While the above two dielectric anom

While the above two dielectric anomalies, i.e., the F-P transition of the crystalline phase and the complex βa relaxation, have been reported in many studies [25– 29], a third process, taking place at slightly higher tem-perature than the βa process, can only be observed in low-frequency dielectric spectra. Although the nature of this process (referred to as βc) is still under debate, most results support its origin in the crystallite/amorphous in-terface [33]. βc is significantly weaker than βa in the dielectric spectra, and they apparently merge into one process at frequencies above 10 kHz.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในขณะข้างทั้งสองเป็นฉนวนความผิด เช่น เปลี่ยน F-P เฟสผลึกและผ่อนคลาย βa ซับซ้อน มีการรายงานในการศึกษามากมาย [25 – 29], ประมวล ผลที่สาม ที่เกิดขึ้นที่ยการ perature สูงขึ้นเล็กน้อยกว่าการ βa สามารถสังเกตได้ในความถี่ต่ำเป็นฉนวนแรมสเป็คตราเท่านั้น แม้ว่าลักษณะของกระบวนการนี้ (เรียกว่า βc) จะยังคงภายใต้การอภิปราย ผลลัพธ์ส่วนใหญ่สนับสนุนกำเนิดใน crystallite/ไป ใน-terface [33] Βc significantly ต่ำกว่า βa ในแรมสเป็คตราเป็นฉนวน และพวกเขาเห็นได้ชัดผสานเป็นกระบวนการหนึ่งที่ความถี่สูงกว่า 10 kHz

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในขณะที่ความผิดปกติดังกล่าวข้างต้นทั้งสองอิเล็กทริกคือการเปลี่ยนแปลง FP ของผลึกและผ่อนคลายβaซับซ้อนได้รับการรายงานในการศึกษาจำนวนมาก [25 29] เป็นกระบวนการที่สามเกิดขึ้นที่เล็กน้อย TEM-perature สูงกว่ากระบวนการβa เท่านั้นที่สามารถสังเกตได้ในความถี่ต่ำสเปกตรัมอิเล็กทริก แม้ว่าลักษณะของกระบวนการนี​​้ (เรียกว่าβc) ยังอยู่ภายใต้การอภิปรายผลการส่วนใหญ่สนับสนุนต้นกำเนิดในผลึก / สัณฐานในอินเตอร์เฟส [33] βcเป็นอย่างมีนัยสำคัญที่อ่อนแอกว่าβaในสเปกตรัมอิเล็กทริกและพวกเขาก็เห็นได้ชัดผสานเป็นหนึ่งในกระบวนการที่มีความถี่สูงกว่า 10 เฮิร์ทซ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในขณะที่ข้างต้นสองไดอิเล็กตริกผิดปกติ เช่น การเปลี่ยนแปลงของ f-p เฟสผลึกบีตาและซับซ้อนผ่อนคลาย , ได้รับการรายงานในการศึกษามากมาย [ 25 – 29 ] , ขั้นตอนที่สาม ใช้สถานที่ใน perature TEM สูงกว่าบีตากระบวนการที่สามารถสังเกตได้ในช่วงความถี่ต่ำฉนวน . แม้ว่าธรรมชาติของกระบวนการนี้ ( เรียกว่าบีตาซี ) ยังอยู่ภายใต้การอภิปรายผลลัพธ์ส่วนใหญ่สนับสนุนเนิดผลึก / สัณฐานใน terface [ 33 ] บีตาซี signi จึงลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่ออ่อนแอกว่าบีตาในสเปกตรัมไดอิเล็กตริกและพวกเขาเห็นได้ชัดผสานเป็นหนึ่งในกระบวนการที่ความถี่สูงกว่า 10 กิโลเฮิรตซ์