Lead antimony sulfides are rare in

Lead antimony sulfides are rare in nature and relatively unexplored ternary semiconductors. This work
investigates the photovoltaic performance of PbeSbeS quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs).
Pb5Sb8S17 nanoparticles are grown on mesoporous TiO2 electrodes using the successive ionic layer
adsorption reaction process. The synthesized Pb5Sb8S17 nanoparticles exhibit two attractive features for a
good solar absorber material: a high optical absorption coefficient and a near optimal energy gap. Solidstate
QDSCs are fabricated from the synthesized Pb5Sb8S17 nanoparticles using Spiro-OMeTAD as the
hole-transporting material. The best cell yields a short-circuit current density Jsc of 11.92 mA cm2, an
open-circuit voltage Voc of 0.48 V, a fill factor FF of 30.7% and a power conversion efficiency (PCE) of 1.76%
under 1sun. The external quantum efficiency (EQE) spectrum covers a spectral range of 350e800 nm
with a maximal EQE ¼ 65% at l ¼ 450 nm. At the reduced light intensity of 10% sun, the PCE increases to
4.14% with Jsc ¼ 2.0 mA cm2 (which could be normalized to 20 mA cm2 under 1 sun). This PCE is 65%
higher than the best previous result. The respectable PCE and Jsc indicate that Pb5Sb8S17 could be a
potential candidate for a solar absorber material

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตะกั่วพลวงซัลไฟด์จะหายากในธรรมชาติและสารกึ่งตัวนำแบบไตรภาคค่อนข้างคุ้น งานนี้ตรวจสอบประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ของ PbeSbeS quantum dot ระคายเซลล์แสงอาทิตย์ (QDSCs)เก็บกัก Pb5Sb8S17 ที่ปลูกบนตัว TiO2 อิเล็กโทรดที่ใช้ไอออนชั้นต่อ ๆ มากระบวนการเกิดปฏิกิริยาดูดซับ เก็บกัก Pb5Sb8S17 การสังเคราะห์แสดงสองคุณสมบัติที่น่าสนใจสำหรับการวัสดุดูดซับพลังงานแสงอาทิตย์ดี: สัมประสิทธิ์การดูดซับแสงที่สูงและพลังงานเหมาะสมใกล้ช่องว่าง SolidstateQDSCs จะประดิษฐ์จากเก็บกัก Pb5Sb8S17 การสังเคราะห์ใช้ Spiro-OMeTAD เป็นการรูขนส่งวัสดุ อัตราผลตอบแทนมือลัดวงจรความหนา Jsc 11.92 ซม. mA 2 การแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด Voc ของ 0.48 V องค์ประกอบการเติม FF 30.7% และมีประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน (PCE) 1.76%ภายใต้ 1sun ช่วงคลื่นควอนตัมภายนอกประสิทธิภาพ (EQE) ครอบคลุมสเปกตรัม 350e800 nmมีความสูง EQE ¼ 65% ที่ l ¼ 450 nm ที่ความเข้มแสงลดลง 10% แดด PCE เพิ่มขึ้น4.14% กับ Jsc mA ¼ 2.0 ซม. 2 (ซึ่งอาจปกติถึง 20 mA ซม 2 ภายใต้ดวงอาทิตย์ 1) PCE นี้คือ 65%สูงกว่าผลก่อนหน้านี้ดีที่สุด PCE เกียรติและ Jsc ระบุว่า Pb5Sb8S17 อาจจะเป็นผู้สมัครที่มีศักยภาพสำหรับเป็นวัสดุดูดซับพลังงานแสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซัลไฟด์พลวงตะกั่วเป็นของหายากในธรรมชาติและเซมิคอนดักเตอร์ ternary ค่อนข้างสำรวจ งานนี้
สำรวจผลการดำเนินงานของเซลล์แสงอาทิตย์ PbeSbeS ควอนตัมดอทไวเซลล์แสงอาทิตย์ (QDSCs).
