AbstractThis focus of this chapter

Abstract
This focus of this chapter is the presentation of micro and nanodevices for
thermoelectric converters. Examples of applications for these converters are (1)
in the conversion of electrical energy from temperature gradients and (2) in cooling
devices. These converters are of solid-state type and use pairs of thermoelectric pand
n-type materials, which were obtained by thin-films depositions. In this context,
issues such the fabrication and characterization details of materials are discussed.
The materials selected to serve as p- and n-type structures were the antimony
telluride (Sb2Te3) and the bismuth telluride (Bi2Te3). The thin-films depositions of
both Bi2Te3 and Sb2Te3 materials require a precise controlled process to achieve the
highest possible thermoelectric figure-of-merit, ZT, and at the same time to achieve
the desire composition. This goal is achieved with the co-evaporation of antimony
(Sb)/bismuth(Bi) and telluride (Te) technique. It is also analyzed the influence of the
parameters involved in the depositions (e.g., the temperature which the substrate is
subjected, and the evaporation rates of Sb/Bi and Te), and their impacts in the final
composition of Sb2Te3 and Bi2Te3 thin-films. Advanced issues and trends related to
the fabrication of super-lattices for use in thermoelectric converters are also
presented in this chapter.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นามธรรม
นี้จุดเน้นของบทนี้จะนำเสนอของไมโครและ nanodevices สำหรับ
แปลงแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ ตัวอย่างของโปรแกรมประยุกต์สำหรับตัวแปลงเหล่านี้ได้แก่ (1)
ในการแปลงพลังงานไฟฟ้าจากการไล่ระดับสีอุณหภูมิ และ (2) ในการทำความเย็น
อุปกรณ์ ตัวแปลงเหล่านี้ชนิดโซลิดสเตต และใช้คู่แบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ pand
n ชนิดวัสดุ ที่ได้รับ โดย depositions ฟิล์มบาง ในบริบทนี้,
ดังกล่าวผลิตและจำแนกรายละเอียดของวัสดุกล่าวถึงปัญหาการ
วัสดุที่เลือกใช้เป็นโครงสร้างของ p และ n-ชนิดแหล่งพลวง
telluride (Sb2Te3) และ bismuth telluride (Bi2Te3) Depositions ฟิล์มบางของ
Bi2Te3 และ Sb2Te3 ต้องมีกระบวนการควบคุมแม่นยำเพื่อให้บรรลุการ
สูงสุดแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์รูปของบุญ ZT และ ในเวลาเดียวกันเพื่อให้บรรลุ
องค์ประกอบของความต้องการ เป้าหมายนี้จะประสบความสำเร็จได้ระเหยร่วม antimony
(Sb)/bismuth(Bi) และ telluride (Te) เทคนิคการ ยังวิเคราะห์อิทธิพลของการ
พารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องในการ depositions (เช่น อุณหภูมิที่พื้นผิว
กักกัน และอัตราการระเหยของ Sb/Bi และติ), และผลกระทบของพวกเขาในสุด
