In the case of silicon irradiated b

In the case of silicon irradiated by picosecond laser beam at 266 nm, the excitation of electrons as direct band transition is achieved (i.e. the band gap = 3.43 eV and then only wavelengths

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกรณีซิลิคอน irradiated ด้วยลำแสงเลเซอร์ picosecond ที่ 266 nm กระตุ้นอิเล็กตรอนเป็นวงตรงการเปลี่ยนแปลงจะประสบความสำเร็จ (เช่นช่องว่างวง = 3.43 eV แล้วความยาวคลื่นเฉพาะ < 362 nm สามารถดูดซึมในทางนี้)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกรณีของซิลิกอนฉายลำแสงเลเซอร์ picosecond ที่ 266 นาโนเมตร, การกระตุ้นของอิเล็กตรอนที่เปลี่ยนวงโดยตรงจะประสบความสำเร็จ (เช่นช่องว่างแถบ = 3.43 EV และความยาวคลื่นแล้วเท่านั้น <362 นาโนเมตรสามารถถูกดูดซึมในทางนี้)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกรณีของซิลิคอนรังสีพิโควินาทีลำแสงเลเซอร์ที่ 266 nm , กระตุ้นอิเล็กตรอนเป็นเปลี่ยนวงดนตรีโดยตรงได้ ( เช่นช่องว่างแถบ = 3.43 EV แล้วเฉพาะความยาวคลื่น < 362 nm อาจถูกดูดซึมในวิธีนี้ )