USIO has been launching in developi

USIO has been launching in developing SIC single crystal technology enthusiastically recent years. We have well obtained SIC industry technology, e.g. crystal growth, self-made equipment, wafer process and quality examination. With a large-size specification and stable quality, we are capable of providing 4 inches silicon carbide wafer (4H n-type) to meet with the demand of high- power devices, high-frequency devices and optical devices.Our technology of SiC crystal growth has reached the Cree wafer standard.
SiC material is suitable for high-temperature, high-voltage, high-frequency, high-power electronic devices, including SBD,IGBT,JFET,MOSFET. It also applies on the EV / HEV, smart grid,aerospace systems, military weapon systems,oil exploration, nuclear energy and other extreme environments.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

USIO มีการเปิดตัวเทคโนโลยีคริสตัลเดียว SIC พัฒนาปีใหม่ ๆ เราดีได้รับเทคโนโลยีอุตสาหกรรม SIC เช่นเติบโตคริสตัล อุปกรณ์ทำ ตรวจสอบคุณภาพ และกระบวนการในการขัดแผ่น ข้อมูลจำเพาะขนาดใหญ่และมีคุณภาพมีเสถียรภาพ เราจะสามารถให้ 4 นิ้วซิลิคอนแผ่นเวเฟอร์ (4H n ชนิด) เพื่อตอบสนองกับความต้องการของอุปกรณ์สมรรถนะสูง อุปกรณ์ความถี่สูง และอุปกรณ์ออปติคอล เทคโนโลยีของเราเจริญเติบโตของผลึก SiC ได้ถึงครีมาตรฐานแผ่นเวเฟอร์SiC วัสดุได้เหมาะสมกับ อุณหภูมิสูง แรง ดันสูง ความ ถี่สูง กำลังแรงสูงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ รวม SBD, IGBT, JFET มอสเฟต ประยุกต์ใช้บน EV / น้ำมัน HEV สมาร์ทกริด ระบบการบินและอวกาศ ระบบอาวุธทหาร สำรวจ พลังงานนิวเคลียร์ และอื่น ๆ สภาพแวดล้อมมากขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

USIO ได้รับการเปิดตัวในการพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ฉบับที่ผลึกเดี่ยวกระตือรือร้นปีที่ผ่านมา เราได้รับอย่างดีเทคโนโลยีอุตสาหกรรมฉบับเช่นการเจริญเติบโตของคริสตัล, อุปกรณ์ที่ตัวเองทำกระบวนการเวเฟอร์และการตรวจสอบคุณภาพ ด้วยสเปคขนาดใหญ่และมีคุณภาพมีเสถียรภาพเรามีความสามารถในการให้บริการ 4 นิ้วเวเฟอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์ (4H ชนิดเอ็น) เพื่อตอบสนองความต้องการของอุปกรณ์พลังงานสูงอุปกรณ์ความถี่สูงและเทคโนโลยี devices.Our แสงของผลึก SiC เจริญเติบโตได้ถึงมาตรฐานเวเฟอร์เหยียบ.
วัสดุ SiC เหมาะสำหรับอุณหภูมิสูงแรงดันสูงความถี่สูงพลังงานสูงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รวมทั้ง SBD, IGBT, JFET, MOSFET นอกจากนี้ยังนำไปใช้ใน EV / HEV ตารางสมาร์ทระบบการบินและอวกาศ, ระบบอาวุธทหารสำรวจน้ำมันพลังงานนิวเคลียร์และสภาพแวดล้อมมาก ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

usio มีการใช้ในการพัฒนาเทคโนโลยีซิลิกอนผลึกเดี่ยวอย่างที่ผ่านมา เรามีดีได้รับ SIC เทคโนโลยีอุตสาหกรรม เช่น การทำคริสตัล , อุปกรณ์ , กระบวนการผลิตเวเฟอร์ และการตรวจสอบคุณภาพ กับสเปคที่ใหญ่และมีคุณภาพ เราสามารถให้ 4 นิ้วเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ ( 4H ทั่วไป ) เพื่อตอบสนองกับความต้องการสูง - อุปกรณ์ไฟฟ้าอุปกรณ์ความถี่สูงและอุปกรณ์แสง เทคโนโลยีของเรามีถึงมาตรฐานของผลึกซิลิกอนเวเฟอร์ครี .
วัสดุ SiC เหมาะสำหรับอุณหภูมิสูงแรงดันสูงความถี่สูงพลังงานสูง , อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รวมทั้ง SBD , IGBT , jfet MOSFET , . มันยังใช้ใน EV / ปลูก , สมาร์ทกริด ระบบการบินและอวกาศ , ระบบ , น้ํามันสํารวจอาวุธทหารพลังงานและสภาพแวดล้อมที่รุนแรงอื่น ๆนิวเคลียร์