(c) For L = 0.5 μm, W2 = 25 μm, fT

(c) For L = 0.5 μm, W2 = 25 μm, fT = 12 GHz, and μ
nCox =
200 μA/V2, design the circuit to obtain a gain of 3 V/V per
stage. Bias the MOSFETs at VOV = 0.3 V. Specify the required
values of W1 and I. What is the 3-dB frequency achieved?

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ค) สำหรับ L = 0.5 ไมโครเมตร W2 = 25 ไมโครเมตรฟุต = 12 GHz และไมครอน
nCox =
200 ต / V2 ออกแบบวงจรที่จะได้รับกำไรจาก 3 V / V
ต่อเวที อคติ MOSFETs ที่ VOV = 0.3
โวลต์ต้องระบุค่าของฉันW1 และอะไรคือสิ่งที่ความถี่ 3 เดซิเบลที่ประสบความสำเร็จ?

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( c ) L = 0.5 μ M W2 = 25 μเมตร , ฟุต = 12 GHz และμ

ncox = 200 μ / V2 , การออกแบบวงจรเพื่อให้ได้รับ 3 v / v /
เวที อคติที่สอด vov = 0.3 โวลต์ ระบุเป็นค่าของ W1
. อะไรคือ 3-db ถี่ขึ้น