40-nm-thick Au and 20-nm-thick Cu l

40-nm-thick Au and 20-nm-thick Cu layers were deposited
on n-type floating-zone (FZ) Si(001) wafers at room
temperature in vacuum (

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฝากอูหนา 40 nm และชั้น Cu หนา 20 นาโนเมตร ในรับ Si(001) (FZ) โซนลอย n ชนิดห้อง อุณหภูมิในสุญญากาศ (< ธอร์ 5x10e-6) บรรยากาศการ สำหรับการ แผ่นเวเฟอร์ Si(001) โดยไม่มีชั้นโลหะ 20-nm-หนา (100) -แม่วางβ-FeSi2 ถูกเตรียมที่ 743K โดย สะสมปฏิกิริยา epitaxy (RDE) วิธีการ รายละเอียดของวิธี RDE ได้แล้วอธิบายในเอกสารก่อนหน้านี้ [4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

40 นาโนเมตรหนา Au และ 20 นาโนเมตรหนาชั้น Cu ถูกฝากไว้
ในชนิดเอ็นโซนลอย (FZ) ศรี (001) ช็อคโกแลตที่ห้อง
อุณหภูมิในสูญญากาศ (<5x10e-6 Torr) บรรยากาศ สำหรับ
ศรี (001) เวเฟอร์โดยไม่ต้องชั้นโลหะ 20 นาโนเมตรหนา
(100) มุ่งเน้นแม่แบบβ-FeSi2 กำลังเตรียมพร้อมที่ 743K โดย
การสะสมปฏิกิริยา epitaxy (RDE) วิธีการ รายละเอียดของวิธี RDE ถูกอธิบายไว้แล้วในบทความก่อนหน้านี้ [4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

40 nm หนา AU และ 20 nm หนาทองแดงชั้นฝากเงิน
บนทั่วไปลอยโซน ( FZ ) Si ( 001 ) เวเฟอร์ที่อุณหภูมิห้อง
ในสุญญากาศ ( < 5x10e-6 ทอร์ ) บรรยากาศ สำหรับ
ศรี ( 001 ) เวเฟอร์ โดยไม่มีชั้นโลหะ 20 nm หนา
( 100 ) - oriented บีตา - fesi2 แม่แบบถูกเตรียมโดยปฏิกิริยาการสร้าง 743k
( RDE ) วิธีรายละเอียดของเรด วิธีอธิบายไว้แล้วในหน้ากระดาษ [ 4 ]