and in metallicstate, high defect d

and in metallic
state, high defect density will accelerate scattering of electrons and
obviously increase the resistivity of the films, and thus the film
grown at 400 W has the lowest resistance because of low defect
density.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

และโลหะรัฐ ความหนาแน่นของข้อบกพร่องสูงจะเร่งการกระเจิงของอิเล็กตรอน และเพิ่มความต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ และภาพยนตร์เรื่องนี้แน่นอนปลูก 400 W มีความต้านทานต่ำเนื่องจากข้อบกพร่องต่ำความหนาแน่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และโลหะ
ของรัฐที่มีความหนาแน่นสูงข้อบกพร่องที่จะช่วยเร่งการกระเจิงของอิเล็กตรอนและ
เห็นได้ชัดเพิ่มความต้านทานของภาพยนตร์และทำให้ภาพยนตร์เรื่องนี้
เติบโตที่ 400 W มีความต้านทานต่ำสุดเพราะข้อบกพร่องต่ำ
หนาแน่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และโลหะสภาพความหนาแน่นของข้อบกพร่องสูง จะเร่งการกระจายของอิเล็กตรอน และอย่างเห็นได้ชัดเพิ่มความต้านทานของฟิล์ม ซึ่งฟิล์มปลูกที่ 400 W มีความต้านทานน้อยที่สุด เพราะข้อบกพร่องน้อยความหนาแน่น