อนุภาคนาโน Pb5Sb8S17 ที่ปลูกบนขั้วไฟฟ้า TiO2 เมใช้ต่อเนื่องชั้นอิออน
กระบวนการปฏิกิริยาการดูดซับ สังเคราะห์อนุภาคนาโน Pb5Sb8S17 แสดงสองคุณสมบัติที่น่าสนใจสำหรับ
วัสดุที่ดีแสงอาทิตย์โช้ค: ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมแสงสูงและอยู่ใกล้กับช่องว่างพลังงานที่ดีที่สุด Solidstate
QDSCs จะถูกประดิษฐ์จากการสังเคราะห์อนุภาคนาโน Pb5Sb8S17 ใช้ Spiro-OMeTAD เป็น
วัสดุหลุมขนส่ง เซลล์ที่ดีที่สุดผลตอบแทนถัวเฉลี่ยลัดวงจรความหนาแน่นกระแสของ Jsc 11.92 mA ซม. 2 เป็น
แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด Voc 0.48 V เป็นปัจจัย FF เติม 30.7% และประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน (PCE) 1.76%
ภายใต้ 1sun ประสิทธิภาพควอนตัมภายนอก (EQE) คลื่นความถี่ครอบคลุมช่วงสเปกตรัมของ 350e800 นาโนเมตร
ที่มี EQE สูงสุด¼ 65% ที่ L ¼ 450 นาโนเมตร ที่ลดความเข้มของแสงของดวงอาทิตย์ 10% ที่ PCE เพิ่มขึ้น
4.14% โดยมี Jsc ¼ 2.0 mA ซม.? 2 (ซึ่งอาจจะปกติถึง 20 mA ซม. 2 ภายใต้ดวงอาทิตย์ 1) PCE นี้เป็น 65%
สูงกว่าผลที่ดีที่สุดก่อนหน้านี้ PCE มีเกียรติและแสดงให้เห็นว่า Jsc Pb5Sb8S17 อาจจะเป็น
ผู้สมัครที่มีศักยภาพสำหรับวัสดุที่ดูดซับพลังงานแสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตะกั่วพลวงซัลไฟด์ หาได้ยากในธรรมชาติและค่อนข้าง unexplored ประกอบไปด้วยสารกึ่งตัวนำ งานนี้ศึกษาประสิทธิภาพของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ pbesbes ควอนตัมดอตชนิดเซลล์แสงอาทิตย์ ( qdscs )pb5sb8s17 ปลูกบนขั้วไฟฟ้าอนุภาคนาโน TiO2 รัสใช้ชั้นไอออนต่อเนื่องกระบวนการเกิดปฏิกิริยาการดูดซับ การสังเคราะห์อนุภาคนาโน pb5sb8s17 จัดแสดงสองคุณสมบัติที่น่าสนใจสำหรับวัสดุดูดซับพลังงานแสงอาทิตย์ที่ดี : สัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงสูงและใกล้ช่องว่างพลังงานที่เหมาะสม โซลิดสเตทqdscs จะประดิษฐ์จากการสังเคราะห์อนุภาคนาโนที่ใช้ pb5sb8s17 โร ometad เป็นหลุมในการขนส่งวัสดุ เซลล์ที่ดีที่สุดสามารถของความหนาแน่นกระแสลัดวงจร JSC 11.92 มา CM2 ,ค่าแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด VOC ของ 0.48 V , เติมปัจจัย FF ของ 30.7 % และประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน ( PCE ) 1.76 %ภายใต้ 1sun . ประสิทธิภาพควอนตัมภายนอก ( eqe ) สเปกตรัมที่ครอบคลุมช่วงของสเปกตรัมของ 350e800 นาโนเมตรกับสูงสุด eqe ¼ 65% ที่ผม¼ 450 nm . ที่ลดความเข้มของแสง 10% Sun , PCE เพิ่มขึ้น4.14 % JSC ¼ 2.0 มา cm2 ( ซึ่งอาจจะสูงถึง 20 MA cm2 1 ภายใต้ดวงอาทิตย์ ) พีซีนี้ 65%ที่สูงกว่าผลก่อนดีที่สุด PCE มีหน้ามีตา และ pb5sb8s17 JSC บ่งชี้ว่าอาจเป็นผู้สมัครที่มีศักยภาพสำหรับวัสดุดูดซับพลังงานแสงอาทิตย์