 200 และ 300 ° C มีลักษณะ หยาบและ ravineในขณะที่ฟิล์มที่ 350 ° C มีพื้นผิวค่อนข้างเรียบ ดังนั้น การpreheating อุณหภูมิหมุนเคลือบฟิล์มสำหรับพื้นผิวเรียบได้เลือกให้เป็น 250 องศาเซลเซียสMorphologies ของ ZnO เมล็ดฟิล์มได้ที่การอบเหนียวแตกต่างกันแสดงอุณหภูมิ โดย SEMimages ใน Fig. 4 คือสังเกตที่พื้นผิวฟิล์ม ZnO มีความเรียบผิวสูง มีเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ ถึง 500 ° C ขนาดเมล็ด (~ 10 nm) อยู่เกือบเหมือนกับของฟิล์มต่ำที่แสดงใน Fig. 3 อย่างไรก็ตาม การขนาดเมล็ดข้าวขึ้นไป ~ 50 nm อุณหภูมิหลอมช่วงตั้งแต่ 550 ถึง 650 องศาเซลเซียส เริ่มต้นจากอุณหภูมิการหลอม700 ° C ขนาดเมล็ดเฉลี่ยของฟิล์มบาง ZnO ได้เพิ่มขึ้นประมาณ 150 nm อาจเป็น เพราะ coalescence ของ ZnO lying ถัดไปเก็บกัก ดังนั้น ตำแหน่งในฟิล์ม ZnO เป็นใหญ่เป็นการอุณหภูมิการอบเหนียวเพิ่มขึ้น ในขณะ ZnO ภาพยนตร์เติบโตระหว่าง 550 และ 650 ° C ผิวค่อนข้างเรียบระหว่างที่จัดแสดงฟิล์ม annealed ที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ดังนั้น เราได้เลือก600 ° C เป็นอุณหภูมิหลอมของ ZnO เมล็ดฟิล์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.1.2 ขั้นตอนที่สอง
หลังจากที่แก้ปัญหาโซลเจลอายุนานกว่า 24 ชั่วโมงและ spincoated,
พื้นผิวที่ถูกอุ่นที่ 200, 250 และ 300 องศาเซลเซียสจะระเหย
ตัวทำละลายและลบเหลืออินทรีย์ตั้งแต่จุดเดือด
ของกฟน. เป็นที่รู้จักกันเป็น 170 ° C [21] รูปร่างลักษณะของ
ภาพยนตร์อบอุ่นจะแสดงในรูป 3. จากภาพ SEM ของภาพยนตร์,
พื้นผิวของภาพยนตร์อบอุ่นที่ 200 และ 300 องศาเซลเซียสมีลักษณะหยาบและหุบเขา,
ในขณะที่ภาพยนตร์เรื่องที่ 350 ° C มีค่อนข้างพื้นผิวเรียบ ดังนั้น
อุณหภูมิอุ่นของฟิล์มเคลือบหมุนสำหรับพื้นผิวที่เรียบเนียนได้รับการ
เลือกให้เป็น 250 ° C.
รูปร่างลักษณะของซิงค์ออกไซด์ภาพยนตร์เมล็ดพันธุ์ได้ที่หลอมที่แตกต่างกัน
อุณหภูมิจะแสดงโดย SEMimages ในรูป 4. สังเกตว่า
พื้นผิวฟิล์มซิงค์ออกไซด์มีพื้นผิวที่ขรุขระสูงขึ้นกับการเพิ่มขึ้น
ของอุณหภูมิ ได้ถึง 500 องศาเซลเซียสขนาดของเมล็ดข้าว (~ 10 นาโนเมตร) อยู่เกือบ
เช่นเดียวกับที่ภาพยนตร์อบอุ่นที่แสดงในรูป 3 อย่างไรก็ตาม
ขนาดของเมล็ดข้าวเพิ่มขึ้นเป็น ~ 50 นาโนเมตรในอุณหภูมิการหลอม
ช่วง 550-650 องศาเซลเซียส เริ่มต้นจากการหลอมของอุณหภูมิ
700 องศาเซลเซียสขนาดเม็ดเฉลี่ยของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เพิ่มขึ้นเป็น
ประมาณ 150 นาโนเมตรอาจจะเป็นเพราะการเชื่อมต่อกันของการโกหกต่อไปซิงค์ออกไซด์
อนุภาคนาโน ดังนั้นตำแหน่งงานว่างในภาพยนตร์ซิงค์ออกไซด์ที่มีขนาดใหญ่กลายเป็น
อุณหภูมิการหลอมเพิ่มขึ้น ในขณะที่ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่ปลูก
ระหว่าง 550 และ 650 องศาเซลเซียสแสดงพื้นผิวเรียบค่อนข้างหมู่
ภาพยนตร์อบที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน ดังนั้นเราจึงได้เลือกที่
600 ° C อุณหภูมิการหลอมของซิงค์ออกไซด์ภาพยนตร์เมล็ด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.1.2
. ขั้นที่ 2
หลังจากที่โซลเจลและสารละลายที่มีอายุนานกว่า 24 ชั่วโมง และ spincoated
, พื้นผิวเป็นเตาอบที่ 200 , 250 และ 300 ° C เพื่อระเหยตัวทำละลายอินทรีย์และลบค่า

เพราะจุดเดือดของการไฟฟ้านครหลวงที่เป็นที่รู้จักกันเป็น 170 ° C [ 21 ] ลักษณะของฟิล์ม
ตั้งแสดงในรูปที่ 3 จาก SEM ภาพของภาพยนตร์
พื้นผิวของฟิล์มเตาอบที่ 200 และ 300 ° C ดูหยาบกร้าน และหุบ
ในขณะที่ภาพยนตร์ที่ 350 องศา C ได้ค่อนข้างเรียบพื้นผิว ดังนั้น การอุ่นอุณหภูมิการหมุนเคลือบฟิล์ม

สำหรับพื้นผิวเรียบ ถูกเลือกเป็น 250 องศา ลักษณะของฟิล์ม ZnO
เมล็ดที่ได้รับแตกต่างกัน annealing
อุณหภูมิแสดงโดย semimages ในรูปที่ 4 มันเป็นที่สังเกตว่า
ซิงค์ออกไซด์ฟิล์มที่ผิวมีความขรุขระของพื้นผิวที่สูงขึ้นด้วยการเพิ่ม
ของอุณหภูมิ ถึง 500 องศา C ขนาดเกรน ( ~ 10 nm ) อยู่เกือบ
เหมือนกันตั้งแสดงในรูปของภาพยนตร์ 3 อย่างไรก็ตาม
ขนาดเกรนเพิ่มขึ้น ~ 50 nm ในการอบอุณหภูมิ
จาก 550 650 องศา เริ่มจากการอบอุณหภูมิ
700 องศา Cค่าเฉลี่ยของขนาดเกรนของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เพิ่มขึ้น

ประมาณ 150 นาโนเมตร อาจจะเนื่องจากการรวมตัวของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์โกหกต่อไป

ดังนั้น สาระในซิงค์ออกไซด์ฟิล์มกลายเป็นมีขนาดใหญ่เป็น
อุณหภูมิการอบอ่อนเพิ่มขึ้น ในขณะที่ ZnO ภาพยนตร์เติบโตระหว่าง 550 และ 650 /
c มีพื้นผิวค่อนข้างเรียบระหว่าง
ภาพยนตร์อบที่อุณหภูมิต่าง ๆ ดังนั้นเราจึงได้เลือก
600 ° C เป็นอุณหภูมิที่เผาฟิล์มเมล็ดเช่นกัน