To the challenge about longer write

To the challenge about longer write latency and
higher write energy consumption when using STT-RAM as
on-chip caches, some proposals are focus on STT-RAM’s
Magnetic tunneling junction (MTJ). For example,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความท้าทายอีกต่อไปเกี่ยวกับเขียนเวลาแฝง และ เขียนการใช้พลังงานสูงกว่าเมื่อใช้ RAM STT เป็น เก็บบนชิป ข้อเสนอบางอย่าง เน้น STT-ราม แยก tunneling แม่เหล็ก (MTJ) ตัวอย่างเช่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กับความท้าทายเกี่ยวกับความล่าช้าในการเขียนอีกต่อไปและ
การบริโภคพลังงานที่สูงขึ้นเขียนเมื่อใช้ STT-RAM เป็น
แคชบนชิปข้อเสนอบางอย่างจะเน้น STT-RAM ของ
ชุมทางอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ตัวอย่างเช่น,

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กับความท้าทายเรื่องยาวเขียนแฝงและสูงกว่าการใช้พลังงานเมื่อใช้ stt-ram เป็นเขียนบนแคชบางข้อเสนอจะมุ่งเน้น stt-ram คือแม่เหล็กแยกอุโมงค์ ( mtj ) ตัวอย่างเช่น