ส่วนประกอบของ Sb2Te3 และ Bi2Te3 บางฟิล์ม ปัญหาและแนวโน้มที่เกี่ยวข้องกับขั้นสูง
ประดิษฐ์ของ lattices ซุปเปอร์สำหรับใช้ในการแปลงแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์จะ
นำเสนอในบทนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ
ความสำคัญของบทนี้นี่คือการนำเสนอของไมโครและ nanodevices การ
แปลงเทอร์โม ตัวอย่างของการใช้งานสำหรับการแปลงเหล่านี้ (1)
ในการแปลงพลังงานไฟฟ้าจากการไล่ระดับสีอุณหภูมิและ (2) ในการระบายความร้อน
อุปกรณ์ แปลงนี้เป็นประเภทของรัฐที่มั่นคงและการใช้คู่แพนเทอร์โม
วัสดุ n ชนิดที่ได้รับโดย depositions ฟิล์มบาง ในบริบทนี้
ปัญหาดังกล่าวผลิตและลักษณะรายละเอียดของวัสดุที่จะกล่าวถึง
วัสดุที่เลือกให้ทำหน้าที่เป็นโครงสร้าง-p และ n-ประเภทเป็นพลวง
ลลูไรด์ (Sb2Te3) และบิสมัทลลูไรด์ (Bi2Te3) ภาพยนตร์บางการของ
ทั้งสอง Bi2Te3 และวัสดุ Sb2Te3 ต้องมีขั้นตอนการควบคุมที่แม่นยำเพื่อให้บรรลุ
บุญรูปของเทอร์โมที่สูงที่สุดที่เป็นไปได้ ZT และในเวลาเดียวกันเพื่อให้บรรลุ
ความปรารถนาขององค์ประกอบ เป้าหมายนี้จะประสบความสำเร็จกับผู้ร่วมการระเหยของพลวง
(Sb) / บิสมัท (Bi) และลลูไรด์ (Te) เทคนิค นอกจากนี้ยังมีการวิเคราะห์อิทธิพลของ
พารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องในการ depositions (เช่นอุณหภูมิที่พื้นผิวถูก
ยัดเยียดและอัตราการระเหยของ Sb / Bi และ Te) และผลกระทบของพวกเขาในขั้นสุดท้าย
องค์ประกอบของ Sb2Te3 และ Bi2Te3 ฟิล์มบาง . ปัญหาขั้นสูงและแนวโน้มที่เกี่ยวข้องกับการ
ผลิตของ lattices ซุปเปอร์เพื่อใช้ในการแปลงเทอร์โมยัง
นำเสนอในบทนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม
นี้ โฟกัสของบทนี้คือ การนำเสนอของไมโครและ nanodevices สำหรับ
แปลงเทอร์โม . ตัวอย่างของการประยุกต์ใช้ตัวแปลงเหล่านี้คือ ( 1 )
ในการแปลงพลังงานไฟฟ้า จากการไล่ระดับสีอุณหภูมิ และ ( 2 ) ในเย็น
อุปกรณ์ ตัวแปลงเหล่านี้เป็นชนิดของของแข็งและคู่ของเทอร์โมใช้ฟอสฟอรัส
ทั่วไปวัสดุซึ่งได้รับจากฟิล์มบาง Depositions . ในบริบทนี้
ปัญหาเช่นการผลิตและรายละเอียดคุณสมบัติของวัสดุ รวมทั้ง
วัสดุที่เลือกเป็น P - และโครงสร้างทั่วไปเป็นพลวง
เตลลูไรด์ ( sb2te3 ) และบิสมัทเทลลูไรด์ ( bi2te3 ) ฟิล์มบางของทั้งสอง bi2te3 Depositions
sb2te3 วัสดุและต้องแม่นยำควบคุมกระบวนการเพื่อให้บรรลุ
สูงสุดที่เป็นไปได้ เทอร์โม รูปของบุญ , ZT , และในเวลาเดียวกันเพื่อให้บรรลุ
ความปรารถนาองค์ประกอบ เป้าหมายนี้จะบรรลุกับ Co การระเหยของพลวง
( SB ) บิสมัท ( Bi ) และ เตลลูไรด์ ( TE ) เทคนิค นอกจากนี้ยังวิเคราะห์อิทธิพลของพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องใน Depositions
( เช่นอุณหภูมิที่พื้นผิวเป็น
ยัดเยียด และอัตราการระเหย SB / BI และ Te )และผลกระทบของพวกเขาในองค์ประกอบของฟิล์มบางและสุดท้าย
sb2te3 bi2te3 . ขั้นสูงปัญหาและแนวโน้มที่เกี่ยวข้องกับการสร้างซูเปอร์แลตทิซ
เพื่อใช้ในแปลงเทอร์โมยังมี
นำเสนอในบทนี้